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一种CMOS混合信号电路衬底噪声耦合模型
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作者 朱樟明 杨银堂 付晓东 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2007年第4期519-523,共5页
利用二维器件模拟器MEDICI提取出重掺杂外延型衬底的电阻宏简化模型,所需的6个参数均可通过器件模拟得到,能够精确表征混合信号集成电路中的衬底噪声特性。基于0.25μm CMOS工艺所建立的电阻宏模型,设计了简单的混合信号电路进行应用验... 利用二维器件模拟器MEDICI提取出重掺杂外延型衬底的电阻宏简化模型,所需的6个参数均可通过器件模拟得到,能够精确表征混合信号集成电路中的衬底噪声特性。基于0.25μm CMOS工艺所建立的电阻宏模型,设计了简单的混合信号电路进行应用验证,证明了该模型能够有效表征混合信号集成电路的衬底噪声。 展开更多
关键词 衬底噪声 混合信号集成电路 电阻宏模型互补 金属氧化物半导体
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