非对称电阻场板场效应器件击穿特性仿真分析

利用TCAD仿真研究一种二维紧耦合电阻场板电流调制原理下的物理模型与最优化结构。通过优化关键工艺与材料参数,改善器件漂移区尖峰电场,最终在相同漂移区掺杂下击穿电压较一维PN结理论击穿电压提升273%,相同归一化击穿电压10%变化范围下,漂移区电荷变化允许冗余范围比现有传统PN超结拓宽15倍。相较于对称电阻场板场效应器件,在现有工艺下非对称优化电阻场板场效应器件能够更好的实现结构小型化与高密度的设计。

具有电阻场板的薄膜SOI-LDMOS的精确解析

介绍了一种对具有电阻场板的薄膜SOI LDMOS的精确解析设计方法 .在对电场分析的基础上 ,提出了新的电离率模型 ,并求出了电离率积分的准确路径 ,进而得到击穿电压、漂移区掺杂、漂移区长度与SOI硅层厚度、埋氧层厚度的关系 .模拟结果表明 ,解析与模拟结果具有很好的一致性 ,而且设计的器件具有击穿电压大、比导通电阻极小的优点 .

电阻场板LDMOS表面电场解析模型及优化设计

提出具有电阻场板(Resistive field plate,RFP)硅基LDMOS表面电场和击穿电压解析模型。基于求解二维Poisson方程,此模型给出了二维表面电场和电势与器件结构参数和漏偏压关系的解析表达式;计算漂移区长度与击穿电压的关系,提出了一种优化高压器件的有效方法。解析结果与用MEDICI模拟的数值结果吻合较好,验证了模型的准确性,该模型可用于体硅RFPLDMOS的设计优化。

利用电阻场板提高SOI-LIGBT的性能(英文)

通过在SOI LIGBT中引入电阻场板和一个p MOSFET结构 ,IGBT的性能得以大幅提高 .p MOSFET的栅信号由电阻场板分压得到 .在IGBT关断过程中 ,p MOSFET将被开启 ,作为阳极短路结构起作用 ,从而使漂移区的过剩载流子迅速消失 ,IGBT快速关断 .而且由于电场受到电阻场板的影响 ,使得过剩载流子能沿着一个更宽的通道流过漂移区 ,几乎消去了普通SOI LIGBT由于衬偏造成的关断的第二阶段 .这两个因素使得新结构的关断时间大大减少 .在IGBT的开启状态 ,由于p MOSFET不导通 ,因此器件的开启特性几乎与普通器件一致 .模拟结果表明 ,新结构至少能增加 2 5 %的耐压 ,减少 6 5 %的关断时间 .

金属场板加SIPOS电阻场板的新型终端技术

本文介绍了一种金属场板结合SIPOS电阻场板的新型终端结构,该终端能实现平面结理想击穿值的80％以上。对这种终端结构的设计,采用了一种简单方法。根据实验结果,对金属场板和SIPOS电阻场板的互补功能进行了详细的分析。