阵列式日盲紫外成像CMOS读出集成电路及凸点连接的制作

可以广泛应用于军事和工农业生产上的CMOS紫外焦平面阵列(UVFPA)是近年来比较热门的研究课题。它可以比较容易地实现日盲式紫外探测和可见光盲式紫外探测。但在CMOS UVFPA的研制中,读出集成电路(ROIC)成了制约其发展的很重要的一环。ROIC芯片是实现探测器的信号输出的重要部件。混成式CMOS UVFPA要借助于先进的微电子封装工艺将ROIC与探测器阵列集成在一起。其中则需要制备用于高密度、高精确度互连的阵列凸点。我们通过蒸发结合光刻法和电镀法分别制备了线度为30μm×30μm的16×16凸点阵列。并对两种制备方法做了比较,在分析了制作的凸点的质量后,认为经过改进的蒸发结合光刻法可以制作高质量的阵列凸点。