第三届全国电真空器件标准化技术委员会成立大会圆满召开

日前，第三届全国电真空器件标准化技术委员会(简称电真空标委会)在北京举行成立大会。国家标准委高新部戴红和信息产业部科技司常利民到会并讲话。大会审议并通过了《全国电真空器件标准化技术委员会章程(草案)》和《全国电真空器件标准化技术委员会秘书处工作细则(草案)》。

电真空器件阴极的技术检测

本文探讨的是纯金属阴极、薄膜阴极和半导体阴极的检测。正确的检测方法对提高电真空器件的产品质量、寿命和可靠性都具有重要的意义。

大功率微波电真空器件技术国防科技重点实验室

大功率微波电真空器件技术国防科技重点实验室成立于1992年,由中国电子科技集团公司第十二研究所和电子科技大学两部分组成,主要开展大功率和高功率微波毫米波真空电子学的前沿科学、基础科学和应用基础研究。主要研究方向:大功率微波毫米波器件的理论和技术;

大功率微波电真空器件技术国防科技重点实验室

大功率微波电真空器件技术国防科技重点实验室成立于1992年,由中国电子科技集团公司第十二研究所和电子科技大学两部分组成,主要开展大功率和高功率微波毫米波真空电子学的前沿科学、基础科学和应用基础研究。

《真空电子器件生产线设备安装技术规范》第二次编制会议纪要

《真空电子器件生产线设备安装技术规范》(以下简称规范)第二次编制会议于2015年5月21日至23日在甘肃平凉市召开。参加会议的有工业和信息化部电子工业标准化研究院电子工程标准定额站、中国真空电子行业协会、中电科技集团公司第十二研究所、陕西宝光真空电器股份有限公司、东芝白云真开关管(锦州)有限公司、世源科技工程有限公司、南京三乐电子信息产业集团有限公司、甘肃虹光电子有限责任公司、黄石上方检测设备有限公司等9个单位的领导、专家和工程技术人员。

大功率太赫兹电真空器件的研究现状与应用

太赫兹科学技术是当前迅速发展的新兴领域,由于其具有许多独特的特性,在军事上具有重要应用前景。但目前仅有真空电子学的方法可以产生满足军事应用需求的高功率太赫兹辐射,因此大功率太赫兹电真空器件是研究热点之一。综述了大功率太赫兹电真空器件的研究现状,涉及太赫兹行波管、返波管、绕射辐射器件、扩展互作用器件、回旋管等,并分析了其应用情况及前景。

《真空电子技术》征稿启事

北京真空电子技术研究所建于1957年，是专门从事微波真空电子器件研制的大型综合性研究所，位于北京中关村科技园区酒仙桥电子城中心地带，占地面积23万平方米。是国务院首批具有硕士、博士学位授予权的单位，具有大功率微波电真空器件国家级重点实验室和电子科学与技术一级学科博士后流动站。建所以来，共取得国家级科研成果奖50余项，部级科研成果奖180余项，共研制微波电真空器件400余种。

北京真空电子技术研究所

北京真空电子技术研究所建于1957年，是专门从事微波真空电子器件研制的大型综合性研究所，位于北京中关村科技园区酒仙桥电子城中心地带，占地面积23万平方米。是国务院首批具有硕士、博士学位授予权的单位，具有大功率微波电真空器件国家级重点实验室和电子科学与技术一级学科博士后流动站。建所以来，共取得国家级科研成果奖50余项，部级科研成果奖180余项，共研制微波电真空器件400余种。

北京真空电子技术研究所

北京真空电子技术研究所建于1957年，是专门从事微波真空电子器件研制的大型综合性研究所，位于北京中关村科技园区酒仙桥电子城中心地带，占地面积23万平方米。是国务院首批具有硕士、博士学位授予权的单位，具有大功率微波电真空器件国家级重点实验室和电子科学与技术一级学科博士后流动站。建所以来，共取得国家级科研成果奖50余项，部级科研成果奖180余项，共研制微波电真空器件400余种。

北京真空电子技术研究所

北京真空电子技术研究所建于1957年,是专门从事微波真空电子器件研制的大型综合性研究所,位于北京中关村科技园区酒仙桥电子城中心地带,占地面积23万平方米。是国务院首批具有硕士、博士学位授予权的单位,具有大功率微波电真空器件国家级重点实验室和电子科学与技术一级学科博士后流动站。建所以来,共取得国家级科研成果奖50余项,部级科研成果奖180余项,共研制微波电真空器件400余种。

北京真空电子技术研究所

北京真空电子技术研究所建于1957年，是专门从事微波真空电子器件研制的大型综合性研究所，位于北京中关村科技园区酒仙桥电子城中心地带，占地面积23万平方米。是国务院首批具有硕士、博士学位授予权的单位，具有大功率微波电真空器件国家级重点实验室和电子科学与技术一级学科博士后流动站。建所以来，共取得国家级科研成果奖50余项，部级科研成果奖180余项，共研制微波电真空器件400余种。

北京真空电子技术研究所

北京真空电子技术研究所建于1957年,是专门从事微波真空电子器件研制的大型综合性研究所,位于北京中关村科技园区酒仙桥电子城中心地带,占地面积23万平方米。是国务院首批具有硕士、博士学位授予权的单位,具有大功率微波电真空器件国家级重点实验室和电子科学与技术一级学科博士后流动站。建所以来,共取得国家级科研成果奖50余项,部级科研成果奖180余项,共研制微波电真空器件400余种。

EVG集团为工程衬底和电源器件生产应用推出室温共价键合技术

微机电系统（M EMS）、纳米技术和半导体市场上领先的晶圆键合和光刻设备供应商EVG集团,日前宣布推出E VG 580 Com Bond,其是一款高真空应用的晶圆键合系统,使得在室温下的导电和无氧化共价键合成为可能。这一全新的系统以模块化平台为基础,可以支持大批量制造（HVM）的要求,非常适合不同衬底材料的键合工艺，从而使得高性能器件和新应川的出现成为可能。

EVG集团为工程衬底和电源器件生产应用推出室温共价键合技术

EVG 580ComBond集成先进的表面处理工艺,确保在无氧条件下键合并提高效率EVG集团,微机电系统(MEMS)、纳米技术和半导体市场上领先的晶圆键合和光刻设备供应商,日前宣布推出EVG 580ComBond-一款高真空应用的晶圆键合系统,使得室温下的导电和无氧化共价键合成为可能。这一全新的系统以模块化平台为基础,可以支持大批量制造(HVM)

用离子束技术改善材料电子发射特性的研究

本文用离子束技术，使铜网的二次电子发射系数降低，场发射性能得到改善，钼网的＂栅发射＂得到抑制。测量并讨论了逸出功变化对电子发射性能的影响，研究表明，离子束技术是改善材料电子发射性能的有效手段。

电真空玻璃的研究现状及进展

电真空玻璃是制造电真空器件的主要材料之一,它广泛应用于真空电子技术、微电子技术、激光和红外技术、电光源、高能物理等方面,在宇航、能源、汽车及化学工业等领域发挥着越来越重要的作用。本文对电真空玻璃的性能及组成与制备工艺作了较为详细的介绍,预测了电真空玻璃的发展方向。

第十六届国际真空电子学会议在北京召开

2015年4月27-29日,由北京真空电子技术研究所、电子科技大学、IEEE北京分会和微波电真空器件国家重点实验室联合主办的第十六届国际真空电子学会议(IEEE International Vacuum Electronics Conference,IVEC2015)在北京国际会议中心召开,大会主席为北京真空电子技术研究所所长、微波电真空器件国家重点实验室主任闫铁昌,技术程序委员会主席为北京真空电子技术研究所副总工程师、IEEE Beijing Section主席、微波电真空器件国家重点实验室副主任冯进军。本次会议有来自美、英、法、俄、日、德。

真空分接开关技术的论述(3)

1．5真空电弧的特性 真空管是利用高真空工作绝缘灭弧介质，靠密封在真空中的一对触头来实现电力电路的通断功能的一种电真空器件。在它的触头开断过程中，必然伴随有电弧的产生和熄灭。这种真空电弧（见图5）的表现形式和特性与空气中电弧有着截然的区别。因此，有必要探讨真空电弧产生机理和真空电弧特性。