PTFE多孔膜和典型薄膜驻极体电荷贮存寿命的比较研究

利用等温表面电位衰减和开路热剌激放电电流谱的测量等方法 ,系统地研究了经单向拉伸而形成孔径为 1～5μm,孔度为 5 0 %的聚四氟乙烯多孔膜的空间电荷贮存稳定性。并与在同等实验条件下的高密度 PTFE、FEP、Aclar PCTFE和 Kapton PI这 4种典型驻极体材料的电荷贮存寿命进行了对比研究。结果显示 ,PTFE多孔膜较PTFE和 FEP等驻极体材料有更优异的负电荷贮存稳定性 ,其常温负电荷的电荷贮存寿命可达 10

基片掺杂与热氧化SiO_2薄膜驻极体的电荷贮存特性

运用干－湿－干高温热氧化工艺，在4种不同掺杂类型的单晶硅基片上，制备成功非晶态SiO2薄膜驻极体。恒栅压电晕充电、等温表面电位衰减及热刺激放电（TSD）实验表明，不同类型基片的SiO2薄膜其电荷动态特性差异较大，基片的掺杂成份和掺杂浓度直接影响其上二氧化硅驻极体的性能，电荷储存稳定性随着掺杂浓度的增大而有所下降，TSD放电电流峰的形状与位置也会随着掺杂成份和浓度的变化而改变。分析表明，造成这一现象的原因在于：掺杂成份在热氧化时通过扩散从基片进入SiO2薄膜，改变了其内部微观网络结构，进而影响其电荷贮存特性。这一点为进一步探索SiO2薄膜驻极体的电荷贮存机制提供了有益的启示。

辉光放电增强聚丙烯电荷贮存性能的研究

采用ＳＦ６、Ｏ２和空气低温等离子体对双轴拉伸聚丙烯（ＢＯＰＰ）薄膜进行表面改性，考察了表面接技对驻极性能的影响。表面电位被用作表征电荷贮存容量的参数，而热刺激电荷衰减（ＴＳＣＤ）的半值温度（Ｔ１／２）则是衡量电荷贮存稳定性的标志。实验结果显示，氟元素表面接枝可提高电荷贮存容量５０％并使Ｔ１／２增加２５℃。文中还利用红外光谱揭示了处理过程中化学结构的变化，特别是Ｃ－Ｆ、Ｃ＝Ｏ等极性键的引入，最后化学结构与陷阱密度及改性效果之间的关系。

退火对杂化膜驻极体PVDF／SiO_2电荷贮存的影响

该文通过表面电位衰减实验和ＴＳＤ电流谱，研究了退火热处理工艺对杂化膜驻极体ＰＶＤＦ／ＳｉＯ２（ＰＶＤＦ－聚偏氟乙烯）电荷贮存及稳定性的影响．用红外光谱实验对样品退火前、后驻极体性能改变的起因进行了初步探索，得出注极前样品的高温退火处理，可明显改善杂化膜驻极体ＰＶＤＦ／ＳｉＯ２的电荷贮存及稳定性．

Pb^(2+)与Al^(3+)掺杂对SiO_2薄膜电荷贮存性能的影响

较高的表面能是ＳｉＯ２薄膜产生亲水性并导致体内贮存电荷失稳的重要原因。极性Ｐｂ２＋离子的掺入有效地降低了ＳｉＯ２薄膜的表面能，使表面趋于中性，增强了疏水性。此外，Ｐｂ２＋、Ａｌ３＋离子作为填隙式离子和替位式离子的掺入较好地改善了ＳｉＯ２薄膜的网络结构并使其致密化，使样品在保持原有良好的负电荷存储性能基础上，又对称地增加了优良的正电荷贮存能力。这表明降低表面能和增强网络结构是提高ＳｉＯ２薄膜驻电性能的有效途径，ＳｉＯ２ＰｂＯＡｌ２Ｏ３复合膜有希望成为一种新型无机驻极体材料。

电容器贮存电荷能力与可靠性

试图探讨铝电解电容器贮存电荷的能力与电容器可靠性之间的关系。用自放电电压的高低来判定电容器的质量。用铝电解电容器常规的三参数(电容量、漏电流、损耗角正切值)检验电容器的可靠性有一定的局限性,而电容器贮存电荷的能力却与电容器的可靠性之间更有直接的关系,实验证明:在其他条件一定的情况下,电容器自放电电压越高,电容器的可靠性越高。

贮存电荷对非线性逻辑门开关通断速度的影响

从Ebers－Moll方程组出发，建立在矩形脉冲激励下的BJT反相器的非线性耦合微分方程．介绍了MATH程序语言在求解逻辑门开关电路的非线性耦合微分方程中的具体应用.说明中性区和空间电荷层内贮存电荷对逻辑门开关速度的影响．

束流切割器的高电压驱动器

介绍了一个满足束流切割器的要求而设计的新型驱动器，它的原理基于电荷贮存延迟的理论。

3种SiO2基无机驻极体材料STBR、SPAP及SiO2薄膜的性能对比与研究

运用热氧化和高温熔凝工艺在轻掺中阻硅片(ρ=8~13Ω·cm)上制备了3种无机驻极体:SiO2薄膜、SiO2-Ta2O5-B2O3-RO复合材料(STBR)以及SiO2-PbO-Al2O3-P2O5复合材料(SPAP)。实验结果显示,STBR为微晶结构,其材料介电常数高达~2000级别,而SPAP为非晶态结构,其介电常数小于3。恒压电晕充电后所有材料均可以获得与栅压相近的表面电位并在室温下保持一定时间;TSD热刺激放电显示3种材料的电荷输运特性各不相同,其中SiO2薄膜的负电流峰位于T=295℃并随充电温度的提高而向高温区漂移,正电流峰则显示异常,总电流谱呈多峰结构;而STBR和SPAP材料的电流谱则均为单峰结构,正负对称,其中STBR的主峰位于T=240℃,而SPAP的主峰位于T=290℃,基本不随充电温度的变化而改变,显示出完全不同的驻电特性,这表明它们是两种新型的无机驻极体复合材料。

快速过零甄别器

本文介绍一个新型的过零甄别器，该甄别器用电荷贮存二极管设计而成，它用于成形测量时间的起始信号。

SiO2溶胶“纳米粘合剂法”制备介孔纳米复合材料和应用

介绍了一种制备介孔纳米复合材料的新方法——SiO2溶胶“纳米粘合剂法”。应用此方法制备的纳米复合材料是介孔材料，材料具有大比表面积和高空隙率的特点；复合材料中的纳米颗粒或固体微粒保持复合前的形态和大小，没有被包覆而有自由表面并直接同外界环境相通，且可复合量较高。因此，这类纳米复合材料不但具有浸泡法和原位法制备的纳米复合材料的优点，而且克服了这2种方法固有的缺点，在光电材料、特种电荷贮存材料、敏感材料和催化材料方面有着广阔的应用前景。

三洋电机公司大容量五号镍氢电池上市

日本三洋电机公司于2004年8月1日上市两款最新的,容量为2500mAh(Min.2300mAh)的5号镍氢充电电池和900mAh(Min.840mAh)的7号镍氢充电电池,同时上市的还有新的快速充电器套装系列N-M57S和M-MR57S(带放电功能).全球镍氢电池的竞争十分惨烈.

一种新型无机微晶驻极体材料SiO2-Ta2O5-B2O3-RO的制备与研究

通过成分选择与匹配,运用高温熔凝工艺在单晶硅片上制备成功SiO2-Ta2O5-B2O3-RO无机复合材料驻极体,实验显示:该材料为微晶结构,具有~2000级别的介电常数;恒栅压电晕充电后可获得与栅压相近的表面电位;TSD热刺激放电显示电流峰位于T=240℃处,固定不变且正负对称,被陷电荷的能阱深度约为~1.22eV;实验结果表明,Si O2-Ta2O5-B2O3-RO是一种同时具备对等正负电荷贮存能力的新型无机微晶驻极体复合材料。

美国最热的实验室

位于美国新墨西哥洲的实验室内最近创造出了比任何已知星球内部温度都要高的温度，这个温度约为20-30亿开。在Sandia国家实验室的Z—Pinch（z箍缩器）上得到了这个温度记录。当时大量电荷贮存在一个称为Marx发生器的装置内，当许多并联电容器被充电后，就迅速地转换为一组八百万伏电压的配置。这个过程被摄像机抓拍成像。如此巨大的放电过程形成了一个二千万安培的大电流，在电流通过一串柱状电线时发生了向心聚爆．这些聚爆物质就达到了我们前面所述的高温，同时还辐射大量的X射线能量。