用C-V法观察介质-半导体界面的电荷存储效应

用SiNX作钝化层的InGaAs／InP光电二极管和N沟道GaAsMESFET的高频特性和电性能稳定性问题与SiNx-半导体界面的电荷存储效应有密切关系。本工作用高频C－V法观察到SiNx－InP界面电行存储效应，从而加深了SiNX钝化层引起的器件最高工作频率下降和特性不稳定的理解，找到了评价介质-半导体界面稳定性的方法并进行了减小SiNx－InP界面电荷存储效应的实验。

LiNbO_3:Cu:Ce晶体非挥发全息存储性能的理论研究

以双中心模型为基础,理论研究了LiNbO_3:Cu:Ce晶体在稳态情况下的非挥发双光双步全息存储性能.研究中考虑了在晶体深能级中心Cu^+/Cu^(2+)与浅能级中心Ce^(3+)/Ce^(4+)之间由隧穿效应引起的电荷直接交换过程.结果表明,总的空间电荷场大小主要由深能级上的空间电荷场所决定,并且非挥发全息存储性能主要由隧穿效应引起的深能级中心Cu^+/Cu^(2+)与浅能级中心Ce^(3+)/Ce^(4+)之间的电荷直接交换过程所决定.与隧穿效应相关的材料参数对于非挥发双光双步全息存储的性能起到了至关重要的作用.