集成电路器件微波损伤效应实验研究

主要介绍了微波脉冲参数变化对集成电路器件微波易损性的影响。实验表明:集成电路器件损伤功率阈值随着微波频率的增加而增大,随着脉冲重复频率的增加而减小。随脉冲宽度的变化较为复杂,总体是随着脉冲宽度的增加损伤功率阈值逐渐降低,但存在一拐点区域(约100ns),在此区域后,脉冲宽度增加但器件损伤功率阈值变化不甚明显。器件损伤功率阈值基本呈正态分布,且方差较小,因此,器件的损伤概率近似于0～1分布。

高等级集成电路器件引线成形工艺研究

本文针对军工电子产品中广泛使用的引脚未成形的高等级集成电路为研究对象,提出器件引线模具成形及印制板焊盘尺寸控制等工艺方面的观点。在电气互联行业起到作用。如付诸现实将产生32万元或更多经济效益。

浅谈集成注入逻辑电路器件的工艺与价值

分析了互补型集成注入逻辑随机存贮器单元电路的有源寄生元件 ,通过更新和改进工艺 ,其将成为双极型电路实现大规模集成化的重要途径 ,对发展速度较高的电子计算机有重要的意义 .

德国瑞士联手打造原子尺度新型集成电路器件

在德国西门子基金会的支持下，德国卡尔斯鲁尔理工大学（KIT）和瑞士苏黎世联邦理工大学（ETHZ）将联合开展原子尺度新型集成电路器件的研发，德国西门子基金会为此提供了1200万欧元的资助。

一般集成电路器件好坏的大致判断方法

目前，集成电路器件在电子产品中得到越来越多的应用，相应地如何检测集成电路器件的性能与好坏也就显得十分重要。为此，人们往往要使用专门的仪器或组装一些较为复杂的电路对集成器件进行检测。而作为一般的电子产品的维修人员，不具备专门的仪器，也不便于组装复杂的电路。在此，我们向大家介绍只用万用表检测集成电路器件，大致判断其好坏的一些实用方法，以供参考。

下一代集成电路器件和157nm的曝光方法

近年来的半导体集成电路的发展十分惊人,称这种集成电路为现在的集成化电子系统是很合适的.这就是所谓的系统LSE.其系统规模从大规模集成电路(LSI)向甚大规模集成电路(VLSI)扩大,并且器件数量向超过100万个的超大规模集成电路(ULSI)方向发展.21世纪初,ULSI系统本身就是电子仪器系统.可以说,它的发展给社会带来很大影响,以至出现了高速信息化社会.以日、美、欧等国家财团为核心积极开展了以ArF准分子激光(也可作为从远紫外至真空紫外的入口)为中心的光刻技术的研究开发,预计21世纪末将完备0.15μm以下的基础技术.更短波段的真空紫外(VUV)或极紫外(EUV)

集成电路器件工艺先导技术研究进展

中国集成电路技术和产业经过了最新一轮十年的攻关,已经形成了较为系统的布局。分析了国内外集成电路制造技术和产业发展趋势以及中国集成电路制造技术研发布局,概述了22～14 nm节点工艺研发成果、7 nm节点工艺关键技术进展以及5 nm以下节点工艺新结构、新材料技术研发情况。

基于PSPICE9的数字电路元器件故障模型研究

文章提出了使用电路仿真实现电路故障注入与测试的方法,介绍了使用PSPICE9实现电路故障注入的可行途径,论述了仿真自动故障注入的实现方法,讨论并建立了半导体集成数字器件的故障模式仿真模型,通过电路仿真实例进行了原理验证。

电路元器件的物理模型法和宏模型法

探讨了电路器件的建模方法 ,主要讨论了物理模型和宏模型法 。

微电子测试图形在半导体器件、集成电路生产中的应用

一、概述 工艺质量监测与控制是半导体器件和集成电路制造技术所要探讨的重要课题。国外在集成电路研制和生产过程中,推广使用微电子测试图形作为质量控制工具来及时掌握和控制工艺质量问题,获得很大成功。在生产中例行使用的测试图形有着各种用途,诸如工艺控制、工艺设计、电路中元件的测试、生产线之间的相互比较、新产品提高成品率的改进等等都很有实用价值。因此,我们开展了一些试验和探讨。

电路器件级维修及电路在线维修测试仪

1 我国电子设备维修领域需要器件级维修电子仪器、设备的电子电路部分,主要由焊装有许多电子元器件的电路板电路组成。电路板上的元器件故障,会导致电路板的故障,结果使整个设备不能正常工作。购买新的电路板,替换掉故障电路板(板级维修),往往费用很高;与发达国家相比,我国的设备服役期长、更新慢,很多国外厂家已经停产的设备仍在使用,所以还会有买不到电路板而使整个设备停机的情况发生。

基于模糊逻辑的器件与电路建模技术

器件与电路的模型是进行CAD的基础,建模在数学上实质是函数逼近问题。模糊逻辑具有多层前向神经网络类似的万能函数逼近特性,本文介绍了利用这一技术进行器件与电路建模的一些尝试。由于模糊逻辑能自然地表达与问题有关的知识与经验,因此有可能取得较神经网络更好的结果。文章介绍了用模糊逻辑建模的过程,提出了用数论网格的样本点生成方法,最后用实例说明了用于器件与电路建模的效果。

从废印制电路板元器件中分离电容器的方法

以典型废印制电路板湿法剥离得到的元器件为研究对象,通过筛分和磁选相结合的物理方法,分离其中的电容器。研究发现,筛分后电容器分布在9.5-19 mm和4.0-9.5 mm范围内,并且50%以上的元器件与电容器得到分离。9.5-19 mm范围内的元器件经过磁选,可以将强磁性的铜线绕阻类元器件分离出来,剩余元器件采用8 mm宽的条形筛进行筛分,筛上物主要为电容器,筛下物主要为芯片和引脚;4.0-9.5 mm范围内的元器件经过磁选,可以将92.93%的电容器分离出来。

国际功率半导体器件与功率集成电路会议(ISPSD)介绍

众所周知,电力电子器件是电力电子装置和系统的基础。一代新器件造就一代新系统。IGBT登上历史舞台并日趋成熟,迅速地替代了GTR(电力晶体管),不仅使电力电子装置的性质、体积、重量都得到极大的改善,而且因清除了二次击穿等问题,使得通信电源、交流电机变频调速等装置的可靠性大幅度提高。上世纪80年代以来,在将传统的功率器件技术和集成电路技术相结合,双极技术和MOS技术相结合的基础上,国外相继研发了多种新型功率器件,有的已商品化。诸如功率MOSFET,IGBT,CoolMOSFET及IGCT等,国内已广泛应用或正在批量试用。然而,国内应用这些新型功率器件的装置和系统,其性能的优化程度,特别是可靠性,或器件的损坏率均比国外先进工业国有很大差距。较深入地理解各种器件的运行机理和主要电参数的物理意义,对提高应用新型功率器件的设计水平和减少器件损坏率是非常重要的。另一方面,为使电力电子装置更加紧凑小型化,特别是减少引线长度,削弱寄生参数的影响,当前"SOC"和"AIO"是一个重要的发展趋势。"SOC"是把系统安在一个芯片上的产品;"AIO"是将所有元器件都安在一个模块里的产品。这都是功率集成的发展与深化的具体所在。但是,由于种种原因,我国在新型电力半导体器件和功率集成产品方面停滞了,大大落后于当今的国际水平。为此,我们将邀请相关专家或其指导的研究生就国际上该领域的最新进展,撰写某些专题的综述报告,陆续在本刊发表,以供本刊读者、国内的学者和业者了解并掌握这些信息时参考。有基于此,本刊编辑部根据2003年第15届国际半导体功率器件和功率集成电路会议(ISPSD’03)文集的论题,有选择地拟定了以下专题:①功率MOSFET;②超结MOSFET(CookMOSFET);③IGBT;④碳化硅功率器件;⑤功率集成电路。值得指出的是,上述超结MOSFET的研究开发,有我国专家的贡献。碳化硅功率器件比硅功率器件的性能优越,我国老一辈的专家早在上世纪60年代初就已预见,并安排过研制课题和编辑、出版过相应的论文集。(刘鹿生)

分层提取匹配印刷电路板元器件缺陷检测

文中提出了一种基于数学形态学与种子填充相结合的分层提取匹配算法,检测印刷电路板(PCB)中的贴片电阻和电容丢失与立碑、集成电路(IC)芯片丢失与极性错误等缺陷。算法分为PCB图像预处理、分层提取、模板分类匹配3部分。算法的关键在于消除无关信息干扰并通过种子填充算法对各类元器件进行分层提取,然后将不同元器件分别进行基于单链表的模板分类匹配。本算法在检测长度为19 cm、宽度为13.5 cm的PCB样本时,在确保精度为0.1 mm以上的情况下最快检测速度可以达到2 s/块。

基于卷积神经网络的电路板元器件分类算法

为了实现电路板板载元器件的非接触及快速准确识别,提出了一种基于卷积神经网络的电路板元器件分类算法(C-CNN)。将工业相机拍摄的电路板图像进行直方图均衡化,减少光照不均产生的影响。提取监督样本用于训练卷积神经网络,并创建分类模型。将待测图像输入深度卷积神经网络进行特征提取,并利用分类模型对电路板元器件进行识别。利用实际拍摄的电路板板载元器件图像数据集验证文章提出的算法,实验结果表明:C-CNN能够对元器件进行识别,并且性能优于支持向量机及深度神经网络算法。

《电路与器件》课程教学改革探索

本文针对“电路与器件”课程理论教学中目前存在的主要问题进行归纳分析,提出了通过教学内容、教学方式等方面来进行教学改革,提升学生们电路设计能力以及课堂参与主动性和学习兴趣。扎实地学好该门课程,从而为后续专业课的学习打下坚实的基础。

电力电子技术与模拟电子技术对比学习的研究——基于器件功率损耗电路模型

在电力电子技术课程学习中,初学者对电力电子技术与模拟电子技术之间的区别的理解是一个难点,只能在定义和电路组成的基础上去分析,学生对电力电子技术中的"电力"的本质没有真正理解,在后续学习中会不自觉的就把电力电子技术和模拟电子技术混淆,只能靠记忆来记住结论和公式。针对学习中存在的实际问题,提出了构建器件功率损耗电路模型分析电力电子技术和模拟电子技术两者不同的对比学习方法,使学生掌握电力电子技术的本质,为后续学习理清思路,提高学习效率。