PuH分子的势能函数与垂直电离势的理论计算

用密度泛函B3LYP方法计算得到PuH分子基态X8Σ- ,PuH+分子离子基态X7Σ- 和PuH2 +分子离子基态X8Σ- 的势能函数、力常数与光谱数据 ,并算出PuH分子的垂直电离势 .

溴化硼分子及离子的势能函数与垂直电离势

为了弄清BBr在金属蚀刻中的机理 ,需了解BBrn(n =0、+ 1、+ 2 )分子及离子体系势能函数和稳定性的信息 ,用原子分子反应静力学原理推导出了BBrn(n =0、+ 1、+ 2 )的基态电子状态及其离解极限 .基于cc pVDZ基组 ,用B3LYP方法计算了他们的平衡几何、电子状态 ,在此基础上分别计算了BBr、BBr+ 的Murrell Sorbie解析势能函数和BBr2 + 的解析势能函数及其对应的力常数、光谱参数 .BBrn(n =+ 1、+ 2 )离子的垂直电离势为 :I+ =9.583 675eV ,I+ + =2 9.3 4 2 3 4eV .计算表明 ,BBr+ 、BBr2 + 的势能曲线均具有对应于稳定平衡结构的极小点 ,说明BBr+ 、BBr2 +

C^2分子的分析势能函数与垂直电离势

用ａｂｉｎｉｔｉｏ计算方法和实验光谱数据分别导出Ｃ２分子基态Ｘ１Σ＋ｇ和激发态ｄ３Πｇ的Ｍｕｒｅｌ－Ｓｏｒｂｉｅ函数，同时用ＱＣＩＳＤ／６－３１１Ｇ方法优化出Ｃ－２、Ｃ＋２、Ｃ２＋２分子离子基态的平衡核间距，算出Ｃ２分子的垂直电离势，计算数据与实验光谱数据进行了比较。

重元素高阶电离势的计算

本文采用相对论多组态方法对部分重元素的高阶电离势进行了计算，对计算方法和其它近似计算进行了比较，指出在相对论性计算中由Ｋｏｏｐｍａｎｓ定理仍能得到近似的电离势值。

高剥离态Au、U离子电离势的相对论计算

采用全相对论量子力学GRASP2程序平均能级AL模型,考虑到核的有限体积效应、Breit和QED效应,系统地计算了金和铀的高剥离态的部分离子态的电离势,将所得的计算结果和文献报道的实验值进行比较。结果表明,考虑高剥离态原子的高阶修正后,高剥离态离子的电离势的计算值与实验数据之间的误差基本消除。

氧化物超导体的电离势研究

本文提出了平均电离势<U_0>的概念,并对氧化物超导体的平均电离势进行了研究.结果表明,具有超导电性的氧化物其<U_0>值比较集中,在10.20～10.50eV的范围内,而非超导氧化物的<U_0>值比较分散.这可做为氧化物超导电性的一个标志或判据.在Y(123)中,氧含量的变化导致T_c随<U_0>的增加而增加,但阳离子的变化则导致T_c随<U_0>的增加而减小.不过两者都是通过改变体系<U_0>值而引起T_c变化的.<U_0>与超导电性存在着密切的联系.

基态Se2^x（x=0，-1，＋1，＋2）分子离子的势能函数与垂直电离势

用原子分子反应静力学原理推导出了Se2x(x=0,+1,-1,+2)分子离子的基态电子状态及其离解极限.在6-311G**水平基础上,用B3LYP方法计算了Se2x(x=0,-1,+1,+2)分子离子的基态电子状态的平衡几何Re和离解能De及谐振频率;并在计算出来的一系列单点能基础上,用正规方程组拟合Murrell-Sorbie(M-S)势能函数,得到相应态的解析势能函数,由此计算对应的光谱参数和力学性质;计算了Se2+、Se22+的垂直电离势;计算表明Se2x(x=0,+1,-1,+2)分子离子是可稳定存在的.

苯酚钾及对位取代苯酚钾的电离势

在我们以前的研究工作中发现,酚类钾盐是很好的电荷给体,可以和顺丁烯二酸酐、三硝基苯以及醌类等电荷受体生成电荷转移(CT)络合物。表示分子的给电子能力的参数是分子的第一电离势(简称为电离势I_p)。对于苯酚的I_p值,近年来已有文献记载。

Cu_2团簇分子的垂直电离势和电子亲合能的理论计算

利用含有电子相关效应校正的密度泛函理论DFT中的B3LYP方法 ,选择LANL2DZ双 ζ基组 ,对Cu2 分子及其分子离子的势能函数进行理论研究。计算得到Cu2 ,Cu+ 2 ,Cu2 + 2 ,Cu-2 和Cu2 -2 基电子状态分别是 :1Σg+ ,2 Σg ,1Σu ,2 Σu和1Σg ,导出了相应的分子及分子离子的解析势能函数 ,并计算出Cu2 分子的垂直电离势和电子亲合能。

铬的电离势及类氦Cr^(22+)的E2和M1光谱跃迁的全相对论计算

基于相对论多组态自洽场方法 ,计算了CrⅠ至CrⅩⅩⅣ离子的基态能量和各价电离势 ,类氦Cr2 2 +离子的电四极矩和磁偶极矩光谱跃迁数据。计算中考虑了核的有限体积效应、Berit修正、QED修正和轨道极化效应。计算结果与文献的实验和计算值进行了比较。

镧系元素的静电排斥参数和价轨道电离势的半经验公式

根据由光谱数据求得的镧系元素静电排斥参数和价轨道电离势,用最小二乘法拟合出它们的半经验公式,可用以求得各种组态下的镧系元素原子和离子的未知VOIP值与未知Slater和Racah参数值。

氯化硼分子及离子的势能函数与垂直电离势

用原子分子反应静力学原理推导出了BCln(n =0、+1、+2 )分子及离子的基态电子状态及其离解极限 .基于cc pVDZ水平基组 ,用B3LYP方法计算了其分子及离子的平衡几何、电子状态 ,在此基础上分别计算了BCl、BCl+ 的Murrell Sorbie(M S)解析势能函数和BCl2 + Zhu Wang(ZW)解析势能函数及其对应的力常数、光谱参数 .计算表明BCl+ 、BCl2 + 势能曲线均具有对应于稳定平衡结构的极小点 ,说明BCl+ 、BCl2 + 可稳定存在 .

卤代甲烷的赝势从头算研究——1.CH_3X(X=F,Cl,Br,I)的化学键和电离势

我们使用相对论赝势从头计算方法系统地研究了CH_3X(X=F,Cl,Br,I)系列分子的电子结构及其变化规律,并根据Koopmans定理指定了光电子能谱。

类锂离子内壳激发1s2S^(22)S态的电离势和Auger跃迁率

采用鞍点变分方法和鞍点复数转动方法,并考虑相对论修正、质量极化效应,计算了类锂等电子系列(Z=10～20)1s^2s^(22)S态的电离势、Auger跃迁率和辐射跃迁率.同时还计算了QED效应和高阶相对论修正对电离势的贡献.

类氢氖基态电离势随等离子体温度密度的变化

采用自洽场离子球模型,研究类氢氖基态1s的电离势随等离子体电子温度及电子密度的变化规律,计算得到基态电离势的百分偏移量随等离子体电子密度的变化关系,拟合结果表明两者的对数值满足很好的线性关系.该结果对计算等离子体电离态分布及光谱模拟具有一定意义.

XF_3(X=N,P,As)分子价层电离势的三阶代数图-表构建法计算

应用三阶代数图-表构建法（third-order algebraic diagrammatic construction scheme 简写为 ADC （3））计算了XF3（X=N,P,As）的价层垂直电离势（VIP）.结果表明：内壳层电子关联对电离主峰位置影响非常小；来自不同理论结果的分子结构对电离主峰位置有较小影响；基组差异则表现的非常明显.由计算值和实验结果比较可知：在实验分子结构和 cc-pVDZ基组下,应用 ADC（3）得到的电离势与实验值整体上差距最小；ADC（3）计算的第一电离势往往小于实验值约0.4～0.8 eV,其余主峰位置与实验值差距约0.01～0.3 eV；随基组增大,ADC（3）结果与实验值偏差明显增大.因此,利用 ADC（3）方法计算价层电离势时,建议使用价层电子关联,基组则采用 cc-pVDZ或DZP,结构除采用实验外也可直接从耦合簇、密度泛函等理论获得.

元素的第一电离势与核外电子排布的关系

本文阐述元素的第一电离势与周期和主族之间的关系。

2,6-二巯基嘌呤分子电离势和电子亲合能的密度泛函理论研究

采用密度泛函(DFT)B3LYP/6-311G**方法,对可能存在的33种2,6-二巯基嘌呤互变异构体在气相和水相中进行了几何构型全自由度优化,并计算出最高占据轨道能量(即HOMO能量)和最低空轨道能量(即LUMO能量)及各异构体的第一电离势、电子亲合能、最高占据轨道和最低空轨道之间的能级间隙、费米能级等参数.分析讨论了各异构体在气相和水相中的化学活性,为该分子药理活性的实验研究提供了有价值的参考信息.

计算元素电离势的新方法

根据中心力场模型 ,应用数学插值原理发展了一种计算元素电离势的新方法 ,据此可根据已知元素的电离势对其它元素的电离势进行计算或预测 对 2 0 0多个数据点的计算结果表明 ,元素电离势计算值与实验值的一致性令人满意 ,平均误差 1

失屏、钻穿、电荷效应及电离势计算方法的改进

本文提出了多电子原子及离子体系Ｈａｍｉｌｔｏｎ算符中势函数的新表达式，并由此从Ｓｃｈｒｏｄｉｎｇｅｒ方程出发导出了文献［１０］计算电离势的公式。根据原子光谱实验数据对文献［１０］提出的失屏参数、钻穿参数和电荷参数进行了改进。验证表明，应用本文改进后的参数计算所得１－１０３号元素的原子及离子的电离好的结果较前人方法更接近实验值，且本研究工作为预测尚无实验数据的原子及离子的电离势提供了一种简便可靠的方法。