铀钼合金电镀前处理工艺影响研究

为了解决贫铀合金经过清洗、蚀刻等电镀前处理后,表面产生大量黑色粉末的技术难题,将铀钼合金依次采用FeCl_(3)溶液蚀刻,HNO_(3)或HNO_(3)∶HF=4∶1酸洗,HNO_(3)活化后,利用XRD、SEM、EDS等对铀钼合金进行表征,研究电镀前处理工艺对铀钼合金表面物相和形貌的影响。结果表明:HNO_(3)能酸洗掉经FeCl_(3)溶液蚀刻产生的黑色物质,但会产生更加难以去除的物质;HNO_(3)∶HF=4∶1能酸洗掉经FeCl_(3)溶液蚀刻产生的黑色物质,但会产生颗粒状UF4,用铜刷去除后,继续采用HNO_(3)活化,表面产生大量聚集状UF4,影响后续电镀。最终确定铀钼合金最佳电镀前处理工艺为FeCl_(3)溶液蚀刻,HNO_(3)∶HF=4∶1溶液酸洗。样品经电镀前处理后,表面形成了均匀的孔道和镀层连锁位点,电镀后,Ni/Zn双镀层比单纯Ni层更加致密平整。

超弹性镍钛合金电镀前处理研究

研究了超弹性镍钛合金的电化学性质，针对镍钛合金表面存在的钝化膜而导致的镀层与基体结合力不良的问题，采用具有溶解和活化作用的浸蚀液以及合适的预镀层，并且选用具有整平能力的镀层作为中间镀层，从而得到结合力良好、外观平滑光亮的镀金层。

超声波清洗在电镀前处理中的应用及选型

常规电镀前处理工艺中加入超声波清洗工艺,利用超声波的空化作用对工件特别是外形结构复杂或有孔洞的工件进行清洗,不仅能缩短清洗时间而且提高清洗质量;主要介绍了超声波清洗的原理、结构特点、电镀前处理工艺中的典型超声清洗工艺等,并对超声波参数选择以及影响超声波清洗效果因素等进行了阐述。

芬顿技术处理铜合金镀件电镀前处理废水

电镀前处理废水一般为高CODcr且难生化处理的水样.通过查阅文献并研究发现可采用Fenton氧化技术降低CODCr.笔者采用Fenton法处理铜合金镀件（小五金）电镀前处理废水,使处理后的水样能达到后续生化处理的水质要求.试验用水样为小五金电镀前处理废水,废水颜色呈钴蓝色,CODCr=350～400mg/L,pH=13.95.通过Fenton反应各单因素条件的试验优化工艺参数,去除率达55％,CODCr降低到175 mg/L,可有效降低废水中的CODCr,减轻下一步生化处理的负担.最佳工艺参数：pH=3.0;质量比CODcr/H2O2=1;质量比Fe2 ＋/H2O2=1;反应时间t=15 min.

铁碳微电解处理电镀前处理废水的试验研究

文章通过对电镀前处理废水试验研究,采用正交实验和单因素试验优化工艺参数,提出曝气式微电解工艺处理该类废水,并获得最佳工艺参数:铁炭比1︰1,pH 3.0,反应时间30 min,气水比15︰1。CODCr的去除率达到90%左右,氰化物,重金属等指标低于检出限。

微电解+改良Fenton氧化法处理电镀前处理废水的工程应用

通过对电镀前处理废水的前期试验研究结果,采用微电解+改良Fenton氧化工艺处理广东东莞某电镀城电镀前处理废水。实践结果证明,该技术应用非常成功,从2007年起至今,工程运行结果稳定,运行费用低,出水水质可以达到广东省《水污染物排放标准》DBDB44/26-2001)的一级标准及第一类污染物最高允许排放标准的要求。

MBR工艺处理电镀前处理废水的应用研究

采用MBR工艺处理电镀前处理废水,研究工艺的可行性及影响因素。结果表明,电镀前处理废水进水的CODCr在600~1000 mg.L-1之间,出水CODCr平均值为52.65 mg.L-1,CODCr去除率在90%以上。水力停留时间、污泥负荷、污泥浓度和溶解氧浓度对处理效果均有一定的影响,实验确定了最佳工艺参数为：水力停留时间14~16 h、污泥负荷0.089~0.16 kgCODCr/kgMLSS.d、污泥浓度7~10 g.L-1、DO为2~3mg.L-1;膜抽吸9 min,停抽1 min。

MBR处理电镀前处理废水COD的工程设计

基于电镀前处理废水的性质,选用膜生物反应器（MBR）工艺对处理废水中COD进行了工程设计.对于MBR系统,从系统的角度综合整合了预处理和MBR工艺,并进行整体优化设计.工程运行实践表明该工艺处理电镀前处理废水是可行的,膜组件清洗周期较长,运行费用较低.当进水COD浓度为1000～1500 mg/L时,系统对COD的去除率超过95％,出水COD浓度保持在50 mg/L以下,达到排放标准.

超声波清洗技术在电镀前处理中的应用

利用超声波在液体中产生的空化效应，可以清洗掉工件表面沾附的油污，配合适当的清洗剂，可以迅速地对工件表面实现高清洁度的处理。

磁性材料电镀前处理的几个问题

1前言 钕-铁-硼磁性材料是将筛分后的钕、铁、硼超细粉经过混料、压制、烧结而成的。根据产品用途要求，机械加工成不同的形状。由于这种材料化学性质比较活泼，极易被氧化，故其成品需要进行电镀涂覆加工。然而电镀涂覆的质量又与它的前处理密切相关。这种前处理工艺一般包括脱脂、去锈、活化等工序。如果这种前处理过程有一个环节处理得不干净，

电镀前处理中混酸浸蚀工艺废气(NO_x)的调查与监测

本文就金属材料电镀前处理混酸浸蚀工艺过程中高浓度二氧化氮(俗称黄烟)的排放量如何确定问题,提出一种调查与监测方法,供污染源调查中对类似工艺排放量估算时参考。这一调查和监测方法是北京市环保监测中心在对××厂电镀车间进行污染现状调查时使用的。因此文中所谈到的具体问题是针对该车间的。一、混酸浸蚀工艺二氧化氮产生简介钢铁、铜。

为防止镀层起泡，锌合金铸件应如何电镀前处理？

答：锌合金铸件电镀的前处理是非常关键的，可从以下方面防止镀层起泡：（1）适于磨抛的锌合金铸件，在操作时用力要均匀，不宜用力过大，除去工件表面的厚度不应超过其致密层的厚度，因为下面是多孔、疏松结构。如果抛光过度会破坏表面的致密层，一旦抛光膏和电镀液渗入基体的孔隙、裂纹中，镀层必然会出现起泡、脱皮现象；（2）锌合金铸件经抛光后，应及时用有机溶剂浸泡（约30min），将残留在工件表面上的抛光膏清除掉，然后进行化学除油或电解除油，其除油液应该是弱碱性的。

铝件电镀前处理有哪些工序？如何设置？

答：根据铝合金镀硬铬实践，最好采用有下列工序组成并设置二条作业线：（1）从脱脂到重金属盐处理。

电镀前处理

1化学抛光在电镀生产线上，工件在电镀前进行的一系列前处理都是为了得到更好的镀层，而化学抛光在整个前处理中是很重要的。化学抛光是指在合适的溶液中，不使用外接电源，依靠化学浸蚀作用对工件进行的抛光。在化学抛光过程中，由于金属微观表面形成了不均匀的钝化膜，或由于形成了类似电解抛光过程中所形成的稠质黏膜，从而使表面微观凸出部分的溶解速度显著大于微观凹入部分，因此降低了零件的表面显微粗糙程度，使零件表面比较光亮和平整。化学抛光广泛应用于不锈钢、铜及铝合金等的抛光，

高硅铝合金电镀环保前处理技术研究

针对当前高硅铝合金电镀前处理中存在高化学需氧量(COD)、磷酸根、硝酸、氢氟酸、氰化物和重金属等污染的问题,开发了一套高硅铝合金电镀环保前处理工艺,该套工艺COD低,无磷酸根、硝酸及氢氟酸,不含氰化物和重金属,使用过程中无NOx气体和HF气体释放。采用相关标准测试了除油剂的洗净力和腐蚀性能;采用贴试纸法和锉刀试验考察了沉锌层的孔隙率和后续镀层的结合力。结果显示:该工艺获得的沉锌层孔隙率低至0.1个/cm2,结晶细致,后续的镀层结合力良好;该工艺完全能替代传统的高硅铝合金电镀前处理工艺,且符合当前推行的清洁生产和环保法规要求。

Fenton-接触氧化联合工艺处理铁合金镀件电镀前处理废水

电镀前处理废水中含有大量难降解有机物,成分复杂,用传统生化法难以处理达标。本实验采用Fenton氧化技术对前处理废水进行预处理,再用生物接触氧化技术后续降解COD,使出水中COD达到《电镀污染物排放标准》(GB21900-2008)表3的水质要求。实验采用实际电镀生产废水,COD=300 mg/L,通过芬顿-生物接触氧化因素实验,优化工艺参数,去除率可达到83%以上,COD降到50 mg/L以下.最佳芬顿反应参数为:pH=3.0,COD/H2O2=1.5,Fe2+/H2O2=2,反应时间t=10 min;生物接触氧化法最佳水力停留时间为7 h,进水pH在6~8之间。

经验荟萃：应用经验——超声波清洗技术应用于电镀前处理

利用超声波在液体中产生的空化效应，可以清洗掉工件表面沾附的油污，配合适当的清洗剂，可以迅速地对工件表面实现高清洁度的处理。电镀工艺，对工件表面清洁度要求较高，而超声波清洗技术是能达到此要求的理想技术。利用超声波清洗技术，可以替代溶剂清洗油污；可以替代电解除油；可以替代强酸浸蚀去除碳钢及低合金钢表面的铁锈及氧化皮。

镀前处理的改进

国内电镀厂 ,忽视镀前处理严重影响了电镀产品质量。因此 ,必须首先对镀前处理的作用提高认识 ,像重视电镀工序一样重视镀前处理 ;采用新工艺、新设备。为此重点介绍了

ABS塑料电镀中无铬粗化液的研究

本文提出了一种用于ABS塑料电镀前处理中的不含铬酸的粗化液.它是在磷酸——三氯化铁的基本液中添加适当助氧化剂所构成,助氧化剂的作用是增强三氧化铁的氧化能力,经过对10个配方的对比研究,确定了添加ZHO—1200/L的配方3和添加ZHO—2的配方6为较佳粗化液。

填孔覆盖电镀的盖帽位漏镀失效分析

针对在使用垂直连续电镀进行填孔覆盖电镀过程中,盖帽树脂镀铜所发生的漏镀问题进行了研究。借助金相显微镜和3D显微镜对漏树脂位置及周边镀层进行了对比,同时结合POFV工艺流程对漏镀失效影响因素进行分析,可以得出,盖帽漏镀铜是由于电镀前树脂表面化学铜层被氧化破坏,在电镀过程中导通不良或者无法导通所致,而电镀前处理段药水槽的高强度喷淋是造成化学铜层被破坏的根本原因。