一种低电源电压灵敏度RC振荡器的设计

基于传统RC振荡器的理论分析,采用电阻串分压提供参考电压的方式,设计了一种低电源电压灵敏度的振荡器。基于HHNEC 0.5μm BiCMOS工艺,完成了HSPICE仿真。仿真结果显示,该振荡器输出一个频率为63kHz、占空比为50%的方波信号,当电源电压在4.5～5.5V之间变化时,频率变化范围在±0.52%内,有效降低了电源电压对振荡频率的影响。该振荡器可应用于开关电源芯片。

一种高精度低电源电压带隙基准源的设计

设计了一种可在低电源电压下工作,具有较高电源电压抑制比、低温度系数和低功耗的带隙基准电压源。电路基于对具有正负温度系数的两路电流加权求和的原理,对传统电路做出了改进。采用UMC0.25μmCMOS工艺模型,使用Hspice进行模拟,设计的基准源输出电压为900mV,电源电压可降低到1.1V,温度系数为8.1×10-6/℃。

一种低温漂低电源电压调整率的基准电流源

利用NMOS管在亚阈值区、线性区和饱和区不同的导电特性,产生正温度系数电流;多晶硅高阻与N阱电阻组成串联电阻,代替线性区的NMOS管,产生与正温度系数电流互补的负温度系数电流。采用自偏置共源共栅电流镜结构,提出一种无运算放大器和三极管的求和型CMOS基准电流源。基于Nuvoton 0.35μm CMOS工艺,完成设计与仿真。结果表明,在-40℃～100℃的温度范围内,电流变化为2.4nA,温度系数为7.49×10^（-6）/℃;在3.0～5.5V的电压范围内,电源电压线性调整率为3.096nA/V;在5V工作电压下,输出基准电流为2.301μA,电路功耗为0.08mW,低频时电源电压抑制比为-57.47dB。

低电源电压带隙基准电路设计

提出一种应用于低电源电压供电的带隙基准电路的解决方案。通过增加升压模块解决电流模带隙基准电路只能应用于1 V电源以上电压的难题。文中在0.8 V电源电压供电下设计带隙基准电路。对电路进行理论分析与设计,采用SMIC 0.18μm CMOS工艺模型,通过Cadence公司Spectre工具对所设计电路功能与性能进行仿真验证,仿真结果表明,在-45~125℃温度范围内,输出电压变化为2.085 mV,温漂系数为10.6 ppm达到了设计要求。

一种低温漂低电源电压调整率CMOS基准电流源

通过对带隙基准电路零温漂点设置的开发，获取负温系数电压，实现负温系数电流获取新方法，发展令PMOSFET源栅电压与阈值电压的电源电压变化率相消，从而优化电源电压调整率的新概念，提出了一种CMOS基准电流源新方案。源于SMIC 0．35μm CMOS工艺模型。Cadence Hspice模拟验证结果表明，在-40-85℃温度范围内，温度系数为6．9ppm／℃；3．0～3．6V电压区间，电源电压调整率系10．6ppm／V，低于目前文献报道的基准电流源相应指标。该新方案已经用于10位100MSPSA／D转换器的研究设计，并可望应用于高精度模拟／混合信号系统的开发。

NICA-MPD探测器的低温漂基准电压源设计

基于TSMC BCD 180nm工艺设计并流片测试了一款低压低温漂带隙基准芯片,用于高能物理实验。该芯片主要基于NICA-MPD探测器工程项目的需求,实现在极端温度环境中正常输出电压的功能。该芯片的核心模块带隙基准模块采用二阶温度补偿结构,测试结果表明该芯片在1.8V电源电压下,能稳定输出0.9V电压,功耗约为46.5μW,在-40~120℃内温度系数约为29×10^(-6)/℃,电源抑制比为-76.8dB。

一种低电源电压的多通道UART设计

为了满足复杂控制场合中多点通讯、低功耗、高速率以及低错误率等的要求,提出了一个低电源电压的多通道通用异步收发器(URAT,Universal Asynchronous Receiver and Transmitter)设计方案。每个通道独立控制,发送端和接收端配置的FIFO(First In First Out)在高速数据传输期间可临时存储数据以免数据丢失。采用自上而下的设计方法,使用Cadence工具进行合成与仿真。测试结果表明,该电路满足设计要求,仿真波形验证了数据收发的完整性。

一种低电源电压高精度带隙基准源的设计

如果要设计一个低电源电压的带隙基准源,就会遇到电源电压和带隙基准参考的性能之间的矛盾,这是因为带隙基准本身的失调和1/f噪声(又称闪烁噪声)所致。通过斩波技术的应用,带隙基准的输出精度得到大幅度的提升,同时1/f噪声也得到了有效的抑制。

应用于卫星调谐器的宽频带和低电源电压集成电路

三种可在５Ｖ低电源电压下工作的，应用于卫星调谐器的集成电路「ＲＦＡＭＰＩＣ（射频放大器集成电路），ＭＩＸ／ＡＧＣＩＣ（混凝器／自动增益控制集成电路），和ＦＤＥＭＯＤＩＣ（频率调制解调集成电路）」新近已设计成功。

一种用于A/D转换器的低电压CMOS带隙电压基准源

设计了一种在1V电压下正常工作的用于A/D转换器的低功耗高精度的CMOS带隙电压基准.电路主要包括了一个带隙基准和一个运放电路,而且软启动电路不消耗静态电流.电路采用0.18μm CMOS工艺设计.仿真结果显示,温度从-40-125℃,温度系数约为1.93ppm/℃,同时电源抑制比在10kHz时为38.18dB.电源电压从0.9V到3.4V变化时,输出电压波动保持在0.17%以内;电路消耗总电流为5.18μA.

一种基于新的偏置电路的低电压带隙基准电压源设计

通过设计带隙基准电压源中共源共栅电流镜的偏置电路以实现低电源电压工作。该偏置电路原理是利用一个始终工作在线性区的MOS管来使共源共栅电流镜的两个级联管均工作在饱和区边缘提高输出电压摆幅,从而降低电源电压。电路基于Chartered0.25μmN阱CMOS工艺实现,Hspice仿真结果与分析计算结果相符。基于这种偏置电路所设计的带隙基准电压源最低工作电压仅为2V,温度系数为12×10-5/℃,电源抑制在频率为1～10kHz时为-98dB,1MHz～1GHz时为-40dB。

一个低压高阶曲率补偿的CMOS带隙基准电压源的设计

运用带隙基准的基本原理，采用0．6μm的CMOS工艺，对一个低压高阶曲率补偿的高性能CMOS带隙基准电压源进行研究，并结合所提出电路给出了高阶曲率补偿的数学表达式。Cadence软件仿真结果显示：电源电压最低可为1．2V，在-20～100℃温度范围内，输出电压为0．6V，温度系数为9．1ppm／℃，即基准输出电压随温度变化不超过±0．1％。低频（f=1kHz）时PSRR为-78dB。在室温电源电压为1．2V时总功耗约为38μw。整个带隙基准电压源具有良好的综合性能。

一种宽电源电压范围的电流基准电路

提出了一种新型带隙基准结构,该电路结构用于在大范围电源电压下产生高精度与温度成正比的电流源.通过将三极管作为运放的输入端,预先产生一个与温度成正比的电压差,来降低运算放大器失调电压的影响,同时降低带隙基准电路对电源电压的要求.通过0.18μm CMOS工艺搭建电路进行功能与性能的仿真验证,仿真结果表明该电路在电源电压从1.1V变化到4.8V,输出为2μA时,电流偏差不到2nA,电源抑制比达到100dB.在用于温度测量时可以显著减小由电源电压变化引起的误差.

高精度、宽容限电源电压检测电路的设计

本文详细介绍了电源电压检测电路从电路要求到电路设计,从电路仿真验证到版图设计的整个模拟电路设计流程。着重讨论了如何降低电源电压、温度及工艺等变化对电路精度的影响,使设计的电源电压检测电路具有精度高,电压、工艺、温度容限宽的特点。

使用标准稳压器产生极低电压

问题:有什么好的解决方案可以产生只有几百毫伏的微型直流电源电压?答案:只需将一个干净的外加正电压连接至DC-DC转换器的反馈电阻即可。在过去的几年里,由于微控制器、CPU、DSP等数字电路的几何结构尺寸不断缩小,电子元器件的电源电压一直持续下降。在测量领域也有一些需要低电源电压的应用。

1.2V高线性度低噪声折叠混频器设计

设计一种工作在1.2 V低电源电压下的折叠混频器。混频器电路采用折叠结构和电流复用技术,降低电源电压,减小直流功耗,降低噪声、提高增益和线性度。跨导级采用交流耦合互补跨导进一步降低电源电压。混频器设计基于SMIC0.18μm标准CMOS工艺。仿真结果表明:输入射频频率和输出中频频率为2.5 GHz和100 MHz时,IIP3为3.857 dBm,NF为5.257 dB,转换增益为9.787 dB,功耗为5.22 mW。

一种低压高速灵敏放大器电路的设计

提出了一种适合于低电源电压嵌入式闪存系统的高速高抗干扰能力的灵敏放大器。讨论了应用在这个灵敏放大器中的多相位预充、自调节负载及新型的箝位技术。提出的灵敏放大器电路在0.18μm的嵌入式闪存平台上实现。测试结果表明:提出的灵敏放大器达到9ns的访问时间。