电解液电反射法研究GaAs/GaAlAs多层结构材料

在研究GaAs和GaAlAs电解液电反射谱的基础上,把电解液电反射方法与电化学可控阳极溶解技术结合起来,对GaAs/GaAlAs多层结构材料进行深度剖面分析。根据阳极溶解过程中电反射谱的变化,研究了多层结构材料的界面性质、p-n结位置和纵向铝组分分布。

InP与In_（1－x）Ga_xAs_yP_（1－y）／InP的电解液电调制反射

研究了ＩｎＰ样品和Ｉｎ１－ｘＧａｘＡｓｙＰ１－ｙ液相外延片在３００～８００ｎｍ范围内的电调制反射光谱。利用Ａｐｓｎｅｓ三点法计算了临界点能量、增宽因子和自旋轨道分裂值。通过实验曲线与理论公式的拟合，确定了临界点能维数及相位因子。并且间接提供了被测Ｉｎ１－ｘＧａｘＡｓｙＰ１－ｙ四元合金的组份值及其它临界点能量值Ｅ０和Ｅ２。

电反射谱线型增宽因于与半导体掺杂浓度关系

电解液电反射(EER)光谱技术,工艺简单,易于实现,并且具有很高的灵敏和分辨率,因此长期以来在研究半导体材料特性方面得到了广泛的应用,例如,半导体的能带结构、光学性质、合金组分等。利用电反射光谱检测化合物半导体材料掺杂浓度的空间分布均匀性也获得了令人满意的结果。但是,这种方法在测量绝对掺杂浓度上遇到了困难,因而至今尚未得到应用。