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题名用于在片测试系统整体校准的电阻标准件
被引量:3
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作者
丁晨
乔玉娥
刘岩
翟玉卫
郑世棋
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机构
中国电子科技集团公司第十三研究所
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出处
《中国测试》
CAS
北大核心
2019年第7期97-101,116,共6页
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文摘
为解决在片测试系统中1~1000Ω电阻无法进行整体校准问题,通过采用GaAs材料作为衬底,利用半导体工艺中薄膜溅射法,使用轰击离子Ar+与靶材作用形成反应层,激发出的溅射原子NiCr打至GaAs表面,制作薄膜电阻.采用方块电阻为50Ω/块,通过调节长与宽的比值,研制出1~1000Ω电阻标准件.为消除电阻测量过程中芯片内部回路引线的影响,研制出相对应的短路器.通过组建具有温度控制系统的定标装置,在-40~100℃温度下对标准件进行定标,定标结果表明电阻标准件的阻值与温度具有良好的线性关系,短期重复性RSD优于0.05%,年稳定性RSD优于0.1%,可以有效解决现有在片测试系统低值电阻参数的整体校准问题.
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关键词
在片测试系统
校准
薄膜溅射法
电阻标准件
短路器
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Keywords
on-wafer test system
calibration
thin-film sputtering
resistance standard part
short device
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分类号
TB971
[机械工程—测试计量技术及仪器]
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