快速瞬态过电压激励下二次电缆终端传导和辐射干扰水平对比研究

气体绝缘变电站(gas-insulated substation,GIS)中隔离开关操作产生的瞬态电磁过程是影响智能组件正常工作的主要电磁干扰源,其在二次电缆的传导耦合和辐射耦合干扰分量大的大小研究较少。通过252 k V GIS真型实验平台模拟了变电站快速瞬态过电压(very fast transient overvoltage,VFTO)产生电磁干扰;测量了不同屏蔽措施条件下二次电缆两端干扰电压水平,得到了电缆端口干扰电压的时域和频域特性。通过统计分析发现辐射耦合是干扰电压产生的主要方式;因此为保证二次电缆安全稳定工作,变电站二次电缆应采取良好的屏蔽措施。