基于单片机的交流电路功率因数自动测量技术

随着国民经济的发展,微机测控技术已经渗透到各行各业的各个领域。采用单片机技术对电机参数进行高精度测量,既可以改变传统的测量方法,同时又能实现电机运行参数的在线检测,对提高电机的运行,改善其性能可以起到一定的作用。本文就介绍了一种以单片机为核心的交流功率因数自动测量方法,阐述了本测量方法的硬件电路和软件系统,并通过实验证明了其具有准确性和实用性。本测量技术的主要特点是简单、可靠、精确度较高,并可以实现负载特性的判断,经过验证,可以在电机交流电路中广泛推广应用。

多模块并联型高压直流电子负载功率控制电路设计

为满足新能源汽车电池测试需求,采用多模块并联的方法设计了高电压直流电子负载功率控制电路,主要包括恒压控制、恒流控制、恒阻控制、电压采集、电流采集、过压欠压保护、按键显示等电路。利用Multisim软件仿真确定电路参数并生成PCB板,对设计的控制电路进行测试。测试结果表明:直流电子负载控制电路实现了电压3~600 V可调、相对误差为0.23%,电流0~50 A可调、相对误差为0.28%。系统整体散热良好,可稳定运行。

功率MOSFET驱动保护电路设计与应用

分析了对功率MOSFET器件的设计要求;设计了基于EXB841驱动模块的功率MOSFET驱动保护电路。该电路具有结构简单,实用性强,响应速度快等特点。在电涡流测功机励磁线圈驱动电路中的实际应用证明,该电路驱动能力及保护功能效果良好。

开关磁阻电机功率电路的设计和保护

开关磁阻电机功率电路的强弱电保护是开关磁阻电机调速系统中的重要组成部分。通过对三相不对称半桥型功率变换器主电路进行分析,设计了开关磁阻电机调速系统过电流、过/欠电压、电力电子部件驱动掉电保护、功率电路看门狗保护等电路,自动判断功率电路过压、过流等故障,并产生相应措施来保护电机。实践证明,该系统能够在恶劣环境中保持长期可靠运行。

1200V功率MOS栅驱动集成电路的设计

文章在国内首次设计并研制出1200V功率MOS栅驱动集成电路。该电路最高偏置电压(Voffset(max))为1200V,最大输出峰值电流为1A,最高工作频率100kHz,温度范围-55～125°C,可同时驱动系统中用于三相图腾柱式输出的高低端功率器件,是SPIC的一种典型电路。

功率电子电路中的混沌现象

对于功率电子学中混沌问题的研究结果表明 ,人们不仅可以驾驭混沌 ,而且还可以利用混沌。该文对Lorenz混沌系统进行分析 ,从中阐述了混沌的基本理论。以降压式DC -DC变换器为例 ,对功率电子电路中的混沌现象进行了探讨 ,并通过计算机仿真观察到了功率变换器随着输入电压VI 的变化而呈现出的混沌波形。文中的波形都是利用MATLAB软件通过计算机仿真获得的 ,便于读者自行验证。

串联型有源电力滤波器功率电路设计

主要讨论功率电路的设计方法。功率电路的设计主要和系统的稳态工作特性有关。因此首先对串联型有源电力滤波器进行了稳态分析 ,建立了系统的等效电路。然后 ,根据等效电路提出了一套基于稳态分析的功率电路设计方法。利用该方法推导出了功率电路设计所要求的各个部分与电网电压畸变率、额定负载、负载功率因数及系统是否进行无功补偿的关系 ,得到了明确的解析表达式。所提方法和推导的结果均通过了实验验证。

电荷泵高端浮动自举式H桥功率驱动电路

提出了一种可以实现极低频甚至是 0 Hz下的高压 H桥功率驱动电路的电荷泵高端浮动自举电路。通过理论分析、仿真和实验 ,证实了在保证驱动器的开关速度不变的情况下 ,该电路能提供稳定的高端浮动电源。同时 ,对 H桥功率驱动电路中高端浮动自举电路的设计方法也进行了探讨。

新型电力电子器件与功率集成电路最新进展

综述了新型电力电子器件与功率集成电路的最新进展，指出ＳｉＣ和金刚石是优于Ｓｉ和ＧａＡｓ的制造电力电子器件的理想材料。

功率集成电路中一种抗闩锁方法研究

在分析功率集成电路中闩锁效应的基础上,采取一种抗闩锁方法,即在高低压之间做一道接地的少子保护环。通过对环的电位、位置和宽度的研究,利用软件工具Tsuprem4和Medici进行模拟比较,并应用于实际版图中进行流片。这种保护结构可以将闩锁的触发电压提高一个数量级,在实际的闩锁静态测试中得到验证。

垂直双扩散结构MOS功率集成电路的设计

提出了一种新型功率集成电路结构的设计方法。通过恰当的版图设计和利用垂直双扩散技术，可以在同一芯片上实现具有效强功率驱动能力的功能电路。这种结构的加工过程同ＶＤＭＯＳ完全兼容，关键技术是采用对接双重扩散形成ＮＭＯＳ结构，为实现芯片中ＮＭＯＳ结构与功率器件结构击穿性能的一致性，图形设计时，应将ＮＭＯＳ单元放置在ＶＤＭＯＳ器件的中心附近以取代部分ＶＤＭＯＳ元胞。通过电路与功率器件的内部连接而形成功率集成电路。

一种基于FPGA的自动功率控制电路设计与实现

由于导航数字接收机模拟前端的差异性及其采用的A/D转换电路不同,导致数字中频信号功率变化范围较大,且量化后的数字信号有效比特位数有较大差异。为了优化后续的基带数字信号处理过程,提出了一种基于FPGA的自动功率控制电路的实现方案。该电路通过可变点数的求平均运算,统计出信号的直流分量,然后将去直流后的信号进行功率估计,最后由功率反馈调整单元进行增益调整,从而保证输出信号的功率基本稳定。

VDMOS-NMOS兼容功率集成电路结构

提出一种完全新型的ＶＤＭＯＳ－ＮＭＯＳ全兼容功率集成结构的设计方法．该结构采用与ＶＤＭＯＳ工艺兼容的对接（ＢｕｔＪｏｉｎｔ）沟道结构形成ＮＭＯＳ器件，利用ＶＤＭＯＳ工艺中ｐ＋区反刻过程形成ＮＭＯＳ器件的有源区，利用ＶＤＭＯＳ工艺中刻双扩散窗口过程形成ＮＭＯＳ器件的栅区及多晶硅互连线．

灵巧功率集成电路中功率MOSFET电流感知方法的研究

功率器件的过流保护是提高灵巧功率集成电路可靠性的关键,采用不同的电流检测方法会有不同的误差。通过对功率MOSFET的电流检测技术的研究,对比分析了几种常用的电流感知方法,重点阐述了应用在灵巧功率集成电路中感知高压功率器件电流的SenseFET结构的工作原理,并分析了影响电流检测准确度的误差源。可以为设计高性能的电流检测过程提供参考。

微型功率电路板强制对流冷却模拟

针对功率型电路板建立强制对流三维模型,采用有限元方法,模拟电路板强制对流条件下的温度分布图和速度分布图,同时获得电路板表面最高温度和表面最大流速随不同功率密度变化的关系.

脉冲LD驱动电源的功率电路设计

激光二极管高性能的安全工作,离不开可靠的驱动电源。本文重点阐述了脉冲LD驱动电源的功率电路设计,包括电压型和电流型两种充电方式;储能电容的实际选择以及脉冲大电流的两种实现方式。

步进电动机系统功率电路损耗仿真研究

首次系统阐述了步进电动机系统功率电路损耗仿真方法，并以五相混合式恒频斩波恒总流步进电动机系统为例做了具体的工作，取得了比较满意的效果。

一种SOI CMOS/LDMOS单片智能功率集成电路

介绍了一种单片智能功率硅集成电路的设计和制造工艺,该电路包括工作于9V低压的常规CMOS管和两个最高耐压为80V、电流通过能力大于3A的LDMOS管。电路采用SOI介质隔离CMOS/LDMOS工艺,芯片面积约50mm2。基于一种简单的二维模型,认为,在功率集成中,纵向导电的VDMOS管由于其导通电阻有一个自限制特点,因此并不特别适合智能功率集成。

功率集成电路技术的进展

本文根据2004年国际功率半导体器件与功率集成电路会议(ISPSD’04)的论文内容对功率集成电路制造技术的近期发展进行了简单的概述。

一种新型P阱NMOS功率集成电路制作技术

提出一种新型的Ｐ阱ＮＭＯＳ功率集成电路制作技术。理论分析表明，该技术可以较好地实现ＶＤＭＯＳＦＥＴ与Ｐ阱ＮＭＯＳ电路的兼容集成。实验结果表明，利用该技术获得的器件结构具有良好的击穿特性。