Ce,Sm联合掺杂TiO_2薄膜制备及其电致变色特性

以钛酸四丁酯、硝酸铈和硝酸钐为主要原料,采用溶胶-凝胶法在ITO导电玻璃基片表面制备Ce,Sm联合掺杂TiO_2电致变色薄膜,Ce,Sm掺杂的摩尔分数分别为0,2%,5%和10%.采用电化学工作站和紫外可见分光光度计,研究了薄膜的循环伏安特性和光谱特性.结果表明,Ce,Sm的摩尔分数为2%时,薄膜的峰值电流最大,电荷存储能力最强,注入电荷密度为15.12mC·cm^(-2),循环可逆性K值为0.7.Ce,Sm的摩尔分数为5%和10%时,随着掺杂量的增加,薄膜的峰值电流减小,电荷存储能力变弱.Ce,Sm掺杂TiO_2薄膜在可见光范围内具有更好的光学透明度,着色时颜色很浅,着色态和褪色态的光谱透过率几乎一致,均在90%以上,可以在电致变色玻璃中作为离子存储材料.

工艺参数对WO_x薄膜电致变色特性和结构的影响

采用直流反应磁控溅射工艺,以纯钨靶为靶材在铟锡氧化物玻璃上制备电致变色WOx薄膜,研究了氧含量、溅射功率及溅射环境温度等工艺条件对其电致变色特性和结构的影响。实验结果表明:磁控溅射得到的WOx薄膜主要是非晶态的,在一定范围内,较低的氧含量,较高的溅射功率,较高的溅射环境温度下制备的WOx薄膜有较好的电致变色特性。

光学材料 光电功能材料

O634．42 2005064454 含酸性桃红2R的TiO2杂化材料的制备与性能研究= Preparation and properties of the TiO2 hybrid materials containing the azo dye chromotrope 2R[刊。

镀膜技术及设备

O484.1 95031865常压MOCVD法生长的p型ZnSe及其光电特性=Growth and optoelectronic properties of p—type ZnSe by AP—MOCVD[刊,中]/吕有明,杨宝均,张吉英,关郑平,陈连春,孙甲明,申德振,范希武(中科院长春物理所.吉林,长春(130021))

镀膜技术及设备

TB43 97053309电致变色氧化镍薄膜的制备与性能=Preparationand properties of electrochromic nickel oxidefilms[刊,中]/张旭苹,陈国平(东南大学薄膜研究所.江苏,南京(210018))∥东南大学学报.—1996,26(3).—110—114用直流磁控反应溅射法淀积了氧化镍薄膜,研究了这种膜的淀积技术和电致变色特性,结果指出,该方法淀积的薄膜具有工艺参数易于控制,重复性好、所制薄膜致密及性能稳定优点。图6参3(严寒)TB43

正视现实

正视现实姚建年“你为什么要回来？”虽然回国已有一年有余，但是这个问题还是经常被人问起，其实这个问题回答起来并不难，简单地说，就是觉得自己是个中国人，应该为自己的祖国做些事情。我相信绝大多数留学生身在异乡为异客，都会有一种感觉，就是自己祖国强大才会被人...