用不同方法评价0.18μm CMOS工艺栅氧击穿电压和击穿电量(英文)

利用击穿电压和击穿电量这两个参数评价标准0.18μm CMOS工艺栅氧的可靠性,获得击穿电压和击穿电量的两个常用方法是电压扫描法和电流扫描法.对用这两种方法得到的击穿电压和击穿电量进行了对比.通过对比,发现测试方法对击穿电压的影响非常小.但是测试方法却可以在很大程度上影响击穿电量.用电流扫描法获得的击穿电量要比用电压扫描法的要大,这一差别可以从两种方法不同的电流-电压曲线中得到解释.同时,通过考察Weibull分布的斜率还发现,击穿电压值的分布斜率要比击穿电量大的多,而且曲线拟合得更好.这说明用击穿电压获得的分析结果更可靠.综合以上结果,可以认为对0.18μm CMOS工艺可靠性评价而言,击穿电压是比较合适的评价指标.

基于和声搜索的高需求响应低谷负荷过载控制

由于电力系统在低谷负荷时段的负载水平较低,容易出现潮流拥挤、低电量击穿问题,影响系统的稳定性和安全性。为此,提出基于和声搜索的高需求响应低谷负荷过载控制方法。根据配电网拓扑结构,利用和声搜索算法,求解电信号潮流量的具体数值。提取符合和声搜索算法识别需求的信号参量,将低谷负荷解耦处理,构造过载负荷向量,联合相关电量负荷信号,确定低谷负荷过载行为的控制条件,设计高需求响应低谷负荷过载控制方法。实验结果表明,所提方法高需求响应低谷负荷量不超过3.8 kW·h,不会造成低电量击穿问题,能够较好地维护电力系统的稳定运行。

0.18μm CMOS工艺栅极氧化膜可靠性的衬底和工艺依存性

用斜坡电压法(Voltage Ramp,V-ramp)评价了0·18μm双栅极CMOS工艺栅极氧化膜击穿电量(Charge toBreakdown,Qbd)和击穿电压(Voltage to Breakdown,Vbd).研究结果表明,低压器件(1·8V)的栅极氧化膜(薄氧)p型衬底MOS电容和N型衬底电容的击穿电量值相差较小,而高压器件(3·3V)栅极氧化膜(厚氧)p衬底MOS电容和n衬底MOS电容的击穿电量值相差较大,击穿电压测试值也发现与击穿电量相似的现象.其原因可以归结为由于光刻工艺对多晶硅/厚氧界面的损伤.该损伤使多晶硅/厚氧界面产生大量的界面态.从而造成了薄氧与厚氧n衬底和p衬底MOS电容击穿电量差的不同.从Weibull分布来看,击穿电压Weibull分布斜率比击穿电量.击穿电压的分布非常均匀,而且所有样品的失效模式都为本征失效,没有看到“尾巴”,说明工艺非常稳定.