SEU电荷收集模式的器件级仿真

文章通过计算机模拟仿真的方法对单粒子翻转(SEU)电荷收集的三种模式进行研究。模拟结果表明,在SEU的三种电荷收集模式中,浓度梯度引起的扩散电荷收集和漏斗区的漂移电荷收集对SEU影响很小,它们均只在短时间内对电荷收集有作用,所以对SEU的影响不大,随着集成电路的发展,由于漏斗电场的减弱,漏斗区的漂移作用越来越小,在SEU的产生过程中,耗尽层的漂移对SEU的产生起主要作用。

静态随机存储器单粒子翻转效应的二维数值模拟

采用MEDICI二维模拟软件对静态存储器SRAM的单粒子翻转(SEU)现象进行了计算。对MOSFET漏区模拟得到的结果与电荷漏斗模型相吻合,表明所建立的物理模型的正确性。通过输入不同粒子的线性能量传输LET值,得到了某一结构器件的收集电荷与LET值的关系曲线,并给出临界电荷7 73×10-14C。

MOSFET单粒子翻转效应的二维数值模拟

用MEDICI二维模拟软件对MOSFET的单粒子翻转现象进行了计算 ,力图从理论上建立分析器件单粒子翻转的可靠手段 .通过输入不同粒子的线性能量传输值 ,得到了某一结构器件的翻转概率与线性能量传输值的关系曲线 .分析了不同结构参数的变化对单粒子翻转的影响 .模拟得到的结果与电荷漏斗模型相吻合 。