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电磁脉冲应力下MOS器件退化失效建模
1
作者
张芳
蔡金燕
朱艳辉
《电子质量》
2008年第10期42-44,共3页
通过分析电磁脉冲应力下,栅氧化层软击穿(MOS器件主要失效模式)的失效机理,得出结论:它符合基于随机过程的退化失效模型。根据此结论,提出利用该模型来描述电磁脉冲应力下MOS器件的退化失效过程,并给出相应的退化失效模型。同时针对退...
通过分析电磁脉冲应力下,栅氧化层软击穿(MOS器件主要失效模式)的失效机理,得出结论:它符合基于随机过程的退化失效模型。根据此结论,提出利用该模型来描述电磁脉冲应力下MOS器件的退化失效过程,并给出相应的退化失效模型。同时针对退化失效模型中的失效阈值问题,研究了随机失效阈值问题,分析了周期电磁脉冲应力下MOS器件的失效阈值问题,给出动态应力-强度干涉(SS)I模型。这些为更合理描述和分析MOS器件的退化失效问题提供了新的途径。
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关键词
栅氧化层软击穿
随机过程模型
动态
应
力-强度干涉模型
退化失效
电磁脉冲应
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职称材料
题名
电磁脉冲应力下MOS器件退化失效建模
1
作者
张芳
蔡金燕
朱艳辉
机构
军械工程学院光学与电子工程系
驻
出处
《电子质量》
2008年第10期42-44,共3页
文摘
通过分析电磁脉冲应力下,栅氧化层软击穿(MOS器件主要失效模式)的失效机理,得出结论:它符合基于随机过程的退化失效模型。根据此结论,提出利用该模型来描述电磁脉冲应力下MOS器件的退化失效过程,并给出相应的退化失效模型。同时针对退化失效模型中的失效阈值问题,研究了随机失效阈值问题,分析了周期电磁脉冲应力下MOS器件的失效阈值问题,给出动态应力-强度干涉(SS)I模型。这些为更合理描述和分析MOS器件的退化失效问题提供了新的途径。
关键词
栅氧化层软击穿
随机过程模型
动态
应
力-强度干涉模型
退化失效
电磁脉冲应
Keywords
gate oxide soft breakdown
stochastic process model
stress-strength interference model
degradation failure
electromagnetic pulse stress
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
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被引量
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1
电磁脉冲应力下MOS器件退化失效建模
张芳
蔡金燕
朱艳辉
《电子质量》
2008
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