期刊文献+
共找到4篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
计及厚度下量子点量子比特的电磁场依赖性
1
作者 乌云其木格 尹洪武 +1 位作者 苏都 额尔敦朝鲁 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第4期552-559,共8页
在电子-体纵光学(Longitudinal optical,LO)声子强耦合条件下,采用LLP-Pekar型变分法推导出计及厚度下量子点中极化子的基态和第一激发态能量本征值和本征函数以及平均声子数的电磁场依赖性。在此基础上,以极化子的二能级结构为载体构... 在电子-体纵光学(Longitudinal optical,LO)声子强耦合条件下,采用LLP-Pekar型变分法推导出计及厚度下量子点中极化子的基态和第一激发态能量本征值和本征函数以及平均声子数的电磁场依赖性。在此基础上,以极化子的二能级结构为载体构造了量子点量子比特。数值计算结果表明:量子比特的振荡周期T_0随量子点厚度L的增加而增大,随磁场的回旋频率ωc、电场强度F和电声子耦合强度α的增加而减小。量子比特的概率密度︱Ψ(ρ,z,t)~2︱随电子横向坐标ρ的变化呈现"正态分布"并受到量子盘厚度L和有效半径R_0的强烈影响,随电子纵向坐标z、角坐标φ和时间t作周期性振荡变化。消相干时间τ随磁场的回旋频率ω_c、色散系数η和电子-声子耦合常数α的增加而增大,随电场强度F、量子点厚度L和有效半径R_0的增加而减小。量子点的厚度是量子点量子比特的一个重要参数,理论上可以通过设计不同的量子盘厚度并结合调节外加电磁场的强度,达到调控量子比特振荡周期、消相干时间大小的目的。 展开更多
关键词 量子点的厚度 极化子 量子比特 电磁场依赖性
下载PDF
量子盘量子比特中电子的概率密度分布的电磁场依赖性
2
作者 尹洪武 苏都 额尔敦朝鲁 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2017年第1期10-14,25,共6页
基于Lee-Low-Pines幺正变换,采用Pekar型变分法研究了计及厚度下量子点中强耦合极化子的基态和第一激发态能量本征值和本征函数,在此基础上,以极化子的二能级结构为载体构造了量子点量子比特。数值结果表明:量子比特的概率密度Ψ(ρ,z,... 基于Lee-Low-Pines幺正变换,采用Pekar型变分法研究了计及厚度下量子点中强耦合极化子的基态和第一激发态能量本征值和本征函数,在此基础上,以极化子的二能级结构为载体构造了量子点量子比特。数值结果表明:量子比特的概率密度Ψ(ρ,z,t)2分别随磁场的回旋频率ωc、电声子耦合强度α以及量子盘厚度L的增加而减小;概率密度Ψ(ρ,z,t)2随量子盘有效半径R0的增加而增大并呈现近似"Γ型"曲线;概率密度Ψ(ρ,z,t)2随电子横向坐标ρ的变化呈现"正态分布",其形状受到量子盘有效半径R0或厚度L的影响显著;Ψ(ρ,z,t)2随纵向坐标z、时间t和角坐标φ作周期性振荡变化。 展开更多
关键词 量子点的厚度 极化子 量子比特 电磁场依赖性
下载PDF
High-Order Energy Decay for Structural Damped Systems in the Electromagnetical Field
3
作者 Daoyuan FANG Xiaojun LU Michael REISSIG 《Chinese Annals of Mathematics,Series B》 SCIE CSCD 2010年第2期237-246,共10页
This paper is concerned with the decay estimate of high-order energy for a class of special time-dependent structural damped systems represented by Fourier multipliers. This model is widely used in the fields of semic... This paper is concerned with the decay estimate of high-order energy for a class of special time-dependent structural damped systems represented by Fourier multipliers. This model is widely used in the fields of semiconductivity, superconductivity, electromagnetic waves, electrolyte and electrode materials, etc. 展开更多
关键词 High-order energy VISCOELASTICITY Structural dissipation Electromagnetical field SUPERCONDUCTIVITY
原文传递
Room-temperature magnetoresistance in a-C:Co/Si system
4
作者 ZHANG Xin ZHANG XiaoZhong WAN CaiHua 《Science China(Physics,Mechanics & Astronomy)》 SCIE EI CAS 2011年第7期1213-1217,共5页
Three types of a-C:Co/Si samples were fabricated using the pulsed laser deposition: Co2-C98/8i with Co dispersed in the a-C film, Co2-C98/Si with Co segregated at the interface, and a-C/Co/Si with Co continuously dist... Three types of a-C:Co/Si samples were fabricated using the pulsed laser deposition: Co2-C98/8i with Co dispersed in the a-C film, Co2-C98/Si with Co segregated at the interface, and a-C/Co/Si with Co continuously distributed at the a-C/Si interface. Both types of Co2-C98/Si samples had the positive bias-voltage-dependent magnetoresistance (MR) at 300 K, and all MRs had saturated behavior. The study on the electrotransport properties indicated that the MR appeared in the diffusion current region, and the mechanism of MR was proposed to be that the applied magnetic field and local random magnetic field caused by the superparamagnetic Co particles modulate the ratio of singlet and triplet spin states, resulting in the MR effect. In addition, the very different physical and structural properties of all samples revealed that Co played a crucial role in the room-temperature positive MR of a-C:Co/Si system. 展开更多
关键词 MAGNETORESISTANCE carbon film pulsed laser deposition
原文传递
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部