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SOIM新结构的制备及其性能的研究 被引量：2
1
作者 谢欣云 林青 +3 位作者 门传玲 刘卫丽 徐安怀 林成鲁 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第1期207-210,共4页
制备在以SiO2 为绝缘埋层的SOI材料上的电子器件存在着自加热问题 .为减少自加热效应和满足一些特殊器件 电路的要求 ,利用多孔硅外延转移技术制备出以二氧化硅和氮化硅为多绝缘埋层的SOI新结构 .高分辨率透射电镜和扩展电阻测试结果... 制备在以SiO2 为绝缘埋层的SOI材料上的电子器件存在着自加热问题 .为减少自加热效应和满足一些特殊器件 电路的要求 ,利用多孔硅外延转移技术制备出以二氧化硅和氮化硅为多绝缘埋层的SOI新结构 .高分辨率透射电镜和扩展电阻测试结果表明得到的SOIM新结构具有很好的结构和电学性能 ,退火后的氮化硅埋层为非晶结构 . 展开更多
关键词 制备 氮化硅薄膜 二氧化硅薄膜 SOIM新结构 多孔硅外延转移 电绝缘隔离性能
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