紫外消毒对驻极体电荷储存稳定性的影响

目的 :研究紫外消毒对驻极体电荷储存稳定性的影响。 方法 :用常温恒压电晕充电系统将聚四氟乙烯 (PTFE)和聚丙烯 (PP)两种材料极化制备成驻极体 ;用补偿法测量不同剂量的紫外照射后驻极体的表面电势。 结果 :在相对湿度不高于70 %、紫外强度在 1 2 0～ 6 0 0 μW/ cm2之间和照射剂量在 1 0 6 μW· s/ cm2数量级下 ,两种驻极体的表面电势均保持在初始值的90 %以上 ;增大照射强度 ,或者在高湿度环境下照射 ,都将加快两种材料表面电势的衰减。 结论 :在临床紫外消毒强度和消毒剂量照射下 ,PTFE和 PP均表现出良好的电荷稳定性。

Si基多孔SiO_2薄膜驻极体电荷储存稳定性

通过控制溶胶 凝胶 (sol gel)工艺条件 ,利用相应条件下样品的红外光谱 ,等温表面电位衰减 ,开路热刺激放电电流谱等 ,考察了Si基多孔SiO2 薄膜驻极体体内沉积的空间电荷的储存稳定性 ,分析了各种工艺参数与薄膜驻极体性质之间的联系。实验结果表明 ,反应物中水含量对薄膜驻极体的电荷储存稳定性及陷阱分布有一定的影响 ;

聚四氟乙烯多孔薄膜驻极体的电荷储存稳定性

利用在室温和高温下的栅控恒压电晕充电 ,常温电晕充电后经不同温度老化处理后的表面电位衰减测量 ,及开路热刺激放电 (ThermallyStimulatedDischarge ,TSD)研究了正负充电后PTFE(Polytetrafluoroethylene)多孔薄膜驻极体的电荷储存稳定性 .PTFE多孔膜 ,PTFE非多孔膜 (TeflonPTFE)和FEP(Tetrafluoroethylene hexa fluoropropyleneCopoly mer)非多孔膜 (TeflonFEP)间的电荷储存稳定性的比较研究也已进行 .通过等温退极化程序 ,对上述三种薄膜驻极体的电荷储存寿命 (有效时间常数 )τ进行了定量估算 .结果指出 :在有机驻极体材料中 ,对正负充电后两种极性驻极体样品的PTFE多孔薄膜驻极体均呈现最优异的电荷储存稳定性 ,尤其是在高温条件下 .通过扫描电镜 (SEM)对这种新结构的氟聚合物驻极体材料的突出电荷储存能力和结构根源也已初步讨论 .

NaCl溶液对TeflonFEP电荷储存寿命的影响

本文以四氟乙烯六氟丙烯共聚物（ＴｅｆｌｏｎＦＥＰ）医用驻极体薄膜为样品，通过等温表面电位裹减曲线和开路ＴＳＤ测量，研究０．９％ＮａＣｌ溶液对负电晕充电的ＴｅｆｌｏｎＦＥＰ驻极体的电荷储存稳定性的影响。研究结果表明：ＴｅｆｌｏｎＦＥＰ的电荷储存寿命明显地受０．９％ＮａＣｌ溶液的影响；热处理以ＴｅｆｉｏｎＦＥＰ的电荷储存寿命。

微孔结构交联聚丙烯驻极体的储电性研究

压电驻极体是以双极性空间电荷驻极体为基体的新一类人工微结构压电功能材料,其压电性能与基体材料的储电性有直接关系。采用等温表面电位衰减测量和开路热刺激放电实验方法,研究了经热压处理的交联聚丙烯(XPP)膜中电荷储存稳定性和电荷动态特性。结果表明,XPP中正电荷的储存稳定性强于负电荷;在老化温度低于90℃时,经过5120min时间老化,正电晕充电样品的表面电位仍然能够维持在初始表面电位的90%以上,而负电晕充电样品却低于86%;热激发脱阱的负空间电荷在驻极体内电场的作用下迁移的过程中大部分被更深的能阱捕获,即脱阱电荷的输运规律受快再捕获效应控制。

Si_3N_4和Si_3N_4/SiO_2驻极体薄膜的化学表面修正

采用补偿法对六甲基二硅胺烷 (hexamethyedisilane ,HMDS)和二氯二甲基硅烷 (dichlorodimethsiliane ,DCDMS)化学表面修正恒压电晕充电硅基氮化硅 (Si3N4)薄膜驻极体及氮化硅 /二氧化硅 (Si3N4/SiO2 )薄膜驻极体的电荷储存稳定性进行了比较性的研究 .实验结果表明 ,经过化学表面修正后 ,驻极体薄膜在高湿环境中的电荷储存稳定性显著提高 ;在低于 2 0 0℃时 ,HMDS和DCDMS化学表面修正的效果相当 ;DCDMS化学表面处理具有较高的耐热性 .

Si基多孔SiO_2薄膜的驻极体性能

通过控制制备工艺条件和充电参数，利用相应条件下样品的等温表面电位衰减，开路热刺激放电电流谱等，考察了利用溶胶－凝胶（ｓｏｌ－ｇｅｌ）方法制备的Ｓｉ基多孔ＳｉＯ２薄膜的驻极体性能，分析了各种工艺参数与薄膜驻极体性质之间的联系，同时利用Ｇａｕｓｓ拟合及初始上升法对薄膜驻极体的电有陷阱深度进行了估算．实验结果表明，反应物中水的含量对薄膜驻极体的陷阱分布具有调节作用；估算出负电晕充电ＳｉＯ２薄膜驻极体电荷的活化能为０．３ｅＶ和１．０ｅＶ；环境湿度对电荷储存稳定性有一定的影响，降低栅压可以提高ＳｉＯ２薄膜驻极体的电荷储存稳定性．

压力膨化处理对正极性聚丙烯蜂窝膜的驻极体性质的影响

压力膨化处理工艺能够显著改善聚丙烯蜂窝薄膜(cellularpolypropylene)驻极体的压电活性。通过热脉冲技术、表面电位衰减测量及TSD电流谱分析等研究了经恒压正电晕充电的聚丙烯蜂窝膜的陷阱能级分布特征,讨论了压力膨化处理工艺对这类蜂窝膜驻极体电荷稳定性及电荷输运特性的影响.结果说明,PP蜂窝膜内存在着位于中能级区的能值各异的三种分立陷阱,深能值陷阱和浅能值陷阱的大多数位于孔洞膜近表面的体层或体内,而中等能值陷阱则主要位于自由面附近.压力膨化处理改变了PP蜂窝膜的能阱状态并在一定程度上降低了这类孔洞膜驻极体的电荷储存稳定性,但没有明显影响其由慢再俘获效应占主导地位的脱阱电荷输运特性.