光电化学腐蚀法制备高长径比硅微通道

在高长径比硅微通道光电化学腐蚀中,需要根据通道尺寸要求实时修正腐蚀电流。研究了物质输运、暗电流对腐蚀电流控制的影响,并提出了腐蚀电流的控制曲线。根据电解液扩散方程和边界条件,推导出通道尖端处HF质量分数与通道长度的关系。根据腐蚀后的暗扫描I-V曲线计算出暗电流密度。与腐蚀电流密度相比,阴离子表面活性剂的暗电流可忽略不计,进而获得了腐蚀电流修正曲线。根据腐蚀电流修正曲线,通过控制光照强度制备出高长径比（大于60）的等径硅微通道阵列。对修正的腐蚀电流进行调整,制备出通道尺寸空间周期性变化的硅微通道结构。研究结果可为高长径比硅微通道的制备提供技术方法。