影响晶圆凸点电镀质量的设备因素

随着异构集成模块功能提升和特征尺寸的不断增加,三维集成技术应运而生。凸点之间的互连是实现芯片三维叠层的关键,制备出高可靠性的微凸点对微电子封装技术的进一步发展具有重要意义。详细分析了影响晶圆凸点电镀质量的几种设备因素,包括电镀槽设计、电源系统、温度控制系统和电镀液循环系统,并提出了相应的优化建议。

凸点下金属层湿法刻蚀与凸点底切的控制

介绍了电镀凸点封装工艺流程和其中有关金属层湿化学刻蚀的问题。通过槽式批量和单片机刻蚀相应的UBM(凸点下金属层)的均匀度、刻蚀速率和凸点底切的对比,结果显示单片湿法刻蚀机刻蚀均匀度小于5%且片与片之间刻蚀速率差异小于2%,以及凸点底切小于2μm。槽式刻蚀均匀度较差,一般会大于20%,同时同一批次片与片之间刻蚀速率差异也较大,实验显示超过10%,且刻蚀后凸点底切较深。因此采用单片机进行UBM金属刻蚀可以较好的控制刻蚀过程和提高产品的良率。

1N4626型齐纳二极管的低噪声关键技术研究

分析了二极管的噪声机理和降低噪声的措施,探索了低噪声齐纳二极管的特殊制作工艺,包括Si平面结加保护环、掺氯缓慢升降温氧化、CVD表面钝化、凸点电镀等。用此组合降噪工艺研制的1N4626型齐纳二极管噪声谱密度典型值达到0.11μV/(Hz)^(1/2)(2kHz频率点),比设计指标4.0μV/(Hz)^(1/2)低一个数量级。