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MoSi_2发热体电阻率—温度曲线测试系统的设计 被引量:1
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作者 林振衡 《莆田学院学报》 2007年第2期87-91,共5页
针对MoSi2发热元件是一种非线性小电阻元件,且其电阻率—温度曲线的测量温度范围大(0℃—1700℃)的特点,采用恒流源法结合四引线法设计出一套测量温度从0℃至1650℃的MoSi2发热元件的电阻率—温度曲线测试系统,并根据误差理论,结合测试... 针对MoSi2发热元件是一种非线性小电阻元件,且其电阻率—温度曲线的测量温度范围大(0℃—1700℃)的特点,采用恒流源法结合四引线法设计出一套测量温度从0℃至1650℃的MoSi2发热元件的电阻率—温度曲线测试系统,并根据误差理论,结合测试系统在室温31℃和高温1600℃时具体的测试条件和实际测试结果,对该测试系统的不确定度进行分析。分析结果表明该测试系统具有较高的测量精度。 展开更多
关键词 MoSi2发热元件 电阻率—温度曲线 测试系统 不确定度
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