基于迁移学习的正温度系数热敏电阻表面损伤分类算法研究

正温度系数热敏电阻(Positive Temperature Coefficient Resistor,PTCR)在生产转运过程中易遭受表面损伤,人们通常在出厂前对其甄别损伤,实施筛选。然而现在常采用人工手动分拣,效率低,容易漏选,因此使用机器视觉技术来进行智能化分类将极大地提升其分拣效率。论文提出了一种基于迁移学习的PTCR表面损伤分类算法,此算法将获取的数据集进行数据增强后在三种卷积神经网络模型Inception-V3、ResNet50、Xception分别提取特征向量,然后将提取到特征向量进行合并训练,使用SoftMax进行分类,最后获得了准确率最高的OurNet(自命名)模型。该模型可以自动识别出边缘破损、完全破裂、表面刮擦等三种表面损伤,从而保障产品质量,提高生产效率。

导电炭黑填充硅橡胶的电阻温度系数

以炭黑(CB3100)为导电相,硅橡胶为基质制备导电复合材料。研究导电橡胶中炭黑质量分数对电阻温度系数的影响,并用填料对电阻温度系数的影响。以隧道效应理论为基础,给出了导电炭黑填充橡胶的电阻温度系数计算模型,结合实验得到温度对导电炭黑/硅橡胶电阻温度系数的影响主要体现在对其电阻率的影响;基体的体积热膨胀提高复合材料的电阻率,提高了正电阻温度系数;炭黑粒子间的隧道效应降低复合材料的电阻率,增强了负电阻温度系数;在炭黑/硅橡胶中加入少量碳纳米管,利用碳纳米管和炭黑的协同补强效应,使复合材料的导电性和稳定性提高。

新型节能导线电阻温度系数的试验研究

研制了高温精密恒温油浴试验台,采用高温油浴温度控制方式控制绞线温度,解决了电阻温度系数试验中绞线温度不能精确控制和绞线内外层温度差异的问题,对电阻温度系数测试方法进行了改进,并进行了钢芯高导电率铝绞线、铝合金芯高导电率铝绞线和中强度铝合金绞线3类新型节能导线的电阻试验,计算得到其电阻温度系数,可为工程设计提供支持。

四探针Mapping自动测试仪中电阻率温度系数的规范化拟合多项式的应用

本文回顾了单晶硅及扩散硅的电阻率温度系数(TCR)的实验结果,认为美国ASTM的TCR曲线是比较完整,确切的.利用我们开发的规范化多项式拟合方法,可将它表示成五阶多项式.将它存入具图像识别四探针定位功能自动测试系统的计算机中后,可以立即得到折合到23℃的硅单晶断面的电阻率分布.本文阐述了规范化拟合的原理,给出了单晶硅的TCR的拟合结果.

退火对PECVD制备的掺磷硅薄膜及其电阻温度系数影响的研究

本文对采用PECVD技术制备的不同掺杂比掺磷硅薄膜在不同退火时间和温度下的结构和电阻温度系数进行了研究。拉曼散射光谱结果表明:未退火样品主要为非晶/微晶混合相;当退火温度从500℃上升到700℃,薄膜结构呈现出先向非晶相转变,后完全晶化的趋势,与此同时,电阻率和电阻温度系数随掺杂浓度及退火温度的增加而单调减小。文中我们采用Lu的模型对上述实验结果进行了解释,认为由Si-P键构成的晶界势垒高度的变化是上述实验结果的根本原因。

掺磷a-Si∶H红外薄膜电阻率及电阻温度系数研究

用等离子体增强化学气相沉积方法制备了掺磷氢化非晶硅薄膜材料,对薄膜的电阻率以及电阻温度系数进行了详细研究。结果表明,掺磷a-Si∶H薄膜的电阻率随磷掺杂比(PH3/SiH4)的增大和气体温度的升高而降低,但随退火温度的升高而增大;掺磷a-Si∶H薄膜的电阻温度系数随薄膜自身电阻率的增大而增大,但随环境温度的升高而降低。

室温红外探测薄膜电阻温度系数测试技术

薄膜电阻温度系数的准确测定对红外探测薄膜材料的研究有着十分重要的意义。研究了薄膜电阻温度系数实时测试技术,重点考虑微弱信号放大和噪声有效抑制,实现了微小间隔下对温度和电阻同时采集,以及数据的精确处理。采用该测试系统准确地测试出几种常用红外探测薄膜材料的电阻温度系数。

基于正温度系数热敏电阻的新型限流保护方法研究

分析了现有短路电流限制技术的发展现状,提出一种基于正温度系数(positive temperature coefficient,PTC)热敏电阻的可恢复型混合式短路限流装置的拓扑结构。通过将PTC热敏电阻与超快速分断开关并联,有效提高了限流装置的额定通流能力,并充分利用PTC材料的电阻快速变化特性,提高装置限流能力,降低限流装置对于PTC材料额定通流要求。给出该型限流装置的检测判断原理及控制策略,分析其限流过程。完成基于PTC热敏电阻的混合式短路限流装置应用于蓄电池组电源短路限流的试验测试,通过不同设定电流值时的限流试验结果,证明所设计的装置能快速有效限制短路电流,具有良好的应用前景。

基于负温度系数的多晶硅电阻电热激励/压阻检测微桥谐振器的新型红外探测器（英文）

报道了一种基于负电阻温度系数的多晶硅电阻电热激励/压阻检测SiO 2/Si3N4/SixNy微桥谐振器的新型红外探测器.微桥谐振器吸收的红外辐射引起微桥温度升高,激励电阻和检测电桥的阻值减小,使得恒定激励电压作用下激励电阻的静态功率和惠斯登电桥的焦耳热增加,等效于增加了辐射在微桥谐振器上的红外辐射.初步的实验证实了该方案的可行性.

低温度系数标准电阻器的研制

航天五一四所研制了2套1Ω~100 MΩ标称值的便携式低温度系数标准电阻器,共34只。其中10 kΩ指标小于0.5×10-6。本文介绍了低温度系数标准电阻器的研制,包括采用的电阻合金材料,电阻合金材料的筛选、匹配与加工制作,低温度系数标准电阻器的技术参数、温度系数测量方法,减小温度系数采用的补偿方法,测试结果分析。

利用制备参数的改变调整VO_2薄膜的电阻温度系数

利用真空还原方法 ,通过合理控制时间和真空退火温度 ,制备出具有优良热致相变特性的VO2 薄膜 ,并对不同真空还原时间、真空退火温度和衬底条件下制备的VO2 薄膜结构和半导体相的电阻温度系数进行了研究。结果表明 ,不同制备参数对所得薄膜的结构和价态有显著影响 ,从而对VO2 的电阻温度系数产生较大调整。

正温度系数电阻陶瓷复阻抗频谱的计算机模拟(英文)

通过建立数学模型,编制了具有不同数量等效电阻-电容(resistorcapacitor,RC)电路结构单元的正温度系数电阻(positivetemperaturecoefficientresistance,PTCR)陶瓷的复阻抗频谱的计算机程序。对在还原气氛下烧结后再氧化的高施主掺杂BaTiO3陶瓷的阻抗虚部和电模量虚部随测试频率变化的曲线进行了拟合,结果表明:还原性的Ba1-xLa3+xTi4+1-xTi3+xO3再氧化后形成Ba1-xLa3+xTi4+1-x/4(V′′′′Ti)x/4,在晶界处可能形成了两个具有PTCR效应的RC结构单元。

低温度系数标准电阻器的研制

主要介绍了低温度系数标准电阻器的研制,包括采用的电阻合金材料、电阻合金材料的筛选、匹配与加工制作,低温度系数标准电阻器的技术参数、温度系数测量方法,减小温度系数采用的补偿方法,测试结果分析。

氧压对ZnO薄膜电阻温度系数的影响

采用脉冲激光沉积(PLD)技术,在不同氧气氛下,在Si(111)衬底上生长了ZnO薄膜,使用X线衍射仪分析了ZnO薄膜的结晶质量。计算了不同氧气氛下生长的ZnO薄膜的电阻温度系数(TCR)值,发现随着氧分压降低,ZnO薄膜的TCR值增大;ZnO薄膜的TCR值最高可达-8%/K。这为研究ZnO薄膜的导电特性提供了新的途径,开辟了ZnO薄膜在室温非制冷红外微测辐射热计材料中的应用潜力。

惠斯通电桥测电阻及电阻温度系数的教学探讨

"惠斯通电桥测电阻及电阻温度系数"实验是大学物理实验中一项重要的研究性实验,介绍"惠斯通电桥测电阻及电阻温度系数"的基本原理及实验过程,针对实验教学中经常出现的问题,提出了一些从教学实践中总结出来的解决方法。

考虑金属电阻温度系数分布效应的电器典型热件等效网络

电器稳定发热计算的等效热网络法，为结构复杂及场路混合的电器热设计提供了一种高效准确的有效途径。以往的热网络计算中采用热件平均温升下对应的电阻率，并认为是常数，与实际热件的温升分布不相符合。本文提出了考虑金属电阻温度系数效应的网络数学模型，可以更准确方便地计算热件内部的最高温升和热流分布。分析讨论了不同典型热件的等效热网络间的内在联系和物理意义，进一步完善了电器稳定发热计算等效热网络法的理论体系。

接枝炭黑/聚乙烯导电复合材料正电阻温度系数(PTC)效应研究

用接枝炭黑作导电粒子研究了在聚乙烯基材中的正 (电阻 )温度系数 (PTC)效应。结果发现 ,甲基丙烯酸甲酯接枝的炭黑在高密度聚乙烯中能表现出较好的 PTC效应。从实验现象分析 ,接枝炭黑的 PTC效应是结晶熔融和体积膨胀双重变化共同作用的结果。

测定金属电阻温度系数的方法研究

从金属电阻率与温度的线性关系出发,设计了测定金属电阻温度系数的实验方案。利用基本的电磁学仪器和热学仪器组合进行实验,以漆包铜线作为待测金属丝测定出铜的电阻温度系数,分析了导致系统误差产生的主要原因,并就待测金属丝的选取原则、温度控制的方法进行了讨论。

测量铜电阻的温度系数的方法与分析

利用非平衡直流电桥分别测量升温和降温过程中铜电阻的温度系数并对这两种方法进行分析比较。

金属导体电阻温度系数测定实验的研究

利用控温仪器和加热炉组成恒温系统,再用双臂电桥和电位差计的方法分别测量了金属铜线的电阻,设计了实验测量的装置图,对测量结果进行了分析。