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单晶硅材料电致双折射的研究 被引量:2
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作者 张玉红 陈占国 +4 位作者 贾刚 时宝 任策 刘秀环 武文卿 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期165-168,175,共5页
首次测量了硅材料在1.3μm波长处,基于克尔效应和弗朗兹-凯尔迪什效应的电致双折射,进而计算出三阶非线性极化率张量(χ3)的分量x(χy3x)y.观测到弗朗兹-凯尔迪什效应引起的折射率变化与入射光的偏振态有关.在实验中,测得了由克尔效应... 首次测量了硅材料在1.3μm波长处,基于克尔效应和弗朗兹-凯尔迪什效应的电致双折射,进而计算出三阶非线性极化率张量(χ3)的分量x(χy3x)y.观测到弗朗兹-凯尔迪什效应引起的折射率变化与入射光的偏振态有关.在实验中,测得了由克尔效应引起的折射率之差为Δn=5.49×10-16E20,而弗朗兹-凯尔迪什效应引起的折射率之差为Δn′=2.42×10-16E20.5. 展开更多
关键词 克尔效应 弗朗兹-凯尔迪什效应 电致双折射 三阶非线性极化率张量 偏振态
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