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基于电致发光效应的光学电压传感器 被引量:17
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作者 李长胜 王伟岐 《中国光学》 EI CAS CSCD 2016年第1期30-40,共11页
本文综述了基于电致发光效应的光学电压传感器机理、分类及其主要特性,分析总结了此类传感器的研究现状及其存在的主要问题,同时提出未来研究课题的建议。电致发光型电压传感器的主要优点在于不需要载波光源,因而可以有效避免以往光学... 本文综述了基于电致发光效应的光学电压传感器机理、分类及其主要特性,分析总结了此类传感器的研究现状及其存在的主要问题,同时提出未来研究课题的建议。电致发光型电压传感器的主要优点在于不需要载波光源,因而可以有效避免以往光学电压器中工作光源性能不稳定所引起的传感器性能变化;此外,此类电压传感器结构简单、体积小、重量轻、成本低,可以实现较高的性能价格比。今后研究的主要问题包括合理选择电压传感材料与器件、提高传感器的温度和湿度稳定性等。电致发光型电压传感器在电力工业和航空航天等领域的科学研究与实验中将具有广泛的应用前景。 展开更多
关键词 光学压传感器 电致发光效应 致发光材料 发光二极管
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基于电致发光效应的非接触式碳化硅MOSFET结温在线检测方法研究 被引量:4
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作者 冒俊杰 高洪艺 +3 位作者 李成敏 罗皓泽 李武华 何湘宁 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2022年第3期1092-1102,共11页
碳化硅(silicon carbide,SiC)金属半导体场效应管(metal semiconductor field effect transistor,MOSFET)以其优异的材料特性成为一种很有前景的高功率密度和效率的器件,其工作结温是评估器件运行可靠性的关键指标。文中提出一种基于SiC... 碳化硅(silicon carbide,SiC)金属半导体场效应管(metal semiconductor field effect transistor,MOSFET)以其优异的材料特性成为一种很有前景的高功率密度和效率的器件,其工作结温是评估器件运行可靠性的关键指标。文中提出一种基于SiC MOSFET体二极管电致发光效应的非接触式的在线结温检测方法。首先从理论角度分析SiC MOSFET体二极管电致发光的原理,并对电致发光的光谱特性进行研究,分析和比较可用于结温测量的3种温敏光参数。其次通过检测具备负温度系数的发光峰光强,并辅以对SiC MOSFET体二极管导通电流的检测,实现了结温的动态提取,检测分辨率达3.1mV/℃。并且在Buck电路中验证该方法的可行性,检测误差在±3℃以内。该方法基于SiC MOSFET体二极管的电致发光检测,具备固有电气隔离的特点,特别适用于高压应用场合下SiC MOSFET的非接触式结温检测。 展开更多
关键词 电致发光效应 SiC MOSFET 可靠性 温敏光参数 结温检测
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基于电致发光效应的绝缘子表面场强测量方法 被引量:5
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作者 杨欣颐 贾云飞 +3 位作者 高璐 汲胜昌 李志兵 刘焱 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第4期1411-1419,共9页
由于电场探头在测量绝缘子表面场强分布时会产生畸变,为了更加准确地测量绝缘子表面场强分布,基于ZnS:Cu的电致发光效应,提出了一种非接触式测量绝缘子表面场强分布的试验方法。该方法是在绝缘子表面喷涂掺有ZnS:Cu电致发光粉末的环氧... 由于电场探头在测量绝缘子表面场强分布时会产生畸变,为了更加准确地测量绝缘子表面场强分布,基于ZnS:Cu的电致发光效应,提出了一种非接触式测量绝缘子表面场强分布的试验方法。该方法是在绝缘子表面喷涂掺有ZnS:Cu电致发光粉末的环氧树脂涂料,并对其在高场强下的发光进行拍摄,利用图像处理的方法得到绝缘子表面场强的分布。首先在结构较为简单的圆盘绝缘子上进行了可行性验证,在圆盘绝缘子的大部分区域上实现了平均误差为3%的测量;然后将该方法推广至盆式绝缘子,测量所得结果与仿真结果较相符。结果表明:电致发光效应可应用于绝缘子表面场强分布的测量,该方法不会使绝缘子的表面场强发生畸变,为绝缘子表面场强分布的测量提供了一种新思路。 展开更多
关键词 ZnS:Cu 电致发光效应 盆式绝缘子 表面场强 非接触式测量
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ZnS…Cu电致发光电压传感器及其温度漂移补偿 被引量:9
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作者 李长胜 陈佳 +1 位作者 王伟岐 郑岩 《中国光学》 EI CAS CSCD 2017年第4期514-521,共8页
利用ZnS…Cu电致发光粉末与环氧树脂胶混合,设计制作了一种梯形电极结构的电压传感单元,实现了电致发光电压传感器输出信号的温度漂移补偿。电致发光电压传感信号通过2根塑料光纤传输到2个硅光电探测器,并选择其开路电压作为传感器的输... 利用ZnS…Cu电致发光粉末与环氧树脂胶混合,设计制作了一种梯形电极结构的电压传感单元,实现了电致发光电压传感器输出信号的温度漂移补偿。电致发光电压传感信号通过2根塑料光纤传输到2个硅光电探测器,并选择其开路电压作为传感器的输出信号。在同一外加电压条件下,梯形电极区域内的电场分布是不均匀的,因而不同场点的发光亮度不同。通过测量梯形电极区域内2个不同发光点的发光强度随外加电压的变化,并对两路输出电压传感信号进行数据拟合与计算,可获知被测电压的有效值,并可实现对输出信号温度漂移的补偿。在-40~60℃范围内,采用上述温度漂移补偿方法测量了有效值在0.7~1.5 k V范围内的工频电压,传感器输出信号的非线性误差低于1.6%,验证了该温度漂移补偿方法的有效性。 展开更多
关键词 光学压传感器 电致发光效应 压测量 温度漂移补偿
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ZnS:Cu电致发光薄膜的交流电压传感特性 被引量:4
5
作者 陈佳 李长胜 +1 位作者 郭素文 郑岩 《激光杂志》 北大核心 2016年第11期6-9,共4页
实验研究了ZnS:Cu电致发光薄膜材料的交流电压传感特性。将被测交流电压直接施加于电致发光薄膜样品,通过测量样品的发光亮度与外加电压之间的关系实现了电压测量。在25℃室温条件下,实验测量了有效值为50V至350V的工频交流电压,发现样... 实验研究了ZnS:Cu电致发光薄膜材料的交流电压传感特性。将被测交流电压直接施加于电致发光薄膜样品,通过测量样品的发光亮度与外加电压之间的关系实现了电压测量。在25℃室温条件下,实验测量了有效值为50V至350V的工频交流电压,发现样品的发光亮度与被测电压有效值之间具有较好的线性关系,实验数据的非线性误差低于2.8%;实验研究了样品的发光亮度、发光阈值电压以及击穿电压与被测电压频率之间的相关性。结果表明,该电致发光薄膜样品的发光亮度随被测电压频率变化关系曲线存在极大值,发光阈值电压和击穿电压均随被测电压频率的增加而降低。 展开更多
关键词 光学压传感器 电致发光效应 ZnS:Cu致发光薄膜
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利用发光磁效应研究同分异构体mCBP和CBP作为给体的激基复合物器件的微观过程 被引量:8
6
作者 宁亚茹 赵茜 +5 位作者 汤仙童 陈敬 吴凤娇 贾伟尧 陈晓莉 熊祖洪 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2022年第8期283-294,共12页
本文把同分异构体3,3’-Di(9H-carbazol-9-yl)biphenyl (m CBP)和4,4’-Bis(carbazol-9-yl)biphenyl (CBP)作为给体, PO-T2T作为受体,以质量比1∶1制备了两种激基复合物器件,并在不同温度和偏压下测量了器件的发光磁效应(magneto-electr... 本文把同分异构体3,3’-Di(9H-carbazol-9-yl)biphenyl (m CBP)和4,4’-Bis(carbazol-9-yl)biphenyl (CBP)作为给体, PO-T2T作为受体,以质量比1∶1制备了两种激基复合物器件,并在不同温度和偏压下测量了器件的发光磁效应(magneto-electroluminescence, MEL).发现室温下m CBP为给体的器件,其MEL的低磁场部分表现出反向系间窜越(reverse intersystem crossing, RISC)过程,降温时该RISC转变为系间窜越(intersystem crossing, ISC)过程;而CBP为给体的器件则表现出ISC过程,且降温时ISC过程先减弱后增强.室温下两种器件MEL的高磁场部分都体现为三重态激子与电荷的猝灭,但在20 K下CBP为给体的器件还出现了三重态-三重态激子湮灭.两种完全相反的低磁场线型与m CBP和CBP不同的结构导致三重态激子能量的高低有关.低温下微观过程的改变是因为低温不利于RISC过程、ISC过程和能量损失等演化通道.此外,当m CBP:PO-T2T质量比从1∶4到1∶1再到4∶1时,器件中的RISC过程越来越强,这是由于器件更趋平衡有利于RISC过程的结果.当以两种激基复合物为主体掺入TBRb荧光客体材料,在m CBP:PO-T2T为主体的器件中得到了更高的外量子效率.本工作为制备高效率激基复合物发光器件提供了实验和理论参考. 展开更多
关键词 激基复合物 致发光效应 三重态能量 反向系间窜越
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利用磁致发光曲线研究Rubrene器件中激子分裂和湮没过程 被引量:9
7
作者 陈秋松 袁德 +6 位作者 贾伟尧 陈历相 邹越 向杰 陈颖冰 张巧明 熊祖洪 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第17期334-341,共8页
为了研究Rubrene分子中激发态的能量共振和分子间π-π共轭的特性对有机磁效应的影响,本文制备了基于不同浓度和厚度的Rubrene有机发光器件,并在不同温度下测量了器件的电致发光磁效应(magnetoelectroluminescence,MEL).实验发现,发光层... 为了研究Rubrene分子中激发态的能量共振和分子间π-π共轭的特性对有机磁效应的影响,本文制备了基于不同浓度和厚度的Rubrene有机发光器件,并在不同温度下测量了器件的电致发光磁效应(magnetoelectroluminescence,MEL).实验发现,发光层中Rubrene的厚度和浓度均可以对器件中的MEL产生较大的影响,室温下MEL的高场值随Rubrene层厚度的增加而增加,并在30 nm之后逐步趋于饱和;随着Rubrene分子的浓度和测量温度的降低,MEL高场增加的幅度逐渐减小,甚至在低温时出现高场下降.通过对实验曲线进行数值拟合,认为Rubrene分子之间形成的π-π共轭结构有助于双分子相互作用的发生,单重态激子分裂、三重态激子之间的湮没和单一三重态极化子对的系间窜越三种过程在器件中相互竞争导致了所得MEL的变化.本工作有助于加深对有机光电子器件内部机理的认识. 展开更多
关键词 单重态分裂 三重态湮没 系间窜越 致发光效应
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超小磁场下Rubrene电致发光磁效应的演化 被引量:1
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作者 陈颖冰 向杰 +2 位作者 刘冬玉 胡叶倩 熊祖洪 《中国科学:技术科学》 EI CSCD 北大核心 2017年第1期39-45,共7页
制备了基于5,6,11,12-tetraphenylnaphthacene(Rubrene)的有机发光二极管,并测量器件在不同偏压与工作温度下电致发光的磁场效应(magneto-electroluminescence,MEL).实验发现:在室温下,MEL曲线在零磁场附近几毫特斯拉范围内为W线型;而... 制备了基于5,6,11,12-tetraphenylnaphthacene(Rubrene)的有机发光二极管,并测量器件在不同偏压与工作温度下电致发光的磁场效应(magneto-electroluminescence,MEL).实验发现:在室温下,MEL曲线在零磁场附近几毫特斯拉范围内为W线型;而当温度降低到75 K左右,该W线型消失,MEL却呈现出一种新的精细结构,即M型的超小场效应,这种演化过程在以前的文献中未见报道.分析表明:室温下MEL的W线型是极化子对(polaron pair,PP)的超精细相互作用和外磁场引起的塞曼作用对载流子自旋共同调控的结果;低温下MEL的M线型与三重态-三重态激子湮灭(triplet-triplet annihilation,TTA)过程相关,可以用零场劈裂与塞曼作用对三重态激子对(triplet pair state,(TT)i)演化过程的共同调控来解释.该发现不仅丰富了有机半导体中的磁现象,而且加深了对有机发光器件中激发态间自旋相互作用的认识. 展开更多
关键词 红荧烯 超小磁场 致发光效应 塞曼作用 零场劈裂
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有机发光掺杂器件中的反常磁效应 被引量:7
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作者 邓金秋 汤仙童 +4 位作者 潘睿亨 胡叶倩 朱洪强 熊祖洪 陈晓莉 《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第28期2974-2984,共11页
采用不同浓度的热活化延迟荧光(thermally activated delayed fluorescence,TADF)材料2,3,5,6-四(3,6-二苯基-9-咔唑基)-对苯二腈(2,3,5,6-tetrakis(3,6-diphenylcarbazol-9-yl)-1,4-dicyanobenzene,4CzTPN-Ph)为掺杂剂,三(8-羟基喹啉)... 采用不同浓度的热活化延迟荧光(thermally activated delayed fluorescence,TADF)材料2,3,5,6-四(3,6-二苯基-9-咔唑基)-对苯二腈(2,3,5,6-tetrakis(3,6-diphenylcarbazol-9-yl)-1,4-dicyanobenzene,4CzTPN-Ph)为掺杂剂,三(8-羟基喹啉)铝(tris-8-hydroxyquinoline aluminum,Alq3)为主体材料制备了发光层为Alq3:x%4CzTPN-Ph的有机发光二极管器件,并测量了室温下不同注入电流和不同掺杂浓度,以及固定某一电流和掺杂浓度在不同温度下器件的磁电致发光(magneto-electroluminescence,MEL)效应和磁电导(magneto-conductance,MC)效应.实验发现,在主客体掺杂类型器件中,与普通掺杂器件减小的磁效应相比,这种器件具有明显的反常磁效应——即表现出增强的MEL和MC幅值.以室温下注入电流为150μA的实验为例,发光层为Alq3:5%4CzTPN-Ph器件的MEL幅值在磁场为300m T处达到了10%左右,大约是参考器件(发光层为CBP:5%4CzTPN-Ph)的MEL幅值(~0.75%)的13倍,且该器件对应的MC幅值在磁场为300 m T处达到了6%左右,大约是此参考器件MC幅值(~0.12%)的50倍.此外,这种掺杂器件的MEL和MC明显受到掺杂浓度的调控,当掺杂浓度达15%左右时,MEL和MC幅值可达到最大值.在不同温度下,这种掺杂器件的MEL和MC值均随着温度的降低而减小.通过分析器件的能级结构和光谱可知,Alq3:4CzTPN-Ph器件具有主客体分子间特殊的能级排布,造成客体分子的能级陷阱较弱,外加磁场抑制三重态激子对电荷的散射作用(TQA)就可产生显著的MEL和MC幅值,从而得到不同于普通掺杂器件的反常磁效应.此外,由于TQA过程受三重态激子浓度与载流子浓度的影响,掺杂浓度和实验温度也能通过影响三重态激子浓度和载流子浓度来对TQA反应强弱进行调控,从而有效地调控这种反常磁效应.本研究工作有助于深入理解基于4CzTPN-Ph发光器件微观机制的演化过程,并将促进有机发光二极管在磁学器件方面的应用. 展开更多
关键词 热活化延迟荧光材料 电致发光效应 效应 散射过程 能级陷阱
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器件结构对激基复合物发光磁效应的影响 被引量:6
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作者 向杰 令勇洲 +2 位作者 陈颖冰 张巧明 熊祖洪 《中国科学:物理学、力学、天文学》 CSCD 北大核心 2015年第4期93-101,共9页
本文制备了一系列基于平面异质结和体异质结的激基复合物发光二极管,在20–300 K温度范围内测量了器件电致发光的磁效应(Magneto-Electroluminescence,MEL).实验发现:在温度较高时,两种不同的异质结器件的MEL呈现出相同的变化趋势,而在... 本文制备了一系列基于平面异质结和体异质结的激基复合物发光二极管,在20–300 K温度范围内测量了器件电致发光的磁效应(Magneto-Electroluminescence,MEL).实验发现:在温度较高时,两种不同的异质结器件的MEL呈现出相同的变化趋势,而在低温下(<100 K)却表现出截然不同的变化规律.即:在体异质结器件中,器件的MEL曲线始终未呈现出高场下降的现象;而在平面异质结器件中,当温度降为100 K时,其MEL曲线开始出现高场下降的现象,且温度越低,外加偏压越大,下降越明显.本文通过对两类器件的结构和能级排布分析,得出:平面异质结附近容易聚集大量的三重态激基复合物,从而易发生三重态的湮灭过程,在外加磁场下MEL表现出高场下降;而对于体异质结器件,由于形成的三重态激基复合物浓度较小,故难以发生三重态的湮灭过程.本文通过对激基复合物器件发光磁效应的研究,进一步丰富了激基复合物器件中激发态演化的微观机制,并对提高其发光效率也有一定的指导意义. 展开更多
关键词 平面异质结 激基复合物 致发光效应 三重态湮灭
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利用电致发光线的光学电压有效值传感器 被引量:11
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作者 姚健 李长胜 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第1期34-38,共5页
利用电致发光(EL)线设计并实验研究了一种光学电压有效值传感器。所用EL线的主要材料为ZnS:Cu,在一定幅值的工频电压作用下,可产生中心波长约为525nm的可见光;将此EL用塑料光纤(POF)传输到光电探测器(PD),则PD的开路电压与被测电压有效... 利用电致发光(EL)线设计并实验研究了一种光学电压有效值传感器。所用EL线的主要材料为ZnS:Cu,在一定幅值的工频电压作用下,可产生中心波长约为525nm的可见光;将此EL用塑料光纤(POF)传输到光电探测器(PD),则PD的开路电压与被测电压有效值之间具有近似线性关系。对100~500V工频电压有效值进行了实验测量,其电压测量灵敏度约为10.8μV/V,非线性误差低于1.8%。实验测量了所用EL线的电致发光光谱、输入阻抗以及EL的温度特性。与以往基于Pockels电光效应的光学电压传感器不同的是,本文提出的电压传感器不需要工作光源,并具有结构简单、成本低等优点。 展开更多
关键词 交流压测量 致发光(EL)效应 致发光(EL)线
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能量传输对基于4CzTPN-Ph发光器件磁效应的调控 被引量:1
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作者 邓金秋 汤仙童 +3 位作者 许静 潘睿亨 胡叶倩 熊祖洪 《中国科学:物理学、力学、天文学》 CSCD 北大核心 2019年第6期67-79,共13页
把三重态激子(T1)与单重态激子(S1)能量接近的典型热辅助延迟荧光材料4CzTPN-Ph作为掺杂客体,以具有不同T1能量的材料分别作为掺杂主体、空穴传输层和电子传输层,制备了一系列基于4CzTPN-Ph掺杂的有机发光二极管,并测量了这些器件在室... 把三重态激子(T1)与单重态激子(S1)能量接近的典型热辅助延迟荧光材料4CzTPN-Ph作为掺杂客体,以具有不同T1能量的材料分别作为掺杂主体、空穴传输层和电子传输层,制备了一系列基于4CzTPN-Ph掺杂的有机发光二极管,并测量了这些器件在室温下的磁电致发光效应(Magneto-Electroluminescence, MEL)和磁电导效应(Magneto-Conductance, MC),以及器件随温度变化的MEL和MC.实验发现:室温下,当空穴传输层、电子传输层和掺杂主体分别选用T1能量高低不同的材料时,各器件的MEL和MC在低磁场范围(|B|<20 mT)分别呈现出不同变化规律的线型,具体表现为当器件各功能层同时都选用较高T1能量的材料时,器件MEL的幅度在低磁场范围内表现出随注入电流的减小而变小的反常行为,并出现了由正到负的转变, MC曲线则表现出符号为负且其幅度随磁场的增加而变大的RISC属性;而当器件的空穴传输层、电子传输层或掺杂主体材料的三重态能量较低时, MEL和MC表现出减弱的RISC过程;并且,当电子传输层或掺杂主体选用三重态能量与4CzTPN-Ph接近的Alq3时, MEL和MC直接表现出类似未掺杂的Alq3荧光器件的线型.分析器件的能量传输过程可知, T1能量高低不同的空穴传输层、电子传输层或掺杂主体材料对4CzTPN-Ph三重态能量的束缚能力不同,造成各器件中T1激子不同的传输通道和能量损失,从而使各器件在低磁场范围出现了不同的MEL和MC线型.本研究不仅丰富了能量传输对4CzTPN-Ph发光器件内部机制的认识,同时也对TADF器件中三重态激子的可控应用提供了一定的理论参考. 展开更多
关键词 热活化延迟荧光 电致发光效应 效应 反向系间窜越 三重态激子 能量传输
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红荧烯客体分子掺入Alq_3和CBP主体的系间窜越的反常温度效应 被引量:6
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作者 汤仙童 许静 +4 位作者 邓金秋 潘睿亨 胡叶倩 熊祖洪 陈晓莉 《中国科学:物理学、力学、天文学》 CSCD 北大核心 2018年第11期52-61,共10页
为了研究基于红荧烯(Rubrene)发光器件的微观过程,本文分别选用CBP和Alq_3作为主体材料,制备了两种红荧烯掺杂器件,并在20–300 K温度范围测量了器件的电致发光磁效应(Magneto-Electroluminescence, MEL).实验发现器件的MEL曲线是由系... 为了研究基于红荧烯(Rubrene)发光器件的微观过程,本文分别选用CBP和Alq_3作为主体材料,制备了两种红荧烯掺杂器件,并在20–300 K温度范围测量了器件的电致发光磁效应(Magneto-Electroluminescence, MEL).实验发现器件的MEL曲线是由系间窜越(Intersystem Crossing, ISC)过程占主导的低场效应和三重态激子湮灭(Triplet-triplet Annihilation, TTA)过程占主导的高场效应两部分组成.与未掺杂的常规有机发光二极管相比,同一温度下,这3种器件的低场效应呈现出相同的变化趋势,不同温度下却表现出截然相反的变化规律.即:常规有机发光器件中的低场效应表现为ISC过程随着温度的降低而减弱,而红荧烯掺入Alq_3和CBP的器件的低场效应则表现为ISC过程随温度的降低而增强.通过分析器件的能级结构、主体发射谱和客体吸收谱可知,红荧烯掺入Alq_3和CBP的器件的微观机制包括载流子陷阱效应和F?rster能量转移过程,其中载流子陷阱效应主要影响MEL的高场效应且基本不受温度变化的影响.因此, ISC过程的反常温度效应则是由于F?rster能量转移过程在低温时被抑制,导致主体材料极化子对数量的增加和极化子对间的ISC作用增强.本研究有助于深入理解基于红荧烯发光器件微观机制的演化过程. 展开更多
关键词 红荧烯 致发光效应 系间窜越 载流子陷阱 Forster能量转移
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一种光电式电压传感器及其温度漂移补偿方法 被引量:10
14
作者 王伟岐 李长胜 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第9期1671-1677,共7页
提出了一种利用发光二极管(LED)电致发光(EL)效应的光电式电压传感器,其传感单元仅由一个电阻器和两个LED组成。被测交流电压施加于一个高阻值(例如100 MΩ)的电阻器,产生μA级的泄漏电流并驱动两个LED发光,用两根塑料光纤将此光强传输... 提出了一种利用发光二极管(LED)电致发光(EL)效应的光电式电压传感器,其传感单元仅由一个电阻器和两个LED组成。被测交流电压施加于一个高阻值(例如100 MΩ)的电阻器,产生μA级的泄漏电流并驱动两个LED发光,用两根塑料光纤将此光强传输至光电探测器,则通过测量光强度即可获知被测电压。选用阻值约为100 MΩ的电阻器,在室温条件下实验测量了0.2~5.5kV的工频电压,传感器输出与被测电压有效值之间存在较好的线性关系,其非线性误差低于3.1%。同时,提出并实验验证了一种利用两路光传感信号实现电压传感器输出随温度漂移的补偿方法,在5.5kV的被测电压范围及-40^+60℃的温度范围内,补偿后传感器输出的温度漂移约为±2.1%。本文的光电式电压传感器不需要额外光源,并具有结构简单、成本低等优点。 展开更多
关键词 压传感器 致发光(EL)效应 发光二极管(LED) 温度补偿
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红荧烯掺杂体系中激子反应的竞争行为 被引量:3
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作者 刘冬玉 向杰 +4 位作者 陈颖冰 臧克宽 邓军权 胡叶倩 熊祖洪 《中国科学:物理学、力学、天文学》 CSCD 北大核心 2017年第2期81-88,共8页
为研究红荧烯(5,6,11,12-Tetraphenylnaphthacene,Rubrene)掺杂体系中激子的反应过程,向主体材料Rubrene中掺入了1%的客体材料DBP(Tetraphenyldibenzoperiflanthene),制备了掺杂型Rubrene的有机发光器件.实验发现,其电致发光磁效应(Magn... 为研究红荧烯(5,6,11,12-Tetraphenylnaphthacene,Rubrene)掺杂体系中激子的反应过程,向主体材料Rubrene中掺入了1%的客体材料DBP(Tetraphenyldibenzoperiflanthene),制备了掺杂型Rubrene的有机发光器件.实验发现,其电致发光磁效应(Magneto-Electroluminescence,MEL)在室温下呈现出复杂的新特征线型:在外加磁场处于0–27mT范围内MEL随磁场的增加先小幅度上升,在27–200mT随磁场的增加迅速下降,最后200–500mT范围内再次上升.通过分析可知器件内存在3种激子反应过程:单重态-三重态激子淬灭(Singlet-Triplet Annihilation,STA)、三重态激子湮灭(Triplet-Triplet Annihilation,TTA)和单重态激子分裂(Singlet Fission,STT).可通过改变注入电流的大小调节三者的竞争:大注入电流时,器件主要是STA反应和TTA反应;注入电流逐渐减小的过程中,激子反应从以TTA为主逐渐过渡到以STT为主.同时也可通过改变掺杂层的厚度和掺杂层在器件结构中的位置,对这几种反应之间的竞争过程产生重要影响:掺杂层厚度越薄,STT越强,而STA和TTA越弱;掺杂位置越靠近阴极,STA和TTA越强,而STT越弱.这些实验发现不仅可加深对有机发光二级管中激子间相互作用的理解,也为进一步优化器件发光性能提供参考. 展开更多
关键词 致发光效应 单重态-三重态激子淬灭 三重态激子湮灭 单重态激子分裂
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激基缔合物器件中三重态-三重态湮灭的反常温度依赖关系 被引量:4
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作者 赵茜 汤仙童 +3 位作者 潘睿亨 许静 屈芬兰 熊祖洪 《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第24期2514-2522,共9页
激子型器件的电致发光磁效应(magneto-electroluminescence, MEL)已经被研究得比较透彻,而关于激基缔合物型器件的MEL还鲜有报道.本文制备了激基缔合物型有机发光二极管(organic light-emitting diodes, OLEDs),并测量了其在不同温度和... 激子型器件的电致发光磁效应(magneto-electroluminescence, MEL)已经被研究得比较透彻,而关于激基缔合物型器件的MEL还鲜有报道.本文制备了激基缔合物型有机发光二极管(organic light-emitting diodes, OLEDs),并测量了其在不同温度和注入电流下的MEL曲线.实验发现,激基缔合物型器件的MEL曲线由两部分组成:系间窜越过程决定的低场部分(|B|≤50 mT)和三重态-三重态湮灭(triplet-triplet annihilation, TTA)过程决定的高场部分(50mT<|B|≤300 mT),表明在不同温度和注入电流下,激基缔合物型器件中始终存在可以产生延迟荧光的TTA过程.然而在某一固定注入电流下,激基缔合物型器件的TTA过程具有与激子型器件相反的温度依赖关系,即激子型器件的TTA过程在低温下发生并随温度降低而增强,但激基缔合物型器件的TTA过程在室温下发生并随温度降低而减弱.激基缔合物型器件中TTA过程的这种反常温度依赖关系很好地弥补了以往只有在低温下才能利用TTA过程来提高器件发光效率的这一不足.通过分析器件的能级结构、电流-电压-发光特性曲线和光谱可知,激基缔合物型器件中TTA过程的反常温度依赖关系与三重态激基缔合物较长的寿命和低温对激基缔合物形成的抑制有关.本文的研究结果对提高OLEDs的发光效率具有一定的指导意义. 展开更多
关键词 激基缔合物 激子 三重态-三重态湮灭 致发光效应
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Effects of transparent MPTMS/Ag/MoO_3 structure as anode on the performance of green organic light-emitting diodes
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作者 胡俊涛 邓亚飞 +1 位作者 梅文娟 杨劲松 《Optoelectronics Letters》 EI 2015年第5期333-337,共5页
A transparent 3-mercaptopropyl trimethoxysilane(MPTMS)/Ag/MoO3 composite anode is introduced to fabricate green organic light-emitting diodes(OLEDs). Effects of the composite anode on brightness and operating voltage ... A transparent 3-mercaptopropyl trimethoxysilane(MPTMS)/Ag/MoO3 composite anode is introduced to fabricate green organic light-emitting diodes(OLEDs). Effects of the composite anode on brightness and operating voltage of OLEDs are researched. By optimizing the thickness of each layer of the MPTMS/Ag/MoO3 structure, the transmittance of MPTMS/Ag(8 nm)/Mo O3(30 nm) reaches over 75% at about 520 nm. The sheet resistance is 3.78 ?/□, corresponding to this MPTMS/Ag(8 nm)/MoO3(30 nm) structure. For the OLEDs with the optimized anode, the maximum electroluminescence(EL) current efficiency reaches 4.5 cd/A, and the maximum brightness is 37 036 cd/m2. Moreover, the OLEDs with the optimized anode exhibit a very low operating voltage(2.6 V) for obtaining brightness of 100 cd/m2. We consider that the improved device performance is mainly attributed to the enhanced hole injection resulting from the reduced hole injection barrier height. Our results indicate that employing the MPTMS/Ag/MoO3 as a composite anode can be a simple and promising technique in the fabrication of low-operating voltage and high-brightness OLEDs. 展开更多
关键词 anode brightness fabrication attributed reaches fabricate transparent transmittance optimizing interlayer
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