环境温度、电离辐射剂量率对NMOSFET器件特性参数的影响

研究了辐射环境温度、辐射剂量率、退火温度和退火偏置对 CC40 0 7NMOS器件阈值电压的影响 .研究发现 ,低温 (- 30℃ )辐照感生的氧化物陷阱电荷比室温 (2 5℃ )多 ,界面态电荷比室温要少 ;受不同 γ剂量率辐射时 ,阈值电压的漂移程度不一样 ,在总剂量相同情况下 ,辐射剂量率高时 ,阈值电压的漂移量也大 ;辐照后 ,NMOS器件 10 0℃退火速度要大于 2 5℃退火速度 ,+5 V栅偏压退火情况要大于浮空偏置情况 .

GaAs 10 bit DAC的抗辐射设计和实验

通过分析砷化镓(GaAs)器件的电离辐射剂量率辐照机理和效应,结合电路结构,描述了砷化镓10 bit数模转换器(DAC)的电离辐射剂量率辐射效应、抗辐射设计和辐照实验。在电路设计上,10 bit DAC由两个5 bit DAC组成,通过芯片内部合成10 bit DAC,有效降低了芯片面积和制造工艺难度;通过分析电路的电离辐射剂量率辐射效应,针对敏感电路进行局部电路的抗辐射设计,提高电路抗辐射能力;结合实验条件和器件引线分布,设计合理的辐照实验方案,开发辐照实验电路板,进行辐照实验,获得科学的实验结果,验证电路的抗辐射能力。实验结果表明该数模转换器能够抗3×1011rad(Si)/s剂量率的瞬时辐照。

低剂量/低剂量率电离辐射对人体健康的影响

与高剂量电离辐射相比,人类更容易暴露在低水平电离辐射环境下。辐射流行病学及临床研究表明,低剂量/低剂量率电离辐射可诱发癌症,以及先天异常、心脑血管疾病、白内障等非癌疾病;此外,低剂量/低剂量率辐射亦可激发有益的健康效应。本文就低剂量/低剂量率电离辐射对人体的健康影响进行简要的回顾与探讨。

西咪替丁对伽马射线辐照小鼠免疫功能的保护作用

雄性C57小鼠60只平均分为6组:正常对照组(0 Gy)、模型对照组(1.0 Gy)、阳性药对照组(1.0 Gy+523片)、西咪替丁(Cimetidine,CMD)低、中、高剂量组(1.0 Gy+33.3、1.0 Gy+100、1.0 Gy+300 mg/kg),采用60Cog射线全身照射至吸收剂量1.0 Gy,剂量率为8.33 m Gy/min。CMD于照射前连续灌胃给药6 d,每天1次,照射后5 h给药1次。照射后24 h检测脾脏淋巴细胞凋亡率、T淋巴细胞亚群、B淋巴细胞数和血清中IL-2、IL-4、IL-6、IL-12、IFN-g和TNF-α含量。结果表明:与正常对照组比较,照射后24 h,小鼠脾脏淋巴细胞凋亡率显著增加(p<0.01),CD3^+、CD3^+CD8^+T细胞和CD3^-CD19^+B细胞数量均下降(p<0.01),血清中的IL-4、IL-12和TNF-α含量显著降低(p<0.01,p<0.05);与辐照模型组比较,CMD各剂量组脾脏淋巴细胞凋亡率显著下降(p<0.01),CMD给药组血清中IL-4、IL-6、IL-12、TNF-α和(40)FN-g含量显著增加(p<0.01,p<0.05),CMD高剂量组的CD3^+、CD3^+CD4^+和CD3^+CD8^+T细胞及CD3^-CD19^+B细胞数量均显著上升(p<0.01,p<0.05)。结果提示,CMD可有效改善g射线辐照小鼠的免疫功能,具有较好的辐射保护作用。