V_2O_5薄膜电荷储存特性研究

本文采用真空蒸发制备了V2O5薄膜，用电化学方法从Li离子电解质中向V2O5薄膜注入Li离子.研究了V2O5薄膜中Li离于储存特性、注入／退出可逆性以及电荷注入对其光学性能的影响．实验结果表明，V2O5薄膜具有较好的Li离子储存特性和注入／退出可逆性，Li离子的注入量受到膜中V5+的含量以及锂离子可占据的总位置数限制，而且离子注入后V2O5薄膜的光学性能变化较小．

紫外消毒对驻极体电荷储存稳定性的影响

目的 :研究紫外消毒对驻极体电荷储存稳定性的影响。 方法 :用常温恒压电晕充电系统将聚四氟乙烯 (PTFE)和聚丙烯 (PP)两种材料极化制备成驻极体 ;用补偿法测量不同剂量的紫外照射后驻极体的表面电势。 结果 :在相对湿度不高于70 %、紫外强度在 1 2 0～ 6 0 0 μW/ cm2之间和照射剂量在 1 0 6 μW· s/ cm2数量级下 ,两种驻极体的表面电势均保持在初始值的90 %以上 ;增大照射强度 ,或者在高湿度环境下照射 ,都将加快两种材料表面电势的衰减。 结论 :在临床紫外消毒强度和消毒剂量照射下 ,PTFE和 PP均表现出良好的电荷稳定性。

结晶聚合物驻极体中的跳跃电流和电荷储存

推导了聚合物和聚合物驻极体中的跳跃电流公式。依据这些公式导出了聚合物驻极体等温放电的理论公式,用驻极体等温衰减的数据估算出电子跳跃的步距约为10-8m,用X光衍射实验测得的聚合物中结晶区的线度也是10-8m量极。这从实验上支持上述公式的成立。理论和实验都证明稳态地储存的电荷几乎都被驻极体中的结晶区的能带所俘获。

NaCl溶液对TeflonFEP电荷储存寿命的影响

本文以四氟乙烯六氟丙烯共聚物（ＴｅｆｌｏｎＦＥＰ）医用驻极体薄膜为样品，通过等温表面电位裹减曲线和开路ＴＳＤ测量，研究０．９％ＮａＣｌ溶液对负电晕充电的ＴｅｆｌｏｎＦＥＰ驻极体的电荷储存稳定性的影响。研究结果表明：ＴｅｆｌｏｎＦＥＰ的电荷储存寿命明显地受０．９％ＮａＣｌ溶液的影响；热处理以ＴｅｆｉｏｎＦＥＰ的电荷储存寿命。

Si基多孔SiO_2薄膜驻极体电荷储存稳定性

通过控制溶胶 凝胶 (sol gel)工艺条件 ,利用相应条件下样品的红外光谱 ,等温表面电位衰减 ,开路热刺激放电电流谱等 ,考察了Si基多孔SiO2 薄膜驻极体体内沉积的空间电荷的储存稳定性 ,分析了各种工艺参数与薄膜驻极体性质之间的联系。实验结果表明 ,反应物中水含量对薄膜驻极体的电荷储存稳定性及陷阱分布有一定的影响 ;

Si基Si_3N_4/SiO_2双层驻极体薄膜的电荷储存稳定性和电荷输运特性

非晶态二氧化硅 (SiO2 )具有优良的驻极体性质 ,可制成微型化、集成化和机敏化的高灵敏度的传感器。但是 ,热氧化SiO2 驻极体膜的高压应力引起微结构变形 ,对薄膜储电特性形成复杂的影响。利用氮化硅薄膜的高张应力研制成氮化硅 /二氧化硅 (Si3 N4 /SiO2 )双层膜 ,可使其内应力相互补偿。本文讨论了双层膜驻极体的电荷储存稳定性及电荷输运特性。实验结果表明 ,Si3 N4 /SiO2 双层膜具有比单层膜更优异的电荷储存稳定性 ,Si3 N4 /SiO2 双层膜系统的电荷寿命比SiO2 驻极体约高两个数量级。常温恒压电晕充电 ,电荷被储存在Si3 N4 /SiO2 双层膜的近自由面附近 ,随着充电温度的提高 ,平均电荷重心向驻极体内部迁移。但是在低于 3 0 0℃的充电温度下 ,平均电荷重心不能达到Si3 N4 和SiO2 的界面处。电荷输运受缓慢再捕获效应控制。

聚四氟乙烯多孔薄膜驻极体的电荷储存稳定性

利用在室温和高温下的栅控恒压电晕充电 ,常温电晕充电后经不同温度老化处理后的表面电位衰减测量 ,及开路热刺激放电 (ThermallyStimulatedDischarge ,TSD)研究了正负充电后PTFE(Polytetrafluoroethylene)多孔薄膜驻极体的电荷储存稳定性 .PTFE多孔膜 ,PTFE非多孔膜 (TeflonPTFE)和FEP(Tetrafluoroethylene hexa fluoropropyleneCopoly mer)非多孔膜 (TeflonFEP)间的电荷储存稳定性的比较研究也已进行 .通过等温退极化程序 ,对上述三种薄膜驻极体的电荷储存寿命 (有效时间常数 )τ进行了定量估算 .结果指出 :在有机驻极体材料中 ,对正负充电后两种极性驻极体样品的PTFE多孔薄膜驻极体均呈现最优异的电荷储存稳定性 ,尤其是在高温条件下 .通过扫描电镜 (SEM)对这种新结构的氟聚合物驻极体材料的突出电荷储存能力和结构根源也已初步讨论 .

电晕充电的聚丙烯无纺布空气过滤膜的电荷储存及稳定性

讨论了用作空气过滤材料的聚丙烯(polypropylene,PP)无纺布驻极体的电荷储存能力及其稳定性.研究了温度和环境湿度对电荷稳定性的影响,并从材料形貌特征和能阱结构方面分析了电荷储存对湿度敏感效应的结构根源.指出热处理工艺(包括常温充电后老化和高温充电)对电荷稳定性的明显改善.结果说明PP无纺布驻极体在常温常湿时呈现出很好的电荷储存寿命,脱阱电荷的输运规律受慢再俘获效应控制.

Si基Si_3N_4/SiO_2双层膜驻极体的电荷储存与输运

利用等温表面电位衰减及热刺激放电 (thermallystimulateddischarge ,TSD)方法探讨了恒栅压电晕充电经常压化学气相沉积 (APCVD)的Si基Si3N4 和热生长SiO2 双层薄膜驻极体电荷的存储特性 .结果表明 :在常温环境中 ,30 0℃高温下 ,以及 95 %相对湿度时的 6 0℃条件下 ,所有试样表现出极好的电荷储存稳定性 .对于负电晕充电试样 ,其电荷输运受慢再捕获效应 (slowretrappingeffect)控制 ;用热离子发射模型来描述了正电晕充电Si3N4 /SiO2 驻极体的正电荷输运特性 .

基于MoO_(3)/ZnO无机电荷产生层的量子点电致发光器件

氧化锌(ZnO)作为一种优异的电子传输材料,广泛应用于高性能量子点电致发光器件(QLED)中。然而,由于ZnO层较高的电荷传输速率,导致器件中过多的电子注入,使得器件内部的载流子不平衡,降低了器件的效率。此外,ZnO的易潮解性质使得其与电极之间的接触容易受到外界环境(水分和氧气)影响,从而影响器件的存储稳定性,这在倒置结构的QLED中尤为明显。为解决上述问题,我们利用MoO_(3)/ZnO作为电荷产生层(CGL)来制备倒置结构的QLED。这一结构改善了器件的载流子不平衡问题,使得器件的最大电流效率从12.8 cd/A提升到了15.7 cd/A。此外,CGL无需有电极注入电荷,而是通过电场的作用产生电荷,注入到发光层中,这降低了电极界面对器件性能的影响,从而大大提高了器件的稳定性。

性能更优秀的电荷储存分子

美国盐湖城犹他大学与安阿伯市密歇根大学的化学家开发了一种电荷储存分子，比现有化合物稳定1000倍以上，为氧化还原液流电池开创了道路。在该种电池中，阳极液与阴极液储存在两个由中间一套插入电极分开的储存罐中。当溶液流过电极时会吸收或释放电荷。因为储存较多电荷的分子更为不稳定，这类电池的电解液成分选择一直是个挑战。现有氧化还原液流电池成本较高，并因含有钒而具有潜在毒性。

多孔硅的电荷存贮现象

Uhlir和Tunner发现多孔硅(PS)以来,对其形成机制,电化学特性等进行了深入细致的研究.特别是近年Canham观察到PS的可见光致发光现象后,PS的光电特性成为人们研究的焦点。 在我们的研究中,首次观察到PS具有存贮电荷的能力。这一新性能表现为:(1)阳极电腐蚀后的PS层内存贮一定量电荷;(2)经化学处理后的PS能用直流电源充电,

多孔硅的电荷存贮特性与光电压滞后衰减

自从Canham在1990年报道了多孔硅的光致发光以来,人们便开始了多孔硅的发光特性及其发光机理的研究。我们在获得多孔硅材料的基础上,曾首次报道了多孔硅光电压的滞后衰减现象。在本文中主要对如上实验结果进行了分析和探讨。认为在Nd:YAG激光器的1.

PEDOT∶PSS/氧化石墨烯柔性多通道电极的制备与性能研究

采用超声分散和机械混合方法制备可打印的氧化石墨烯(GO)油墨,并利用3D打印技术和转印技术在聚二甲基硅氧烷(PDMS)基底上制备了多通道神经电极。结果表明:GO质量分数为7%时,油墨的黏度和储存模量最佳。在掺杂GO质量的50%的聚(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚(苯乙烯硅氧烷)(PEDOT∶PSS)后,油墨的稳定性提高,电阻率下降了100倍。同时PEDOT∶PSS的引入提高了GO片层之间的结合力,避免了电极在干燥过程中的开裂。经过氢碘酸的处理后,电极的电阻率降低了近100倍,掺杂了PEDOT∶PSS电极的电荷储存容量增加了近1.7倍。在1kHz时的电化学交流阻抗由108Ω/cm^(2)降低至70Ω/cm^(2)。该研究为通道柔性神经电极的制备和打印油墨的设计提供了一个简单可行的方法。

微孔结构交联聚丙烯驻极体的储电性研究

压电驻极体是以双极性空间电荷驻极体为基体的新一类人工微结构压电功能材料,其压电性能与基体材料的储电性有直接关系。采用等温表面电位衰减测量和开路热刺激放电实验方法,研究了经热压处理的交联聚丙烯(XPP)膜中电荷储存稳定性和电荷动态特性。结果表明,XPP中正电荷的储存稳定性强于负电荷;在老化温度低于90℃时,经过5120min时间老化,正电晕充电样品的表面电位仍然能够维持在初始表面电位的90%以上,而负电晕充电样品却低于86%;热激发脱阱的负空间电荷在驻极体内电场的作用下迁移的过程中大部分被更深的能阱捕获,即脱阱电荷的输运规律受快再捕获效应控制。

Si_3N_4和Si_3N_4/SiO_2驻极体薄膜的化学表面修正

采用补偿法对六甲基二硅胺烷 (hexamethyedisilane ,HMDS)和二氯二甲基硅烷 (dichlorodimethsiliane ,DCDMS)化学表面修正恒压电晕充电硅基氮化硅 (Si3N4)薄膜驻极体及氮化硅 /二氧化硅 (Si3N4/SiO2 )薄膜驻极体的电荷储存稳定性进行了比较性的研究 .实验结果表明 ,经过化学表面修正后 ,驻极体薄膜在高湿环境中的电荷储存稳定性显著提高 ;在低于 2 0 0℃时 ,HMDS和DCDMS化学表面修正的效果相当 ;DCDMS化学表面处理具有较高的耐热性 .

Si基多孔SiO_2薄膜的驻极体性能

通过控制制备工艺条件和充电参数，利用相应条件下样品的等温表面电位衰减，开路热刺激放电电流谱等，考察了利用溶胶－凝胶（ｓｏｌ－ｇｅｌ）方法制备的Ｓｉ基多孔ＳｉＯ２薄膜的驻极体性能，分析了各种工艺参数与薄膜驻极体性质之间的联系，同时利用Ｇａｕｓｓ拟合及初始上升法对薄膜驻极体的电有陷阱深度进行了估算．实验结果表明，反应物中水的含量对薄膜驻极体的陷阱分布具有调节作用；估算出负电晕充电ＳｉＯ２薄膜驻极体电荷的活化能为０．３ｅＶ和１．０ｅＶ；环境湿度对电荷储存稳定性有一定的影响，降低栅压可以提高ＳｉＯ２薄膜驻极体的电荷储存稳定性．

等离子体处理提高SiO_2薄膜驻极体的稳定性

利用等离子体对硅衬底上热生长SiO2薄膜进行表面处理,提高了二氧化硅薄膜驻极体电荷的储存稳定性。不同种类的等离子体处理,效果明显不同。同种等离子体处理的时间不同,对电荷储存性能的改善也不同。氩等离子体处理具有最佳效果。经15min700V电压起弧的氩等离子体处理,热生长二氧化硅薄膜驻极体的充电电荷在150℃下有很好的存储稳定性,达到化学表面修正的同等效果。实验结果表明,氩等离子体处理改变了SiO2薄膜表面的亲水性,有效地阻止了因水汽在表面附着引起表面电导增大造成的驻极化电荷流失。另外,等离子体轰击在薄膜的近表面引入了电荷陷阱,使俘获的驻极化电荷能较稳定地保存。

非线性双极晶体管模型的研究

本文对非线性双极晶体管的模型进行了研究,非线性晶体管模型对微波CAD和无线电系统仿真都是非常关键的。本文采用等效电路模拟非线性双极晶体管,给出了等效电路模型及模型参数,并用这些参数描述了非线性双极晶体管工作过程中的直流特性和各种效应:基区宽度调制效应、电荷储存效应;正向电流增益(BF)随电流的变化以及温度的影响等。为准确地建立不同用途双极晶体管的模型提供了依据。

十二指肠电子内镜

十二指肠电子内镜是八十年代出现的一种新型十二指肠内镜。它的主要特点是利用半导体材料制做的CCD(Charge Couqled Device)作为图象传感器代替导象纤维束。由于CCD图象传感器的象素的中心间距约5um,象元尺寸为约6um,因此其分辨率高达16—30线/mm,又由于输出的是电信号,因而便于对信号进行处理和显示。