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不同偏压下Zn_(1-x)Cd_xSe-ZnSe超晶格室温电调制反射谱研究 被引量:1
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作者 于广辉 范希武 +4 位作者 关郑平 杨春雷 张吉英 申德振 胡德宝 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第1期1-5,共5页
首次研究了在室温和不同直流偏压下 Zn1-x Cdx Se -Zn Se超晶格结构的电调制反射谱 ( ER)的变化。当器件处于弱场范围时 ,随着电场的增加 ,ER谱的信号幅度增加 ,而线型不变 ;在强场区 ,随着电场的增加 ,ER谱的线型发生变化 ,激子跃迁能... 首次研究了在室温和不同直流偏压下 Zn1-x Cdx Se -Zn Se超晶格结构的电调制反射谱 ( ER)的变化。当器件处于弱场范围时 ,随着电场的增加 ,ER谱的信号幅度增加 ,而线型不变 ;在强场区 ,随着电场的增加 ,ER谱的线型发生变化 ,激子跃迁能量红移 ,继续增加反向偏压出现来自于 1 c-2 hh的禁戒跃迁 ,且其强度随反向偏压的增加迅速增加。不同偏压下组合超晶格结构的 ER谱研究表明 ,势垒高度较低的超晶格结构中的激子较易受到电场的调制。 展开更多
关键词 超晶格 电调制反射谱 调制 半导体
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a-Si:H^+太阳电池的电调制反射谱测量
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作者 王宣 王桂芬 +1 位作者 张光寅 马福明 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1989年第3期302-305,共4页
本文报道了用电调制反射(ER)谱技术测量a-Si太阳电池中非晶硅膜的禁带宽度E_g和厚度均匀性的结果。该技术简单,测量灵敏度和分辨率高,并可直接对成品电池进行测量,无需专门加工样品。另外,ER谱只与a-Si膜的性质有关,不受玻璃和ITO膜的... 本文报道了用电调制反射(ER)谱技术测量a-Si太阳电池中非晶硅膜的禁带宽度E_g和厚度均匀性的结果。该技术简单,测量灵敏度和分辨率高,并可直接对成品电池进行测量,无需专门加工样品。另外,ER谱只与a-Si膜的性质有关,不受玻璃和ITO膜的影响。 展开更多
关键词 电调制反射谱 非晶硅膜 太阳能
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新的电调制反射谱技术及其应用 被引量:1
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作者 蔡加法 陈主荣 吴正云 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第8期969-972,共4页
提出一种微接触电调制反射谱(LCER)测试方法,该方示与无接触电调制反射(CER)谱相比较,可极大降低调制电压。给出了自制的详细样品架结构,测量了InGaAs/GaAs量子阱样品,并与光调制反射谱(PR)相比较,结果证实了此方法的可行性和高光谱灵敏... 提出一种微接触电调制反射谱(LCER)测试方法,该方示与无接触电调制反射(CER)谱相比较,可极大降低调制电压。给出了自制的详细样品架结构,测量了InGaAs/GaAs量子阱样品,并与光调制反射谱(PR)相比较,结果证实了此方法的可行性和高光谱灵敏度,表明样品与电极的轻微接触既对测量结果没有明显的影响,又可简化测试条件,降低对测量环境的要求,是研究半导体材料和微结构一种方便而又有效的方法。 展开更多
关键词 微接触电调制反射谱(LCER) 调制反射(PR) 量子阱
原文传递
金属-砷化镓界面的电调制反射光谱与Franz-Keldysh效应研究
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作者 王斌 徐晓轩 +2 位作者 秦哲 宋宁 张存洲 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第8期1701-1704,共4页
通过调制光谱这种基础的光学方法来研究Au-GaAs,Al-GaAs,Ni-GaAs的金属半导体界面的一些电学性质,并且加以比较,其中包括电场、费米能级扎钉和界面态密度等情况。这些界面是通过在SIN+GaAs样品上沉积金属(Au,Al,Ni)生长成的。通过观察... 通过调制光谱这种基础的光学方法来研究Au-GaAs,Al-GaAs,Ni-GaAs的金属半导体界面的一些电学性质,并且加以比较,其中包括电场、费米能级扎钉和界面态密度等情况。这些界面是通过在SIN+GaAs样品上沉积金属(Au,Al,Ni)生长成的。通过观察电反射谱来研究金属GaAs的界面电场和费米能级扎钉的情况,然后通过傅里叶变换这些所取得的电反射谱来分析这些材料的界面性质。通过测量氦氖激光器诱导产生的光电压和激光器光强之间的关系来得到这些材料的界面态密度情况,从而进行进一步的研究。 展开更多
关键词 金属半导体界面 FRANZ-KELDYSH效应 光伏效应 电调制反射谱
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Photo-Corrosion of CdSe Film Electrode by Electrochemical Modulation Reflectance Spectrum
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作者 单忠强 田建华 +1 位作者 刘义平 田文娟 《Transactions of Tianjin University》 EI CAS 2004年第4期255-258,共4页
The photo-corrosion of electrodeposited polycrystalline CdSe electrode was inhibited effectively by coating a thin layer of the conductive polyaniline (PAN) film. The relation between the performance and internal ba... The photo-corrosion of electrodeposited polycrystalline CdSe electrode was inhibited effectively by coating a thin layer of the conductive polyaniline (PAN) film. The relation between the performance and internal band structure of such film-covered PAN/CdSe electrode was studied by the electrochemical modulation reflectance spectrum (EMRS). EMRS of both CdSe and PAN/CdSe electrodes in K4Fe(CN)6/K3Fe(CN)6 solution exhibited typical France-Keidysh oscillations, by which the values of the energy gap and flat band potential were determined. The EMRS results indicated that the energy band structure of CdSe electrode was not changed after coated with PAN film, so that the photoelectrochemical characteristic of PAN/CdSe electrode was rather similar to that of CdSe electrode. 展开更多
关键词 CdSe electrode polyaniline (PAN)/CdSe electrode photo-corrosion electrochemical modulation reflectance spactrum (EMRS)
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