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带隙基准电压源的抗SET设计
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作者 翟馗斌 卢雪梅 +7 位作者 郝宁 王涛 葛维维 李博 轩昂 杨孙伟 郭明齐 王赢玺 《微处理机》 2023年第6期6-10,共5页
鉴于带隙基准电路在芯片系统中作为关键电路被广泛应用,针对小工艺尺寸条件下单粒子瞬态效应SET对带隙基准电路造成的辐射影响,对带隙基准电压源的输出端进行电路级抗辐照加固,提出一种由比较器作为开关,并于输出端连接MOS管栅极进行充... 鉴于带隙基准电路在芯片系统中作为关键电路被广泛应用,针对小工艺尺寸条件下单粒子瞬态效应SET对带隙基准电路造成的辐射影响,对带隙基准电压源的输出端进行电路级抗辐照加固,提出一种由比较器作为开关,并于输出端连接MOS管栅极进行充放电的对称式电流补偿电路。经仿真实验,结果表明,所设计加固结构可有效抑制SET对输出电压的影响,有助于提高带隙基准电压源的稳定性。 展开更多
关键词 单粒子瞬态效应 带隙基准电路 电流补偿 电路级加固
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