不同偏压下Zn_(1-x)Cd_xSe-ZnSe超晶格室温电调制反射谱研究

首次研究了在室温和不同直流偏压下 Zn1-x Cdx Se -Zn Se超晶格结构的电调制反射谱 ( ER)的变化。当器件处于弱场范围时 ,随着电场的增加 ,ER谱的信号幅度增加 ,而线型不变 ;在强场区 ,随着电场的增加 ,ER谱的线型发生变化 ,激子跃迁能量红移 ,继续增加反向偏压出现来自于 1 c-2 hh的禁戒跃迁 ,且其强度随反向偏压的增加迅速增加。不同偏压下组合超晶格结构的 ER谱研究表明 ,势垒高度较低的超晶格结构中的激子较易受到电场的调制。

a-Si:H^+太阳电池的电调制反射谱测量

本文报道了用电调制反射(ER)谱技术测量a-Si太阳电池中非晶硅膜的禁带宽度E_g和厚度均匀性的结果。该技术简单,测量灵敏度和分辨率高,并可直接对成品电池进行测量,无需专门加工样品。另外,ER谱只与a-Si膜的性质有关,不受玻璃和ITO膜的影响。

新的电调制反射谱技术及其应用

提出一种微接触电调制反射谱(LCER)测试方法,该方示与无接触电调制反射(CER)谱相比较,可极大降低调制电压。给出了自制的详细样品架结构,测量了InGaAs/GaAs量子阱样品,并与光调制反射谱(PR)相比较,结果证实了此方法的可行性和高光谱灵敏度,表明样品与电极的轻微接触既对测量结果没有明显的影响,又可简化测试条件,降低对测量环境的要求,是研究半导体材料和微结构一种方便而又有效的方法。

金属-砷化镓界面的电调制反射光谱与Franz-Keldysh效应研究

通过调制光谱这种基础的光学方法来研究Au-GaAs,Al-GaAs,Ni-GaAs的金属半导体界面的一些电学性质,并且加以比较,其中包括电场、费米能级扎钉和界面态密度等情况。这些界面是通过在SIN+GaAs样品上沉积金属(Au,Al,Ni)生长成的。通过观察电反射谱来研究金属GaAs的界面电场和费米能级扎钉的情况,然后通过傅里叶变换这些所取得的电反射谱来分析这些材料的界面性质。通过测量氦氖激光器诱导产生的光电压和激光器光强之间的关系来得到这些材料的界面态密度情况,从而进行进一步的研究。