电解蚀刻法处理的钛及钛合金表面的对比研究

目的通过成骨细胞的体外培养,初步探讨钛及钛合金微-纳米三维形貌对成骨细胞生物学行为的影响。方法采用电解蚀刻法在纯钛及钛合金表面构建出不同尺寸的微-纳米三维形貌,并观察其三维结构表面对成骨细胞黏附、增殖、细胞形态、碱性磷酸酶（ALP）活性的影响。结果在成骨细胞的黏附和增殖方面,纯钛组和钛合金组表面均高于纯钛机械抛光组。纯钛组表面细胞胞体饱满,伸出大量伪足,并可见大量功能颗粒。ALP活性显著高于钛合金和纯钛机械抛光组表面。结论通过电解蚀刻法在纯钛和钛合金表面可形成不同直径和深度的碗形巢样及纳米结构;两个表面即30~50μm和5~8μm的表面和光滑表面相比,都明显促进了细胞的附着;30~50μm的纯钛表面更有利于促进细胞的增殖和分化。

胶体电解蚀刻液口腔内修补脱瓷冠桥的研究

目的 :直接在口腔内修补脱瓷的金属烤瓷冠桥。方法 :通过建立胶体微电解池对金属底层进行电化学处理来获得金属表面微固位孔 ,采用剪切强度测试、扫描电镜观察、临床应用效果进行评价。结果 :抗剪强度平均值为 8.5MPa;SEM观察 :合金表面可形成大量分布均匀的微孔 ,抗剪强度测试后可见金属表面有残余复合树脂以及断裂在微孔内的复合树脂。临床应用 3a观察发现 :金属电化学处理组成功率高于未经处理组。结论 :运用胶体微电解池电化学方法即点式电解蚀刻的方法可直接在口腔内修补脱瓷的金属烤瓷冠桥 ,短期临床效果好。

镍铬合金点式电解蚀刻后与粘结材料的粘结强度

本文用点式电解蚀刻技术对国产Ni—Cr合金处理来提高金属—粘结材料的粘结强度,并对该项技术进行了系统地研究。结果为:1.通过正交设计选出Ni—Cr合金点式电解蚀刻可采用的配方为5％H_2SO_4,350mA/cm^2,2—4分钟。2.点式电解蚀刻与传统电解蚀刻所获得的金属—树脂粘结强度无显著性差别。3.喷砂处理或应用偶联剂对点式电解蚀刻产生的粘结强度无显著影响。4.点式电解蚀刻后Ni—Cr合金与复合树脂获得较高的粘结强度,其中CHEMIACE粘结强度最高(平均27.92MPa),显著高于玻璃离子以及复合羧聚陶瓷粘结材料获得的粘结强度(p<0.01)。文中指出点式电解蚀刻可以代替传统池式电解蚀刻。并对点式电解蚀刻技木的优点和注意事项进行了阐述。

不同粘结材料对电解蚀刻后金属粘结强度的影响

目的 :提高口腔内常用合金与粘结材料粘结强度 ,修补脱瓷与脱塑 ,延长修复体使用寿命。方法 :选用口腔内常用的四种合金 (Ni- Cr,Co- Cr,18- 8和 Cu合金 ) ,对其表面进行电解蚀刻处理 ,用登士伯和拜耳光固化复合树脂粘结 ,并在电子万能试验机上测试抗剪粘结强度。结果 :Ni- Cr、Co- Cr、18- 8不锈钢用登士伯比用拜耳光固化复合树脂获得的粘结强度高 ,差异有显著性。而 Cu合金则无显著性差异。结论 :粘结材料对电解蚀刻后金属粘结强度有影响 ,以上两种粘结材料以登士伯光固化树脂为佳。

不锈钢电解蚀刻速率影响因素研究

研究了不锈钢电解蚀刻工艺中的主要影响因素,包括温度、电流强度、硝酸浓度和氯化钠浓度。实验结果表明,在30℃,电流强度1 A/cm^2,浓硝酸浓度25%,氯化钠浓度4.16%条件下,电解蚀刻速率较为合适,同时工作环境友好、可控。

金属刻度零件电解蚀刻实验探索

本文简述了用电解蚀刻方法制备金属刻度零，并与强酸腐蚀效果进行了对比，同时对有关影响因素作了初步分析。

胶体电解液点式电解蚀刻金属后粘结强度的研究

目的 研究口腔内常用合金经胶体电解液点式电解蚀刻后剪切粘结强度。方法 根据各金属电解配方进行点式电解蚀刻 ,并对蚀刻前后分别与登士伯光敏固化复合树脂粘结 ,比较其剪切粘结强度。对点式电解蚀刻后和抗剪强度测试后的金属表面进行扫描电镜观察。结果 镍铬合金、钴铬合金、18- 8不锈钢、经点式电解蚀刻后均获得较高粘结强度 ,镍铬合金最高 ,同一种合金点式电解蚀刻前后的粘结强度有显著差异 (P <0 .0 1)。

电解蚀刻法制备印制电路板精细线路的工艺优化

以蚀刻因子为指标,通过正交试验对电解蚀刻法制备印制电路板(PCB)精细线路的工艺参数进行优化,得到电解蚀刻的最优条件为:2,5-二巯基-1,3,4-噻二唑(DMTD)15 mg/L,CuCl_2 30 g/L,HCl 0.48 mol/L,阳极电流密度2.4 A/dm^2。在最优工艺条件下,蚀刻因子平均达到7.53,所得PCB精细线路平整均匀,无毛边、短路、断路等缺陷,阴极同步回收得到的铜板呈赤红色,回收率为47.67%。

改进单纯形优化用于电解蚀刻制备印制电路板精细线路

采用电解蚀刻法制备印制电路板(PCB)精细线路。以蚀刻因子为指标,运用改进单纯形法优化对其工艺条件进行优化,得到较优的工艺条件为:Cu Cl2·2H2O 20 g/L,磺胺嘧啶20 mg/L,HCl 0.42 mol/L,电流密度3.42 A/dm2。在该条件下进行5次平行试验所得精细线路非常接近矩形,其平均蚀刻因子为23.893。

化学气相沉积钨单晶管材表面电解蚀刻形成的{110}晶面形貌

报导了具有<111>晶向(轴向)的管状钼单晶基体化学气相沉积(CVD)钨单晶涂层的电解蚀刻工艺及形成的{110}晶面形貌。实验发现,通过电解蚀刻,表面的{110}晶面可以完全被蚀刻出来。蚀刻出来的{110}晶面呈台阶结构,并同<111>晶轴相平行。蚀刻出来的{110}晶面在圆管的表面分成均等六个区。每个区内{110}晶面的台阶面的宽度呈现周期性的变化,开始台阶面较宽,逐渐变窄,然后通过一过渡区后,进入下一周期,{110}晶面的台阶面的宽度又逐渐变宽。

相关因素对钴铬合金碱性电解蚀刻的影响及蚀刻粘结面超微结构观察

目的 :探讨碱蚀浓度和电流电压值对钴铬合金蚀刻的影响 ,并从中优选出具有最大粘结强度的前处理组。方法 :经三组不同的碱蚀浓度和电流电压值蚀刻后的钴铬合金 ,以 10mm/min的速度进行抗张强度测试 ,并运用扫描电镜进行观察。结果 :在 15 %NaOH蚀刻液和 15V/ 2 5 0mA的前处理条件下 ,钴铬合金与粘接树脂的抗张强度最高 ,电镜下发现 ,断裂主要发生在粘结树脂颗粒与偶联剂之间。结论 :碱蚀刻最佳前处理条件为 :15 %NaOH和 15V/ 2 5 0mA ,电镜下观察到的碱蚀微孔和四周散在的线条形白色致密区 ,进一步证实了钴铬合金碱蚀理论。

圆管外表面电解蚀刻机床仿真分析与优化

针对具有{110}晶向(轴向)的钼单晶基体化学气相沉积钨单晶涂层为材料的薄壁圆管零件的电解蚀刻工艺要求,设计了一套电解蚀刻加工系统。完成了该系统的结构设计与三维建模,并运用ANSYS Workbench软件对机床进行静力分析及结构优化。

电解蚀刻不锈钢工艺

介绍了电解蚀刻的原理、工艺流程及采用电解槽蚀刻和刷刻,指出由于操作简单、可控制、污染小、投资少、溶液通用性强等优点,电解蚀刻不锈钢工艺已被广泛应用,且前景广阔。

复杂非光滑表面的电解蚀刻制造

为了获得复杂非光滑表面,基于UG设计了非光滑表面结构,使用电解蚀刻方法在零件表面制造出该复杂非光滑表面,并探索了利用电解蚀刻制造复杂非光滑表面的工艺过程。结果表明:使用电解蚀刻法可以实现复杂非光滑表面的加工,而且在常温下,使用NaCL、NaNO3、Na3PO4等组成的复合型蚀刻液比单纯的NaCL蚀刻液具有更好的蚀刻性能;在电流密度为15A/dm2,复合型蚀刻液蚀刻45钢的蚀刻速率为3.292μm/min;该技术可以应用于类似复杂非光滑表面等结构的制造,特别是机加工很难或者无法实现的结构。

PCB高密精细化导线的发展和制造技术(3)——铜箔(层)电解蚀刻减薄的发展

采用电解蚀刻铜箔是目前制造高密精细导线的最佳方法。在电解蚀刻铜箔中要重视铜粉产生的控制与减少方法,防止导线的缺口和针孔等缺陷,同时保证电解蚀刻铜箔厚度均匀性的最佳方案是建立专用的电解蚀刻铜箔生产线。

钴铬合金酸碱电解蚀刻后与复合树脂粘结强度的比较

作者根据钴铬合金的特性，对其金属支架粘结面采用碱性电解蚀刻，并与常规酸性电解蚀刻后金属支架粘结面与粘结树脂间的粘结强度，进行了比较研究。实验结果表明，碱蚀组的抗张强度（＝８３．７４）高于酸蚀组（＝５５．３２）和单纯喷砂组（＝５２．９）；从试件断面层观察发现，碱蚀组的试件断面主要发生在树脂之间，而酸蚀组和单纯喷砂组则表现在树脂与金属粘结面之间脱离。本文探讨了钻铬合金碱蚀的机理并与常规酸蚀技术进行了比较。

不锈钢板装饰图纹的蚀刻

本文以奥氏体不锈钢（SUS304）极为对象，采用丝网印刷法制作图纹屏蔽掩膜，以脉冲电解法蚀刻装饰图纹，加工速度较快（0．1mm／min），蚀刻出的图纹精度较高，线条最细可达0．1mm，刻深最大可达0．6mm。

不同钛合金表面形貌对成纤维细胞生物学行为的影响

目的：比较3种不同钛合金表面形貌对成纤维细胞生物学行为的影响。方法：通过机械加工法（M组）、直流电解蚀刻法（DC 组）、交流电解蚀刻法（AC 组）成形3种不同钛合金表面形貌，制备标准大小试件，使用场发射扫描电子显微镜（FE-SEM）观察其表面微观形态，将 L929成纤维细胞共同培养于钛合金表面，吖啶橙染色法检测初期粘附性；MTT 法检测表面细胞的增殖情况。结果：DC 组钛表面可见直径5～20μm 微孔，AC 组微孔分布更均匀，M组表面可见微沟纹，无微孔。细胞在3组钛片表面粘附良好，AC 组优于 DC 组和 M组。DC 组和 AC 组细胞增殖性优于 M组，第3～5天 AC 组细胞增殖性优于 DC组。结论：通过交流电解蚀刻法形成的兼具微米-亚微米-纳米三级结构的钛合金表面具有良好的生物相容性，能够促进成纤维细胞的早期附着及增殖。

PCB高密精细化导线的发展和制造技术(2)——制造技术的创新

文章概述了高密精细化PCB中10μm～30μm的线宽/间距(L/S)是目前和今后发展的迫切要求。它的制造技术基础是采用薄铜箔(层),制造方法有"加成法"、"半加成法"和"创新型减成法"。从技术经验和生产成本等角度看,采用电解蚀刻铜箔(层)减薄的创新型"减成法"是制造HDI的主体方法!