有机掺杂电致磷光器件中主客体间的能量转移几率(英文)

提出了有机掺杂电致磷光器件中主体(TPD)与客体(Ir(ppy)3)间的能量转移几率表达式,并对能量转移过程进行了讨论.结果表明:(1)三态激子能量转移率(KHG,KGH)随主客体分子间距离R指数增加,KHG随客体分子间距离RGG增加有一个快的减少,且KHG/KGH随R或RGG减少而增加;(2)当R为0.8～1.2nm时,能量转移几率接近线性降低,而当R<1.1nm时,RGG的变化能够被忽略,对于1.1nm<R<1.2nm的情况,RGG(<1.6nm)对η起着越来越重要的作用;(3)当Forster能量转移率增加或Gibb’s能减小时,η将会增加.

CBP超薄层对有机电致磷光器件效率的影响

在空穴传输层(HTL)和发光层(EML)间插入4,4-N,N′-二咔唑基联苯(CBP)超薄层,制备了结构为ITO/NPB/CBP(xnm)/CBP:Ir(ppy)3/BCP/Alq3/LiF/Al有机电致磷光器件。与未插入CBP超薄层的器件相比,CBP超薄层的引入可以有效阻挡Ir(ppy)3的三线态能量通过Dexter能量转移到HTL的NPB中,减少无辐射能量损失,提高了器件发光效率。调整CBP薄层的厚度,当x为3nm时,器件的效率提高幅度最大,从x为0nm时的9.0cd/A提高到16.9cd/A。

利用三线态激子提高有机/高分子发光器件的量子效率

有机 高分子电致发光器件 (O PLED)的发光效率远低于理论值 ,除器件结构有待优化之外 ,大部分三线态激子的能量没有得到利用是主要原因。近年来 ,利用三线态激子的发光来提高O PLED的发光效率取得了积极的进展。本文从利用三线态激子的发光机制入手 。