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题名激光淬火基体对铬层生长影响的电镀机理研究
被引量:2
- 1
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作者
刘峻
张国祥
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机构
江海职业技术学院机电工程系
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出处
《铸造技术》
CAS
北大核心
2016年第3期459-461,共3页
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文摘
采用实验和理论相结合的方法研究激光淬火基体对铬层生长的影响,并分析了其电镀机理。结果表明,激光淬火预处理基体改变铬层生长方式的电镀机理是激光淬火预处理基体所得到的较小粗糙度可以提高过电位,过电位的提高将原始基体的铬层层状生长转变为了外向生长。
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关键词
激光技术
激光预处理
铬层
生长方式
电镀机理
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Keywords
laser technique
laser pre-treatment
Cr-coating
growth mode
plating mechanism
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分类号
TG156.3
[金属学及工艺—热处理]
TQ153
[化学工程—电化学工业]
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题名激光预处理基体细化铬层晶粒的电镀机理研究
被引量:2
- 2
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作者
张国祥
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机构
江海职业技术学院机电工程系
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出处
《激光技术》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第4期538-541,共4页
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文摘
为了揭示激光淬火预处理钢基体细化镀铬层界面晶粒的电镀机理,采用理论和试验相结合的方法进行了理论分析和试验验证。用化学腐蚀法制备了铬层/激光离散预处理基体界面的两侧(铬层界面与基体界面),利用扫描电镜研究了铬层界面晶粒形貌,利用激光粗糙度仪测量了基体界面粗糙度;借助电镀理论构建了以过电位为中间变量的铬层界面晶粒尺寸和基体界面粗糙度关系分析模型;取得了粗糙度与晶粒尺寸呈正比的试验结果和粗糙度与晶粒尺寸呈正比的理论关系,得到了淬火预处理钢基体细化镀铬层界面晶粒的电镀机理。结果表明,激光淬火预处理钢基体得到的较小粗糙度可以提高过电位,过电位的提高减小了铬层界面晶粒尺寸。这一结果对进一步解释激光淬火预处理可以提高基体/铬层界面结合强度是有帮助的。
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关键词
激光技术
激光预处理
铬层
晶粒
电镀机理
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Keywords
laser technique
laser pre-treatment
Cr-coating
grain
plating mechanism
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分类号
TN249
[电子电信—物理电子学]
TG156.99
[金属学及工艺—热处理]
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题名钢铁表面Al-Mo合金镀层的熔盐电镀研究
被引量:1
- 3
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作者
蔡婷婷
李艳芳
武娜
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机构
吕梁学院
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出处
《现代制造技术与装备》
2017年第3期6-7,10,共3页
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文摘
本文研究了用熔盐电镀的方法在钢铁表面电镀Al-Mo合金,将MoCl_5作为添加剂,加入一定配比的AlCl_3-KCl-NaCl熔盐体系。通过电化学测试与相应的电镀实验,得到了电镀试样。经XRD与SEM分析发现,在实验条件下只有金属Al的沉积,而未有金属Mo的沉积。因此,在阴极上发生的是Mo^(5+)向低价离子的转化反应。
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关键词
Al-Mo合金
熔盐电镀
电镀机理
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Keywords
Al-Mo alloy, deposition in molten salt, the mechanismofdepositon
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分类号
TG174.4
[金属学及工艺—金属表面处理]
TQ153.2
[化学工程—电化学工业]
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题名普通镀铜光亮剂在垂直电镀线的盲孔电镀填孔能力研究
被引量:1
- 4
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作者
林旭荣
张剑如
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机构
汕头超声印制板(二厂)有限公司
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出处
《印制电路信息》
2013年第4期229-233,共5页
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文摘
随着盲孔在板件中的应用越来越广泛,传统垂直电镀线在加工纵横比高的盲孔上遇到一些困难,电镀工序出现盲孔与通孔无法同时兼顾的情况。文章从电镀流程中的电流密度、无机药水成分、电镀添加剂比例、搅拌方式等方面着手,通过实验验证的方式讨论了影响垂直电镀线盲孔深镀能力的一些因素,确认最佳电镀条件并应用于实际生产线中,使生产线盲孔深镀能力得到较大能力提升,能获得100%以上的盲孔深镀能力,使得盲孔有接近电镀填孔的效果。
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关键词
电镀机理
深镀能力
电镀添加剂
打气
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Keywords
Plating Mechanism
Throwing Power
Plating Additive
Air stir
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分类号
TN41
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名TSV电镀铜添加剂及作用机理研究进展
- 5
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作者
马盛林
王燕
陈路明
杨防祖
王岩
王其强
肖雄
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机构
厦门大学萨本栋微米纳米技术研究院
厦门大学高端电子化学品国家工程研究中心
厦门大学化学化工学院
厦门理工学院
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出处
《中国科学:化学》
CAS
CSCD
北大核心
2023年第10期1891-1905,共15页
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基金
厦门大学校长基金项目(编号:2072022)。
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文摘
后摩尔时代,TSV三维互连成为高端电子器件制造的关键技术之一.TSV电镀铜填充是主流金属化的方法面向晶圆级TSV互连工艺集成应用.本文总结了电镀铜添加剂的国内外研究与发展现状,主要包括加速剂、抑制剂以及季铵盐整平剂、含氮聚合物整平剂、含氮杂环整平剂、无机分子整平剂的分子结构,添加剂与Cl−协同作用关系,主要添加剂分子之间协同作用关系,TSV电镀铜填充机理模型等,并凝练提出了TSV电镀铜添加剂及作用机理研究面临的关键问题,以期为TSV添加剂以及作用机理的研究带来一定启发.
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关键词
TSV
电镀铜
添加剂
作用机理
TSV电镀铜填充机理
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Keywords
TSV
copper electroplating
additive
action mechanism
TSV electroplated copper filling mechanism
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分类号
TN05
[电子电信—物理电子学]
TQ153.14
[化学工程—电化学工业]
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