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QCA电路的缺陷研究
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作者 黄宏图 蔡理 李政操 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2012年第3期147-151,共5页
针对量子元胞自动机电路中出现的元胞移位等元胞缺陷,介绍了基于QCADesigner的元胞缺陷分析,得出了特定结构的容错范围。对于制造过程出现的单电子故障,分析了不同输入时单电子故障对传输线和反相器的影响。对于制造过程中出现的漂移电... 针对量子元胞自动机电路中出现的元胞移位等元胞缺陷,介绍了基于QCADesigner的元胞缺陷分析,得出了特定结构的容错范围。对于制造过程出现的单电子故障,分析了不同输入时单电子故障对传输线和反相器的影响。对于制造过程中出现的漂移电荷缺陷,分析了这些缺陷对传输线的影响。通过改变元胞与传输线之间的距离,研究了QCA传输线之间的串扰问题,得出了其容错范围。最后对RS触发器中出现的元胞缺陷采用测试序列进行了分析研究,从而为进一步研究QCA电路的缺陷提供了依据和方向。 展开更多
关键词 量子元胞自动机(QCA) 元胞缺陷 单电子故障 漂移电荷 串扰
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有机薄膜晶体管中接触效应的研究
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作者 孙钦军 徐征 +4 位作者 赵谡玲 张福俊 高利岩 田雪雁 王永生 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第11期8125-8130,共6页
研究了接触效应对有机薄膜晶体管性能的影响.首先在n型重掺杂Si片上制备了以MOO3修饰的Al电极为源漏电极的Pentacene基OTFTs(organic thin film transistors),器件场效应迁移率μef达到0.42cm2/V·s,阈值电压VT为-9.16V,开关比4.7&#... 研究了接触效应对有机薄膜晶体管性能的影响.首先在n型重掺杂Si片上制备了以MOO3修饰的Al电极为源漏电极的Pentacene基OTFTs(organic thin film transistors),器件场效应迁移率μef达到0.42cm2/V·s,阈值电压VT为-9.16V,开关比4.7×103.通过中间探针法,对器件电势分布做了定性判断,发现源漏端电势分布不均匀;沟道电阻RL和接触电阻RC都随着栅压VG增加而减小,并且RL减小的比RC更快;RL随源漏电压VDS增加缓慢变大.随后采用电荷漂移理论对其输出特性进行了分析和理论模拟,发现考虑接触电阻后,由实验结果计算得出的器件场迁移率增加两倍多,达到1.1cm2/V·s.因此如何分析、减小接触电阻是OTFT器件提高性能和实现、扩大应用中要解决的重要问题之一. 展开更多
关键词 有机薄膜晶体管 场效应迁移率 接触效应 电荷漂移
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基于ITO/聚甲基丙烯酸甲酯/Al的有机阻变存储器SPICE仿真 被引量:1
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作者 容佳玲 陈赟汉 +3 位作者 周洁 张雪 王立 曹进 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第22期428-433,共6页
探索了ITO/PMMA/Al器件的阻变机理及其SPICE电路仿真,通过优化聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)层退火温度,器件可实现连续擦-读-写-读操作.基于不同退火温度PMMA薄膜的表面形貌研究,构建了单层有机阻变器件的非线性电荷漂移模型,以及描述该模型... 探索了ITO/PMMA/Al器件的阻变机理及其SPICE电路仿真,通过优化聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)层退火温度,器件可实现连续擦-读-写-读操作.基于不同退火温度PMMA薄膜的表面形貌研究,构建了单层有机阻变器件的非线性电荷漂移模型,以及描述该模型掺杂区界面移动的状态方程,并通过反馈控制积分器建立了SPICE仿真电路.最后,代入器件实际测量参数,得到与器件实际结果基本一致的电流-电压模拟曲线.结果验证了单层有机器件的阻变机理,说明该非线性电荷漂移模型的SPICE仿真在有机阻变器件仿真中同样适用. 展开更多
关键词 有机阻变存储器 非线性电荷漂移 SPICE仿真
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