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题名β-CaSiO_3晶体的电子结构及光学性质
被引量:1
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作者
何茗
张树人
周晓华
李波
张婷
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机构
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
成都电子机械高等专科学校电气与电子工程系
成都医学院人文信息管理学院
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出处
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第2期1-3,6,共4页
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基金
装备预研基金重点项目(9140A12011710D20252)
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文摘
基于第一性原理的平面波赝势方法(PWP)的局域密度近似(LDA)/广义梯度近似(GGA)计算了β-Ca-SiO3的几何结构、能带结构、态密度和光学性质。其晶胞参数优化结果与实验相比,LDA/GGA的相对误差为-3.62%/1.91%。对优化后的β-CaSiO3晶体进行能带结构分析表明,β-CaSiO3晶体为间接带隙结构,禁带宽度Eg(LDA)=5.53eV,Eg(GGA)=5.18eV。对态密度图及Mulliken电荷分布的分析表明,Ca的d轨道有电子分布,即Ca的s、p、d轨道均参与了成键。β-CaSiO3晶体中Ca与SiO3基团之间形成的化学键主要是离子键,而Si与O之间的化学键是共价键。
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关键词
β-CaSiO3
能带结构
电荷分布价键
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Keywords
β-CaSiO3, band structure, charge distribution, valence-bond
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分类号
O484.41
[理学—固体物理]
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