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BJT等效电路模型的发展
被引量:
4
1
作者
罗杰馨
陈静
+2 位作者
伍青青
肖德元
王曦
《电子器件》
CAS
2010年第3期308-316,共9页
随着BJT尺寸的缩小以及BJT广泛应用于高速和RF电路,有效及准确的BJT电路设计要求更加精确的等效电路模型。通过介绍模型的基本原理及其对BJT器件关键物理效应的模拟,描述不同模型开发者采用的方式,结合仿真结果分析不同模型的特点。主...
随着BJT尺寸的缩小以及BJT广泛应用于高速和RF电路,有效及准确的BJT电路设计要求更加精确的等效电路模型。通过介绍模型的基本原理及其对BJT器件关键物理效应的模拟,描述不同模型开发者采用的方式,结合仿真结果分析不同模型的特点。主要从以下几个方面展开:模型的大信号等效电路图;归一化电荷的计算,转移电流表达式;晶体管二阶效应模型,包括基区宽度调制效应(即Early效应)、大注入效应等;大电流条件下的Kirk效应,准饱和效应等。
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关键词
等效电路模型
BJT
BJT模型
HICUM模型
电荷控制理论
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职称材料
题名
BJT等效电路模型的发展
被引量:
4
1
作者
罗杰馨
陈静
伍青青
肖德元
王曦
机构
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
出处
《电子器件》
CAS
2010年第3期308-316,共9页
基金
“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”国家重大专项子课题“0.13μm SOI工艺仿真及器件建模”资助(2009ZX02306-002)
文摘
随着BJT尺寸的缩小以及BJT广泛应用于高速和RF电路,有效及准确的BJT电路设计要求更加精确的等效电路模型。通过介绍模型的基本原理及其对BJT器件关键物理效应的模拟,描述不同模型开发者采用的方式,结合仿真结果分析不同模型的特点。主要从以下几个方面展开:模型的大信号等效电路图;归一化电荷的计算,转移电流表达式;晶体管二阶效应模型,包括基区宽度调制效应(即Early效应)、大注入效应等;大电流条件下的Kirk效应,准饱和效应等。
关键词
等效电路模型
BJT
BJT模型
HICUM模型
电荷控制理论
Keywords
Compact Model
BJT(Bipolar Junction Transistor)
BJT model
HICUM Model
ICCR
分类号
TN322.8 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
BJT等效电路模型的发展
罗杰馨
陈静
伍青青
肖德元
王曦
《电子器件》
CAS
2010
4
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