基于干扰补偿的3D NAND闪存错误缓解算法

为改善读干扰和数据保留效应对NAND闪存可靠性的影响,文中提出一种基于干扰补偿的NAND闪存错误缓解算法。该算法将3D NAND闪存块分为读热数据预留层和普通数据存储层,通过识别读热数据并将其迁移到很少访问的冷闪存块内,利用所产生的编程干扰和读干扰脉冲来补偿由数据保留效应所引发的电荷泄露,从而提高NAND闪存的可靠性。采用长江存储3D TLC NAND作为实验样本,在3Dsim固态盘模拟器和实际芯片上对干扰补偿算法效果进行验证。实验结果表明:在数据保留时间为1年的条件下,应用文中算法的NAND闪存误码率最高降低58%,闪存块最大读次数最高降低96.8%;与读电压恢复脉冲技术(DRRP)和字线编程干扰恢复技术(WPD)相比,采用所提补偿算法的NAND闪存误码率分别下降33%,19%。