耗散反应产物的电荷扩散与能量相干

在输运理论的框架内研究了１９Ｆ＋５１Ｖ耗散反应中能量相干宽度随出射产物中质比Ｎ／Ｚ变化的关系，得到了反应系统已经达到电荷平衡的结论，提取了相应的电荷扩散系数。分析表明电荷扩散过程造成了的分布宽度随反应时间线性增大的现象。还探讨了各个同位素出射道的相关对激发函数振荡结构涨落幅度的作用。

Nafion基氧化还原聚合物在空气中的电荷传输性能

利用三明治电池和伏安法测试了不同制备条件的Nafion基氧化还原聚合物膜在空气中的电荷传输性能.研究结果表明,混合适量聚乙二醇(PEG)的Nafion基金属联吡啶配合物｛Nafion[M(bpy)23+,PEG](M=Ru,Fe)｝膜的表观电荷传递扩散系数(Dct)达到10-6-10-7cm2·s-1,电子或空穴迁移率(μ)达到10-4-10-5cm2·V-1·s-1.在导电玻璃(ITO)电极与Nafion基氧化还原聚合物膜界面引入一层导电聚苯胺(PANI)后,降低了其接触电阻,使氧化还原聚合物膜的Dct提高至10-5-10-6cm2·s-1,μ提高至10-3-10-4cm2·V-1·s-1,且工作电流提高了近两个数量级.该固态氧化还原聚合物膜的性能比较稳定,在空气中放置30天后其Dct和μ降低得很少.

Dissado-Hill模型在电介质介电响应分析中的应用

电介质介电响应中所蕴含的信息可以被用于探究电介质的内部微观结构以及电荷的运动特性。Debye模型描述的是没有相互作用的偶极子在黏性介质中发生的极化现象,这很难出现在实际的固体电介质中。基于Debye模型的经验修正模型如Cole-Cole模型、Davidson-Cole模型以及Havriliak-Negami模型中的参数没有实际的物理意义,使用经验模型分析介电响应测量结果无法获得电介质内部微观结构和电荷运行特性。由Dissado L A与Hill R M提出的具有明确物理意义、涉及微观粒子之间的相互作用的Dissado-Hill介电响应模型是一个更反映介电响应物理实质的理论模型。该文详细阐述了Dissado-Hill介电响应模型的物理意义及该模型中"簇"的概念;Dissado-Hill模型包含2个子模型:一个是用来描述偶极子主导的弛豫峰型介电响应过程的Dissado-Hill loss peak模型;一个是用来描述载流子主导的低频弥散现象的Dissado-Hill QDC模型。文中讨论了低频弥散介电响应现象与电导现象之间的异同及区分方法。结合Dissado-Hill介电响应模型和等效电路模型分析的方法,对电力系统外绝缘领域常用的高温硫化硅橡胶材料的介电响应测量结果进行了深入的分析,结果发现,高温硫化硅橡胶的介电响应中存在明显的低频弥散现象。

线阵CCD成像仿真研究

文章根据空间遥感用CCD(Charge-Coupled Devices)探测器的工作原理,研究了CCD成像仿真的数学模型,设计了一套完整的CCD成像模型,并研究了像元响应不一致性、电荷扩散、暗电流噪声等参数的分布特性。仿真试验表明,该模型仿真结果与实际器件的相关测量参数吻合度较高,与系统的MTF和S/R测试结果一致,准确度较高。

Schiff碱基过渡金属镍络合物的电化学聚合：阳极电聚合中扫描速率的影响(英文)

采用线性电位扫描法制备了水杨醛-Schiff碱基过渡金属镍络合物的聚合物poly[Ni(salen)],扫描速率为5-150 mV.s-1.采用场发射显微镜观察了聚合物poly[Ni(salen)]的表面形貌.研究了电聚合中扫描速率对聚合物生长的影响,电聚合速率(dГ/dm)与扫描速率(v)呈指数衰退关系,通过库仑电量分析指出电聚合扫描速率在20mV.s-1时聚合产物中含有最多的氧化还原活性点.扫描速率提高时单体的扩散步骤限制了聚合物的生长,所以氧化还原活性点总量随着扫描速率的提高而开始下降.利用循环伏安法分析了聚合物poly[Ni(salen)]的扩散动力学,结果表明在20 mV.s-1时制备的聚合物具有较大的电荷扩散系数.

等效电路模型分析介电响应的方法、意义及应用

等效电路模型是研究电介质介电响应的有效手段，其反映的是实际介电响应与由代表弛豫过程、电导过程的电气单元构成的电路之间的关系。在等效电路模型中所有可能的电气单元种类包括：1）弛豫峰型介电响应单元；2）低频弥散介电响应单元；3）电荷扩散单元；4）频率无关电容单元；5）直流电导单元。需要根据电介质的微观结构的实际物理意义以及实际的测量条件来选择等效电路模型中相应的电气单元以及单元之间的电气连接方式。在计算等效电路模型的具体参数时，需要在拟合中同时考虑复电容的实部和虚部。同一种电介质，测量的条件不同会导致所测量获得的介电响应和相应的等效电路模型也不同。判断等效电路模型是否合理需从物理实际角度和数学拟合角度两个方面进行判断，不能仅仅为了提高等效电路模型对实际介电响应的拟合程度而随意添加没有实际弛豫过程或电导过程对应的电气单元。等效电路模型分析可以对实际电介质介电响应进行定量的表征，这为深入分析外界条件、组分含量等因素对电介质介电响应以及对电介质微观结构的影响提供了分析方法和理论依据。该文以分析电气绝缘领域常见的硅橡胶材料和树脂材料的介电响应为例，详细讨论了分析实际电介质介电响应时构建等效电路模型的方法以及判断所选等效电路模型是否合理的依据。

一种新型的液晶光阀模型

介绍一种考虑液晶光阀中材料的横向扩散电荷作用的物理模型。根据设计要求 ,由此模型可找到器件各参量的适用值。

高压SiC器件封装用有机硅弹性体高温宽频介电特性分析

有机硅弹性体因具有良好的绝缘性与耐高温的特性,广泛应用于高频、高压、高温工况下的SiC器件中。在宽频率、宽温度范围内,有机硅弹性体材料的介电性能对SiC器件内部电场分布产生极大影响,因此该文采用频域介电谱分析方法获得了宽频(10^(-2)-10^(7)Hz)、宽温度(20280℃)范围内的有机硅弹性体介电特性数据,掌握有机硅弹性体在不同频率、温度条件下的介电弛豫过程,在此基础上,采用改进Cole-Cole模型对有机硅弹性体的弛豫特性进行分析,获得温度对有机硅弹性体介电响应过程与介电特征参数的影响规律。研究结果表明,随频率上升,复介电常数实部明显下降并趋于稳定,复介电常数虚部呈现先下降后上升到达峰值的趋势。在高温低频条件(160℃以上,100Hz以下)下,有机硅弹性体材料出现明显的低频弥散现象,280℃下观测到了电荷扩散过程的出现;不同温度下Cole-Cole模型特征参数中直流电导率σ_(dc)、弛豫强度△ε与低频弥散强度ξ与温度的关系满足Arrhenius方程规律;高频介电常数ε_(∞)随温度升高而降低,与温度近似呈线性变化;弛豫时间τ在高温下随温度上升具有明显指数型下降趋势,其机理可利用双势阱模型描述。该文获得的有机硅弹性体宽频、宽温度范围内的介电特性可以为SiC器件封装绝缘设计提供数据支撑。