铈掺杂双钙钛矿氧化物Gd2NiMnO6的电运输性质

采用传统高温固相反应法制备了双钙钛矿氧化物Gd(2-x)CexNiMnO6(x=0,0.1,0.2,0.3)多晶样品。通过样品的XRD谱及电阻率随温度的变化数据(ρ-T曲线)研究了样品的结构和电运输性质。结果表明:该组样品均呈现良好的单相性,属于单斜晶系,空间群为P21/n;该组样品均属于半导体材料,磁场的存在不利于电传导;随着铈元素的掺杂,导电性越来越好;在所测温度区间内,铈的较高浓度掺杂改变了其导电方式,导电机制由变程跳跃方式转变为热激活方式。

应力对La_(0.8)Ca_(0.2)MnO_3薄膜电输运性能的调控研究

采用脉冲激光沉积技术,在LaAlO3和0.67Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.33PbTiO3两种单晶基片上外延生长了La0.8Ca0.2MnO3薄膜.X射线衍射分析表明两种薄膜皆为单取向生长,且面内分别受到压应力和张应力作用.晶格失配造成的应力对薄膜的电阻和金属-绝缘相转变温度Tp影响很大.对LCMO/PMN-PT施加外电场,从而调节薄膜所受应力也可以调制其电阻和Tp.