3～10GHz平坦增益超宽带CMOSLNA设计

提出了一种基于共源共栅及电阻并联反馈结构的超宽带低噪声放大器（LNA）。在3～10GHz的工作频段范围内，采用电阻并联反馈和7c型匹配网络结构，实现宽带输入匹配，并有效减小整个电路的噪声系数。利用共源共栅输出漏极的并联峰化技术，实现平坦的高频增益及噪声的有效抑制。采用源极电感（L8）负反馈及晶体管M3构成的源极跟随器，提高电路的线性度和输出匹配。基于TSMC0．18μmRFCMOS工艺库，采用CadenceSpectreRF，对LNA原理图和版图进行仿真。仿真结果显示，该LNA的S11和S22均小于-10dB，S12小于-32dB，S21为11．38±0．36dB，噪声系数为3．37±0．2dB，P1dB和IIP3分别为-9．41dBm和-2．7dBm。设计的I。NA在带宽内具有良好的输入输出匹配、较好的反向隔离度及线性度、高且平坦的增益和低且平坦的噪声系数。

一种新型超宽带CMOS低噪声放大器设计

结合电阻并联反馈,利用PCSNIM流程设计了一个用于超宽带(UWB)系统的宽带LNA电路。电阻并联反馈降低了输入电路的Q值,使窄带LNA带宽增加,而对NF的影响很小。用TSMC0.18CMOS工艺进行仿真,结果表明,LNA在3.1￣5.1GHz带宽范围内NF小于2.9dB,输入匹配优于-10.5dB,功率增益为12.9dB,带内波动仅为1dB。在1.8V电源电压下,核心电路功耗为7.5mW。

CMOS 3～5GHz超宽带低噪声放大器的设计

设计了一个应用于超宽带（UWB）系统的3-5 GHz超宽带低噪声放大器.电路由二阶切比雪夫滤波器,电阻并联反馈,两级共源共栅结构,源级跟随器组成.低噪声放大器采用0.18 mCMOS工艺进行设计,利用ADS 2006 A进行仿真.结果表明,低噪声放大器在3-5 GHz带宽范围内噪声系数（NF）小于2dB,功率增益在23.9-24.8 dB之间,输入端口反射系数小于-10dB,输出端口反射系数小于-15dB,IIP3为-11dBm在1.8 V的电源电压下,核心电路功耗为10 mW.