Si^+/As^+双离子注入SI-GaAs对注入层电激活均匀性改善的研究

研究了单 (Si+ )双 (Si+ / As+ )离子注入半绝缘砷化镓 (SI-Ga As)电激活的均匀性 .结果表明 ,L ECSi-Ga As衬底中深电子陷阱能级 (EL 2 )均匀性分布好坏 ,对注入层电激活性有一定影响 .当 SI-Ga As中碳含量小于 5× 1 0 15cm- 3时 ,对注入层电激活影响不大 .采用多重能量 Si+注入 ,可改善栽流子纵向分布的均匀性 ,采用 Si+ / As+ 双离子注入可改善 L EC SI-Ga As衬底中 EL 2横向不均匀分布对电激活均匀性的影响 ,可获得注入层横向的电激活 .

离子注入半绝缘GaAs电激活效率与电激活均匀性的研究

研究了Si+ 和Si+ /As+ 注入到HorizontalBridgman (HB)和LiquidEncapsulatedCzochralski(LEC)方法制备的半绝缘GaAs衬底电激活效率与均匀性。结果发现 :在相同条件下 (注入与退火 ) ,不同生长方法的半绝缘GaAs衬底电激活不同 ,通常电激活HB >LEC ,HBSI—GaAs(Cr)(1 0 0 )A面 >(1 0 0 )B面 ,Si+ /As+ 双离子注入电激活高于Si+ 注入。Si+ /As+ 注入的LECSI—GaAs(EL2 )可改善衬底中EL2横向不均匀分布对电激活均匀性的影响 ,可改善注入层内横向电激活均匀分布。剥离Hall测量表明 ,有源层电子迁移率分布均匀 ,近表面位量 ,可达 40 0 0cm2 /V .s。Raman谱显示 :Si+ /As+ 双注入可消除或减少与As空位 (VAs)有关的呈现正电性的复合体 ,这是提高注入层内在质量的重要原因。