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铌酸钾锂晶体的生长和缺陷 被引量:3
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作者 万尤宝 吴宇容 +3 位作者 陈静 褚君浩 郭少龄 李晶 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第1期5-9,共5页
用电阻加热提拉法生长了一系列较大尺寸 ,组分离子均匀性较好的铌酸钾锂晶体。利用X射线荧光光谱法测量了不同配比的熔体中生长出的晶体组成 ,用同步辐射X射线测量了晶体结构 ,结果表明随晶体组成变化 ,晶体的晶格常数发生了变化。根据... 用电阻加热提拉法生长了一系列较大尺寸 ,组分离子均匀性较好的铌酸钾锂晶体。利用X射线荧光光谱法测量了不同配比的熔体中生长出的晶体组成 ,用同步辐射X射线测量了晶体结构 ,结果表明随晶体组成变化 ,晶体的晶格常数发生了变化。根据晶体组分离子浓度与折射率的关系研究了晶体折射率变化情况 ,结果表明用本方法生长的大尺寸KLN晶体 ,寻常折射率no 在测量误差范围内没有变化 ,非寻常折射率ne 的变化率在 82 0nm仅为1.2 2× 10 -4 /mm ,在 410nm仅为 1.93× 10 -4 /mm。晶体的干涉条纹证明了晶体有良好的光学均匀性。结合晶体生长实验 ,探讨了改进晶体组分离子浓度分布均匀性的方法 ,结果表明采用籽晶和坩锅向相同方向旋转可以改善晶体生长界面处组分离子浓度的波动 ,提高晶体组分离子均匀性。晶体的缺陷研究表明晶体结构完整性较好 ,位错形状与晶体结构相一致 ,密度为 7.5× 10 4 ,[0 0 1]轴是晶体的极化轴。晶体对 890~ 96 0nm波长范围的cw 展开更多
关键词 铌酸钾锂 晶体结构 干涉条纹 倍频 电阻加热提拉法 晶体生长 缺陷
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