单分散RuO_(2)球形颗粒的制备及RuO_(2)/CuO电阻性能的研究

二氧化钌(RuO_(2))具备较高的电阻稳定性和较低的电阻温度系数,被广泛应用于制备厚膜电阻浆料的导电相。以无水氯化钌为原料,水为反应介质,选用绿色且经济的还原剂,利用水热还原法,得到了兼具单分散和高球形度的RuO_(2)颗粒,可满足电阻浆料制备的需要。采用扫描电子显微镜(SEM)分析了RuO_(2)粉的形貌、粒径和团聚状态,以X射线衍射仪(XRD)检测颗粒的晶相,并利用电化学工作站测试了RuO_(2)球形颗粒与RuO_(2)/CuO复合材料的电阻特性。结果表明:单分散、球形度高、尺寸均匀的金红石型纳米RuO_(2)的阻抗值最小,其导电性明显优于出现明显团聚的RuO_(2)颗粒,RuO_(2)/CuO也表现出较强的导电性。由阻抗测试结果可知,RuO_(2)颗粒的加入可显著提升CuO的导电性。

掺锑对二氧化锡压敏电阻性能的影响

通过对样品 V- I特性和势垒特性的测试和分析 ,研究了掺锑对二氧化锡压敏电阻性能的影响。Sn O2 ·Co2 O3基本上不具有电学非线性 ,掺杂很少量的 Sb2 O3可明显改善材料的非线性。研究中发现掺杂 x ( Sb2 O3)为0 .0 1%的样品具有最高的质量密度 (ρ=6.90 g/ cm3)、最高的视在势垒电场 ( EB=2 76V / cm)和最好的电学非线性( α=12 .89)。提出了 Sn O2 · Co2 O3· Sb2 O3的晶界缺陷势垒模型。

DG合金电阻性能的影响因素

采用粉末冶金方法，制备了用于电力电子半导体支撑板的一种新型的ＦｅＮｉ／Ｃｕ复合材料（简称ＤＧ合金），详细研究了ＤＧ合金，电阻性能的各种影响因素———铜含量、烧结温度、ＦｅＮｉ粉和铜粉的粒度、Ｃｕ纤维的长径比。实验结果表明：ＤＧ合金的电阻率不仅与铜含量有关，还与ＦｅＮｉ与Ｃｕ相的界面扩散、分布形态、结合强度有关。

磺酸盐型水性聚氨酯/聚吡咯导电材料的原位制备与电阻性能

以聚乙二醇(PEG1000)、异佛尔酮二异氰酸酯(IPDI)以及2,4-二氨基苯磺酸钠(DASS)为原料,通过预聚体法合成了磺酸盐型水性聚氨酯分散液(SWPU)。再以FeCl3为氧化剂,采用原位化学氧化聚合法使吡咯(Py)在SWPU中聚合,制备了磺酸盐型水性聚氨酯/聚吡咯(SWPU/PPy)导电复合材料。研究了制备条件(如投料比和投料顺序)、反应条件等对磺酸盐型水性聚氨酯/聚吡咯(SWPU/PPy)导电复合材料电阻性能的影响。红外光谱图表明PPy与SW-PU分子间存在氢键缔合。实验结果亦表明,最佳制备条件为:Py浓度为30%,n(FeCl3)/n(Py)=2.2,投料顺序为SWPU→Py→FeCl3,反应温度0℃(冰浴),反应时间为3h,SWPU/PPy电阻率可达到1Ω·cm。

水基阳离子聚氨酯/聚吡咯导电材料的原位制备与电阻性能

以N-甲基二乙醇胺(MDEA)为扩链剂,聚乙二醇(PEG1000)、异佛尔酮二异氰酸酯(IPDI)为原料,通过预聚体法制备了系列水基阳离子聚氨酯分散液(CWPU)。再以FeCl3为氧化剂,在CWPU中进行吡咯的原位化学氧化聚合制备聚氨酯/聚吡咯(CW-PU/PPy)复合导电材料。红外光谱图表明PPy与CWPU分子间存在氢键缔合。经PPy改性后,CW-PU/PPy的分散液的平均粒径由10.61nm增加至30.29nm,粒径分布系数由0.850下降至0.346。原位聚合过程中PPy能均匀包裹于CWPU胶粒表面,CWPU/PPy分散液胶粒呈球形结构,彼此间相互独立。实验结果亦表明,当Py浓度为20%、反应温度为40℃、反应时间为2h、n(FeCl3)/n(Py)=2.0时,CWPU/PPy复合薄膜的表面电阻率可达到20Ω.cm。

机械球磨对Sr_2FeMoO_6磁电阻性能的影响

利用固相反应方法合成了纯相的Sr2FeMoO6多晶块状陶瓷材料,并通过机械球磨方法改变了其晶界状态,研究了晶界状态对Sr2FeMoO6粉末磁电阻性能的影响.X射线衍射分析表明,机械球磨并没有改变材料的晶体结构,但却在晶粒间界处引入了SrMoO4绝缘相,而且其含量随着球磨时间的增加而增加.不同磁场下的磁电阻测量结果显示,由于一定量SrMoO4绝缘相的存在,使晶粒间的绝缘隧穿势垒得到加强,有利于自旋极化电子在晶粒间的隧穿,提高了Sr2FeMoO6多晶粉末材料低温时的磁电阻值.随着温度的升高,磁电阻值迅速下降,表现出较强的温度依赖关系.分析结果表明:晶界状态对Sr2FeMoO6多晶粉末磁电阻的性能有十分重要的影响.

(Sr,Ba)_3MoO_6添加剂对(Sr,Ba)_2(Fe,Mo)_2O_6系统磁电阻性能的影响

通过固相反应法合成了一系列 (Sr ,Ba) 2 (Fe ,Mo) 2 O6+x (Sr ,Ba) 3 MoO6(0≤x≤ 1)陶瓷样品 结果表明 ,适量的 (Sr ,Ba) 3 MoO6添加剂能够使多晶 (Sr ,Ba) 2 (Fe ,Mo) 2 O6材料的磁电阻效应Δρ/ρ得到明显提高 ,并且陶瓷样品的最佳烧结温度降低至大约

IR推出新系列40V至200V车用MOSFET,提供基准导通电阻性能

全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司（InternationalRectifier，简称IR）近日推出车用MOSFET系列，可为一系列应用提供基准导通电阻（Rds（on）），包括电动助力转向系统（EPS）、集成式起动发电机（ISA）泵和电机控制，以及内燃机（1CE）和混合动力汽车平台上的其它重载应用。

地毯电阻性能检测关键技术研究

介绍地毯电阻检测关键技术研究的要点及测试仪器的设计和使用效果。阐述了地毯电阻测试的技术原理,采用可分档调节的直流稳压电源以及恒重量的粘有导电橡胶板的柱状电极给试样施加电压,将加压后的试样与已知阻值的标准电阻组成惠斯通电桥测试回路,测量试样的电阻值,使得研制出的地毯电阻性能测试仪测试结果准确,稳定性好,能够正确评价不同地毯材料的电阻性能。

安森美发布创新沟槽处理技术 具有业界极佳导通电阻性能

安森美半导体日前发布一项独有沟槽处理技术，与当前市场上的其他沟槽处理技术相比，平均可改善导通电阻40％。

满足航空应用对电阻性能的新需求

推动飞机制造商的两个主要因素是提高燃油效率和符合防治污染的法规。为了提高燃油效率,电子设备被挪到靠近工作区的位置,通过减少电缆用量,达到减轻飞机重量的目的。为符合防治污染法规的要求,在地面上会使用电动引擎来移动飞机。然后,这些变化对包括电阻在内的电子元器件的性能提出了新的需求。在本文里,我们将讨论用于航空应用的不同类型的电阻,从启动电阻,到高精度片式电阻和电阻网络,以及所要求的性能参数,包括在苛刻工作条件下的耐高温能力、长期稳定性、低TCR和严格的公差。

工艺参数对Ta/Al合金电阻薄膜性能的影响

Ａｌ原子含量约为５０％的Ｔａ／Ａｌ合金薄膜具有优良的电阻性能。使用直流共溅射的方法制作这种薄膜，靶极采用了Ａｌ面积为４５％的Ｔａ／Ａｌ复合靶。研究了工艺参数如溅射气压、溅射电压以及热处理条件等因素对该薄膜的性能影响。结果表明，这种Ｔａ／Ａｌ合金薄膜能用于制作功率稳定的电阻器或电阻网络。

玻璃助剂对厚膜NTC热敏电阻器的性能影响

系统研究了Mn Co Ni系厚膜NTC热敏电阻器的电阻性能与玻璃助剂质量分数的关系,结果表明:当玻璃助剂质量分数为(10～30)×10-2时,电阻性能参数(RT,ρT,B和αT)随玻璃助剂质量分数的增加而显著增长;当玻璃助剂质量分数继续增加,则电阻性能参数基本不变。但当玻璃助剂质量分数为5×10-2时,厚膜电阻因烧结性能变差而导致电阻性能不稳定,同时,电阻性能参数均异常增大。当玻璃助剂质量分数为30×10-2以上时,采用本工艺制备的厚膜NTC热敏电阻器具有良好的工艺性和热稳定性。

ZnO压敏电阻器的性能及发展

简要回顾了ZnO压敏电阻器的历史 ,阐述了ZnO压敏电阻器的性能以及当前基础性研究的现状 ,并对其发展进行了展望。研究了Bi2 O3 和TiO2 的掺杂对低压ZnO压敏电阻性能和微观结构的影响规律 ,从理论上分析了Bi2 O3 和TiO2 添加剂的作用机理。为ZnO压敏电阻的低压化提供了理论依据和方法。

Sc的掺杂对La_(0.7)Sr_(0.3)MnO_3磁电阻性能的影响

采用配合物热分解法制备了Mn位Sc掺杂La0 .7Sr0 .3 MnO3 的多晶体相材料 ,考察了掺杂对结构、磁性和磁电阻性能的影响 .结果表明 ,少量Sc的掺入可使体系Curie温度大大降低 ,电阻急剧增加 ,并可显著提高磁电阻效应 .在高于金属 绝缘体转变温度TMI的温度区域 ,R(T)遵循局域态电子跃迁模型 :R(T) =R0 exp(T0 /T) 1/4 .随着Sc掺杂量的增加 ,Fermi能级附近的禁带宽度加大 ,体系的传导电子迁移速率大幅度减小 ,从而使电阻增加 .

Ni－Mo系50℃自补偿应变电阻合金性能研究

对Ｎｉ－Ｍｏ系应变电阻合金成份、加工工艺、合金性能进行了研究。特别对典型合金的Φ０．０３ｍｍ细丝应变电阻性能及制片性能进行了详细地研究。本研究最终为５００℃自补偿应变测量，提供了良好的合金。

γ-FeMnAlCr反铁磁合金电阻应变性能的探索

研究了γＦｅＭｎＡｌＣｒ合金的电阻应变性能。实验结果说明，γＦｅＭｎＡｌＣｒ合金丝的室温电阻应变灵敏系数为４．０～４．２，制成的应变片灵敏系数平均为３．７，远高于目前常用的应变电阻合金。合金发生反铁磁→顺磁转变时灵敏系数将急剧下降，说明γＦｅＭｎＡｌＣｒ合金的高灵敏系数来源于合金的反铁磁自旋有序结构。此外，γＦｅＭｎＡｌＣｒ合金具有较小的机械滞后，但蠕变和电阻温度系数较大，因此它适合于室温的动态应变测量。

多种杂质对VO_2薄膜电阻突变性能的影响

理论上计算了VO_2薄膜点阵常数的变化及杂质对VO_2薄膜晶体中键长的影响,研究了K、Na、Fe、Si等多种杂质离子对VO_2晶体点阵常数和键长的影响。结果表明,杂质使VO_2薄膜晶体中的键长伸长,点阵常数增大,晶体结构稳定性降低,电阻突变温度降低,电阻突变数量级减小。

聚氨酯护套材料绝缘电阻性能的研究及改进

我公司于上世纪90年代与用户一同研制雷达用水密电缆，在2001年2月份签署了第一份技术协议，该技术要求中含有5种水密电缆，4种非水密电缆，同年第一批雷达用水密电缆研制成功并投入使用，通过严格测试得到用户好评。随着用户对雷达的改进，也对该水密电缆提出了更高的要求，即提出了电缆外护套绝缘电阻的性能考核指标。

氧化镍基电阻存储薄膜的电学性能研究

以醋酸镍为原料,乙二醇甲醚为溶剂,苯酰丙酮为化学修饰剂,采用溶胶-凝胶法与化学修饰法相结合的方法制备感光性氧化镍基溶胶及凝胶膜,凝胶膜进行热处理后,进行电学性能测试,结果表明在不同热处理温度下的薄膜都具有明显的电阻开关特性,且随着热处理温度的升高,薄膜的复位电压有变化,但对开关比没有明显的影响,其开关比(Roff/Ron)的数量级都为103。当热处理温度为300℃时,Ni Ox薄膜的电阻开关性能最优。