在纳米工艺水平下,负偏置温度不稳定性(negative bias temperature instability,NBTI)成为影响集成电路可靠性的关键性因素.NBTI效应导致晶体管阈值电压增加,老化加剧,最终使电路时序违规.为了缓解电路的NBTI效应,定义了时延关键性权值...在纳米工艺水平下,负偏置温度不稳定性(negative bias temperature instability,NBTI)成为影响集成电路可靠性的关键性因素.NBTI效应导致晶体管阈值电压增加,老化加剧,最终使电路时序违规.为了缓解电路的NBTI效应,定义了时延关键性权值和拓扑结构关键性权值.使用该双权值识别的关键门更加精确,并且考虑到了关键门的扇入门为非门的情况,即将非门视为单输入与非门,并将其替换为双输入与非门,从而能更加全面地防护关键门.应用基于双权值的门替换方法对基于45 nm晶体管工艺的ISCAS85基准电路实验结果显示:当电路时序余量为5%时,不考虑非门替换时电路的时延改善率为38.29%,考虑非门替换时电路的时延改善率为60.66%.展开更多
文摘在纳米工艺水平下,负偏置温度不稳定性(negative bias temperature instability,NBTI)成为影响集成电路可靠性的关键性因素.NBTI效应导致晶体管阈值电压增加,老化加剧,最终使电路时序违规.为了缓解电路的NBTI效应,定义了时延关键性权值和拓扑结构关键性权值.使用该双权值识别的关键门更加精确,并且考虑到了关键门的扇入门为非门的情况,即将非门视为单输入与非门,并将其替换为双输入与非门,从而能更加全面地防护关键门.应用基于双权值的门替换方法对基于45 nm晶体管工艺的ISCAS85基准电路实验结果显示:当电路时序余量为5%时,不考虑非门替换时电路的时延改善率为38.29%,考虑非门替换时电路的时延改善率为60.66%.
