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树脂特性与集成电路剥离关系探讨
1
作者
于闯
《集成电路应用》
2003年第12期70-73,共4页
集成电路的环氧树脂封装中,剥离或者称分层是一个比较普遍的问题。剥离发生的原因很多,其中环氧树脂的特性是导致剥离的一个主要方面。本文就环氧树脂的特性对剥离的影响进行探讨。
关键词
集成
电路
环氧树脂
电路
封装
电路剥离
可靠性评价
热应力
吸湿性
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职称材料
ICP-AES测定废电路板剥离料中铅、锌、锡和镍量
2
作者
郭萌
《有色冶金设计与研究》
2019年第6期40-43,共4页
介绍一种将废电路板剥离料粗杂铜样品用盐酸、酒石酸和过氧化氢溶解,在稀盐酸、酒石酸介质中用电感耦合等离子体原子发射光谱法连续测定其中的铅、锌、锡和镍的方法。该方法解决了溶样过程中锡生成偏锡酸沉淀而使结果偏低的问题。通过实...
介绍一种将废电路板剥离料粗杂铜样品用盐酸、酒石酸和过氧化氢溶解,在稀盐酸、酒石酸介质中用电感耦合等离子体原子发射光谱法连续测定其中的铅、锌、锡和镍的方法。该方法解决了溶样过程中锡生成偏锡酸沉淀而使结果偏低的问题。通过实验,确定了合适的分析线和仪器各项参数,4个被测元素的检出限为0.021~0.189μg/mL,相对标准偏差(RSD)(n=7)为1.06%~4.94%,加标回收率在95.00%~101.32%之间,能有效地满足废电路板剥离料粗杂铜样品中铅、锌、锡和镍的日常分析测定。
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关键词
ICP-AES
废
电路
板
剥离
料粗杂铜
铅、锌、锡和镍测定
下载PDF
职称材料
透射式硅基液晶微显示器研制
被引量:
1
3
作者
杨洪宝
李超
+5 位作者
刘凯丽
陈仁军
杨淼
樊卫华
王绪丰
铁斌
《光电子技术》
CAS
2015年第4期217-221,共5页
设计并研制了一种单色透射式硅基液晶微显示器,详细论述了透射式硅基液晶微显示器的整个研制工艺流程。为实现透射式结构,驱动背板芯片采用SOI CMOS工艺设计并且流片;使用两次键合的工艺完成了驱动背板芯片硅外延层的剥离和转移,掌握了...
设计并研制了一种单色透射式硅基液晶微显示器,详细论述了透射式硅基液晶微显示器的整个研制工艺流程。为实现透射式结构,驱动背板芯片采用SOI CMOS工艺设计并且流片;使用两次键合的工艺完成了驱动背板芯片硅外延层的剥离和转移,掌握了实现透明背板的关键技术;以此透明背板为驱动基板完成了SXGA单色透射式硅基液晶微显示器的研制。
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关键词
微显示器
透射式硅基液晶
集成
电路
外延层
剥离
与转移
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职称材料
题名
树脂特性与集成电路剥离关系探讨
1
作者
于闯
机构
SGNEC后工序分公司技术部
出处
《集成电路应用》
2003年第12期70-73,共4页
文摘
集成电路的环氧树脂封装中,剥离或者称分层是一个比较普遍的问题。剥离发生的原因很多,其中环氧树脂的特性是导致剥离的一个主要方面。本文就环氧树脂的特性对剥离的影响进行探讨。
关键词
集成
电路
环氧树脂
电路
封装
电路剥离
可靠性评价
热应力
吸湿性
分类号
TN406 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
ICP-AES测定废电路板剥离料中铅、锌、锡和镍量
2
作者
郭萌
机构
江西华赣瑞林稀贵金属科技有限公司
出处
《有色冶金设计与研究》
2019年第6期40-43,共4页
基金
2016年江西省创新驱动“5511”工程(2016ABC28005)
文摘
介绍一种将废电路板剥离料粗杂铜样品用盐酸、酒石酸和过氧化氢溶解,在稀盐酸、酒石酸介质中用电感耦合等离子体原子发射光谱法连续测定其中的铅、锌、锡和镍的方法。该方法解决了溶样过程中锡生成偏锡酸沉淀而使结果偏低的问题。通过实验,确定了合适的分析线和仪器各项参数,4个被测元素的检出限为0.021~0.189μg/mL,相对标准偏差(RSD)(n=7)为1.06%~4.94%,加标回收率在95.00%~101.32%之间,能有效地满足废电路板剥离料粗杂铜样品中铅、锌、锡和镍的日常分析测定。
关键词
ICP-AES
废
电路
板
剥离
料粗杂铜
铅、锌、锡和镍测定
Keywords
ICP-AES
blisters and scraps from the WPCBs stripping materials
determination of lead
zinc
tin and nickel
分类号
O657.31 [理学—分析化学]
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职称材料
题名
透射式硅基液晶微显示器研制
被引量:
1
3
作者
杨洪宝
李超
刘凯丽
陈仁军
杨淼
樊卫华
王绪丰
铁斌
机构
国家平板显示工程技术研究中心
中国电子科技集团公司第五十五研究所
总参陆航部驻上海地区军事代表室
出处
《光电子技术》
CAS
2015年第4期217-221,共5页
基金
总装备部预研管理中心"十二五"预研项目支持
文摘
设计并研制了一种单色透射式硅基液晶微显示器,详细论述了透射式硅基液晶微显示器的整个研制工艺流程。为实现透射式结构,驱动背板芯片采用SOI CMOS工艺设计并且流片;使用两次键合的工艺完成了驱动背板芯片硅外延层的剥离和转移,掌握了实现透明背板的关键技术;以此透明背板为驱动基板完成了SXGA单色透射式硅基液晶微显示器的研制。
关键词
微显示器
透射式硅基液晶
集成
电路
外延层
剥离
与转移
Keywords
microdisplay
transitive liquid crystal on silicon
lift-off and transfer epitaxial layer of IC
分类号
TN873.93 [电子电信—信息与通信工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
树脂特性与集成电路剥离关系探讨
于闯
《集成电路应用》
2003
0
下载PDF
职称材料
2
ICP-AES测定废电路板剥离料中铅、锌、锡和镍量
郭萌
《有色冶金设计与研究》
2019
0
下载PDF
职称材料
3
透射式硅基液晶微显示器研制
杨洪宝
李超
刘凯丽
陈仁军
杨淼
樊卫华
王绪丰
铁斌
《光电子技术》
CAS
2015
1
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
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参考文献
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