次级发射的应用现状和发展前景

本文通过对次级发射的背景和国内外同行的研究介绍,显示了次级发射研究在真空电子器件中的重要性。同时,介绍了在次级发射研究上的一些成绩,并提出一些新想法以供有兴趣的读者讨论。

多隧道结单电子动态存储器的Monte Carlo模拟

本文采用MonteCarlo方法模拟了多隧道结单电子动态存储器的存储特性 ,考察了隧道结的个数、隧道结电容、隧道结电阻、脉冲电压幅度等参数对存储器的存储时间和饱和充电电荷的影响 。