封装基板高速电镀铜柱制作技术

集成电路封装基板是芯片的载体,也是连接芯片与外部电路的纽带。电镀铜柱是集成电路封装基板制造中的关键技术。理论上,电镀铜柱可以使用比填孔电镀更大的施镀电流密度,但是由于电镀添加剂的限制,企业目前最大使用3 A/dm^(2)的电流密度来沉积铜柱。文章筛选出了一种在高电流密度下电镀铜柱的添加剂。使用单因素试验和正交试验方法优化了该添加剂的施镀条件,在15 A/dm^(2)的高电流密度直流电下电镀75 min制作了高度为230μm,均匀性良好,高度差和dimple合格,可靠性良好的铜柱,提高了生产效率,具有较好的产业化应用的前景。

等离子诱发干膜表面改性及在均匀电镀中的应用

传统的去膜工艺不能够完全清除干膜微孔底部的残留物,导致干膜微孔生长电镀铜柱的均匀性较差.本文引入O2/CF4等离子对干膜微孔进行清除处理,对比研究了等离蚀刻处理前后干膜表面的形貌、表面元素、表面粗造度、浸润性,考察了干膜微孔电镀铜柱底部的均匀性.结果表明,经O2/CF4等离子处理后,干膜表面粗糙度变大,干膜微孔内的残留得到有效的清除,干膜微孔所生长的铜柱底部表现出更好的均匀性.