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柔性红外电致变发射率器件的制备及性能研究 被引量:1
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作者 姚萌 盘毅 +2 位作者 李华 信聪 王珲 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第8期5-6,共2页
采用质子酸掺杂聚苯胺(PANi)为电极材料,制成一种反射式结构柔性红外电致变发射率器件。当加上-0.8V和0.8V电压时,器件在8-12μm波段平均发射率变化幅度为0.5,颜色由深绿色变为绿色和墨绿色,响应时间约为40s,经过50次循环器件平均发... 采用质子酸掺杂聚苯胺(PANi)为电极材料,制成一种反射式结构柔性红外电致变发射率器件。当加上-0.8V和0.8V电压时,器件在8-12μm波段平均发射率变化幅度为0.5,颜色由深绿色变为绿色和墨绿色,响应时间约为40s,经过50次循环器件平均发射率变化幅度衰减14%。 展开更多
关键词 红外 电致变发射率 聚苯胺
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电致变红外热辐射调控器件研究进展 被引量:1
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作者 余慧娟 任子琛 +6 位作者 王博 徐高平 宋姗姗 刘东琦 郝婷婷 张雷鹏 李垚 《哈尔滨工程大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第4期511-518,共8页
航天器在轨运行时,面对复杂多变的外部热流环境以及内部热耗的显著差异,确保航天器各个功能部件满足预定温控要求,对其热控系统提出了更高的挑战。然而,传统的温度调控技术存在能耗大以及器件机械结构复杂的缺点,不适用于目前热辐射调... 航天器在轨运行时,面对复杂多变的外部热流环境以及内部热耗的显著差异,确保航天器各个功能部件满足预定温控要求,对其热控系统提出了更高的挑战。然而,传统的温度调控技术存在能耗大以及器件机械结构复杂的缺点,不适用于目前热辐射调控领域轻质化和低能耗的需求,因此,发射率的动态调控成为红外热辐射调控技术研究的热点。为了探讨基于电致变发射率材料构建的热辐射调控器件在航天器智能热控等领域的实际应用价值,本文介绍基于二维材料、金属氧化物、导电聚合物以及金属等材料的电致变红外热辐射器件的工作原理以及研究进展。预测未来器件将进一步向大面积、多波段兼容方向发展,从而保证对未来复杂环境的适应性以及可靠性。 展开更多
关键词 红外热辐射调控 电致变发射率 石墨烯 金属氧化物 聚合物 热辐射 三氧化钨 钛酸锂
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红外动态变形伪装技术研究 被引量:8
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作者 乔亚 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2006年第2期204-207,共4页
针对红外成像导弹对目标构成的重大威胁和传统伪装器材在防护目标方面的不足,提出了通过动态改变伪装器材的表面温度和红外发射率来改变目标红外热图像、躲避红外成像系统探测与跟踪的技术思路,阐述了电致变温器件和电致变红外发射率器... 针对红外成像导弹对目标构成的重大威胁和传统伪装器材在防护目标方面的不足,提出了通过动态改变伪装器材的表面温度和红外发射率来改变目标红外热图像、躲避红外成像系统探测与跟踪的技术思路,阐述了电致变温器件和电致变红外发射率器件的工作原理和制备技术,设计了一种基于电致变温器件和电致变发射率器件的红外动态变形伪装系统,描述了系统的工作原理,并给出了该系统的红外动态变形效果图。 展开更多
关键词 动态形伪装 电致 电致变发射率 红外对抗 成像制导
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目标红外辐射控制技术研究 被引量:6
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作者 乔亚 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2006年第2期138-140,共3页
目标的红外辐射强度是由目标表面温度和目标表面发射率两个因素决定的。本文介绍了电致变发射率和半导体电致变温的基本原理和器件结构,具体分析了晶态氧化钨薄膜、聚苯胺薄膜和半导体等作为电致变发射率材料的特点,提出了一种目标红外... 目标的红外辐射强度是由目标表面温度和目标表面发射率两个因素决定的。本文介绍了电致变发射率和半导体电致变温的基本原理和器件结构,具体分析了晶态氧化钨薄膜、聚苯胺薄膜和半导体等作为电致变发射率材料的特点,提出了一种目标红外辐射控制系统原理, 为实现目标红外辐射与背景红外辐射的融合、降低目标的可检测性理清了思路。 展开更多
关键词 红外辐射控制 电致 电致变发射率
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光学动态伪装技术研究 被引量:4
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作者 杨丽 乔亚 《红外》 CAS 2006年第11期9-14,共6页
本文针对精确制导武器对我军事目标的重大威胁以及传统伪装器材的不足等问题,提出了通过动态改变目标表面的反射特性和发射特性来改变目标光学图像特征和躲避精确制导武器探测和跟踪的技术思路。阐述了光学动态伪装的设想,介绍了红外、... 本文针对精确制导武器对我军事目标的重大威胁以及传统伪装器材的不足等问题,提出了通过动态改变目标表面的反射特性和发射特性来改变目标光学图像特征和躲避精确制导武器探测和跟踪的技术思路。阐述了光学动态伪装的设想,介绍了红外、可见光的动态伪装技术,并得出了光学动态伪装将成为隐身伪装的重要方面的结论。 展开更多
关键词 动态伪装 电致 电致变发射率 致变
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