NTDFZSi片低温退火电阻率回升现象

实验结果表明ＮＴＤＦＺＳｉ片电阻率下降的幅度与硅片冷却速率有关．在由 １２００℃冷却到室温的过程中，冷却速度越快，硅片电阻率下降的幅度越大．另外，样品的厚度也是一个重要因素．实验指出，当样品厚度在１２００μｍ以上时，硅片电阻率变化很小．特别值得指出的是，那些经高温退火电阻率下降的硅片再经６５０—６８０℃低温退火，可使硅片的电阻率得到回复。

基于流动单元的原始地层电阻率反演及其应用

通过聚类分析对研究区储层流动单元进行了分类,划分出4类流动单元;依据统计发现的油层深侧向电阻率与储层有效孔隙度之间的正相关关系,建立了研究区每类流动单元原始地层电阻率反演模型,进而根据当前地层电阻率的下降值ΔR实现不同流动单元水淹层的定量评价。应用结果表明,利用本文方法得到的小层水淹程度与实际动态资料基本相符。本文方法适用于深度相差不大、泥质含量较低的同一地质小层水淹程度评价。